有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理電位移(已改無(wú)錯(cuò)字)
2023-06-21 21:46:05 本頁(yè)面
【正文】 R Q0 r P S ? 有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理 電位移 204 rqD??rrqD ?? 304??所以 寫(xiě)成矢量式為 024d qrDSD ????? ???ED ?? ?? , 所以離球心 r 處 P點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)為 因 rrErrqrrqDE???????????????? 3003044有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理 電位移 rrqrrqrrqPrrr???? ?????? ????????????1444 30300030 結(jié)果表明：帶電金屬球周?chē)錆M(mǎn)均勻無(wú)限大電介質(zhì)后，其場(chǎng)強(qiáng)減弱到真空時(shí)的 1/εr倍 , 可求出電極化強(qiáng)度為 電極化強(qiáng)度 與 有關(guān)，是非均勻極化。在電介質(zhì)內(nèi)部極化電荷體密度等于零，極化面電荷分布在與金屬交界處的電介質(zhì)變面上（另一電介質(zhì)表面在無(wú)限遠(yuǎn)處），其電荷面密度為 P? r?neP ?? ????有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理 電位移 ???????? ????rrRq???? 14 20rrr qqq??? 0001????????? ?? 因?yàn)?εr 1，上式說(shuō)明 σ’恒與 q0反號(hào)，在交界面處只有電荷和極化電荷的總電荷量為 總電荷量減小到自由電荷量的 1/εr倍，這是 離球心 r處 P點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng) 減小到真空時(shí)的 1/εr倍的原因。 有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理 電位移 解 （ 1 ）設(shè)場(chǎng)強(qiáng)分別為 E1 和 E2 ，電位移分別為 D1 和 D2 ， E1和 E2 與板極面垂直，都屬均勻場(chǎng)。先在兩層電介質(zhì)交界面處作一高斯閉合面 S1，在此高斯面內(nèi)的自由電荷為零。由電介質(zhì)時(shí)的高斯定理得 例題 97 平行板電容器兩板極的面積為 S，如圖所示，兩板極之間充有兩層電介質(zhì)，電容率分別為 ε1 和 ε2 ，厚度分別為 d1 和 d2 ，電容器兩板極上自由電荷面密度為 177。 σ。求（ 1）在各層電介質(zhì)的電位移和場(chǎng)強(qiáng)，（ 2）電容器的電容 . +? E1 E2 D1 D2 S2 S1 d1 d2 A B ?1 ?2 有電介質(zhì)
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