有電介質(zhì)時的高斯定理電位移-文庫吧
2025-04-19 21:46 本頁面
【正文】 移與電場的關(guān)系，知 ?E10 Rr ?2102RrRrr????? ?20 Rr ?內(nèi)外筒電勢差 ? ?? 12 dRRU lE ?? ?? 21d2 0RRrrr????120ln2 RRr?????代入得到電場的分布為： ?E10 Rr ?2112 )/l n (RrRRRr U ??20 Rr ?沿半徑向里 1R2R有電介質(zhì)時的高斯定理 電位移 EP ?? )1(0 ?? r??由 得電極化強度矢量的分布 ?P10 Rr ?21120)/l n ()1( RrRRRrUr ?????20 Rr ?沿半徑向里 由 得束縛電荷的分布 nP ?? ???????11210)/l n ()1( RrRRRUr ????21220)/l n ()1( RrRRRUr ??? ??束縛電荷在介質(zhì)內(nèi)表面為正，外表面為負。 1R2R有電介質(zhì)時的高斯定理 電位移 例 2. 一平板電容器 板間為真空時 ，兩極板上所帶電荷的面密度分別為 +?和 ?，電壓 U0=200V。撤去充電電源，在板間按圖示充以三種介質(zhì)，介質(zhì) 1充滿一半空間，介質(zhì) 2和 3的厚度相同。求介質(zhì)表面的束縛電荷。（忽略邊緣效應(yīng)） ????解： 1r?2r?3r?忽略邊緣效應(yīng)，板間各處 、 均垂直于板面 ,且在同一介質(zhì)中相同。 E? D? 以 ? ?2分別表示極板左半部及右半部分的面電荷密度， 表示各介質(zhì)中的電場和電位移。 、1E? 、2E? 、3E?、1D? 、2D? 3D?1??1?? 2??2??有電介質(zhì)時的高斯定理 電位移 1??1??1r?2r?3r?2??2??電介質(zhì)中高斯定理 ??? ? ??????? 側(cè)面下底上底 SDSDSDSD ???????? ddddS ? ?? 下底 SD ?? d?? ??? 下底 SDSD ???? ddS分別考慮三種介質(zhì)： SD ??? 1 S??? 1? 介質(zhì) 1 ?? ??? 下底 SDSD ???? ddS SD ??? 2 S??? 2?介質(zhì) 2 ?? ??? 下底 SDSD
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