n結(jié)半導(dǎo)體物理第七-文庫吧
2024-12-22 14:47 本頁面
【正文】 內(nèi)建電場。 內(nèi)建電場引起載流子的漂移運動，漂移運動與擴(kuò)散運動的方向相反，最后達(dá)到平衡狀態(tài)。 空間電荷區(qū)及內(nèi)建電場的形成過程示意圖 達(dá)到熱平衡狀態(tài)時，擴(kuò)散流等于漂移流 平衡 PN結(jié)的特點： ? 勢壘區(qū)內(nèi)電子（空穴）的擴(kuò)散和漂移抵消。 ? 整個 pn結(jié)具有統(tǒng)一的費米能級。 ? 能帶彎曲－－勢壘高度。 達(dá)到平衡狀態(tài)的 PN結(jié)能帶圖具有統(tǒng)一的費米能級 167。 零偏狀態(tài)下的 PN結(jié) 零偏狀態(tài) :V外 =0 1. 內(nèi)建電勢差 由 PN結(jié)空間電荷區(qū)的形成過程可知，在達(dá)到平衡狀態(tài)時， PN結(jié)空間電荷區(qū)中形成了一個內(nèi)建電場，該電場在空間電荷區(qū)中的 積分 就形成了一個 內(nèi)建電勢差 。 從能量的角度來看，在 N型區(qū)和 P型區(qū)之間建立了一個內(nèi)建勢壘，阻止電子進(jìn)一步向 P型區(qū)擴(kuò)散，該內(nèi)建勢壘的高度即為內(nèi)建電勢差，用 Vbi 表示。 內(nèi)建勢壘的高度： 影響勢壘高度的因素： 摻雜濃度； 溫度； 電場強(qiáng)度 耗盡區(qū)電場的產(chǎn)生是由于正負(fù)電荷的相互分離。右圖所示為突變結(jié)的體電荷密度分布。 結(jié)論： 1） E≤0 ； 2）電場強(qiáng)度為直線分布 3）電場強(qiáng)度最大值在 x=0處； 結(jié)論： 1） E≤0 ； 2）電場強(qiáng)度為直線分布 3）電場強(qiáng)度最大值在 x=0處； 最大電場強(qiáng)度 由 PN結(jié)界面處電場連續(xù)可得： 結(jié)論： 在 PN結(jié)界面兩側(cè)， N型區(qū)中單位面積的正電荷與 P型區(qū)中點位面積的負(fù)電荷相等。 在 PN結(jié)界面處電場達(dá)到最大，最大電場為： 內(nèi)建電勢：
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