【正文】
n 20% of the total and that percentage will drop because most of the available sources of water power have been ,在美國(guó),水電在全部電力中所占的比例不到20%,并且,因?yàn)榇蠖鄶?shù)可用的水電資源已被開(kāi)發(fā),該百分?jǐn)?shù)還會(huì)下降。 stations are usually located near a river or lake because large quantities of cooling water are needed to condense the steam as it exhausts from the ,這是因?yàn)樾枰罅康睦鋮s水在蒸汽從汽輪機(jī)排出時(shí)將其冷凝。(現(xiàn)在分詞短語(yǔ)作狀語(yǔ))Doing experiment is of great help to 。(動(dòng)名詞作介賓)Mechanization is using machines instead of hand 。(狀語(yǔ)從句)Before one studies a system, it is necessary to define and discuss some important ,必須定義并討論一些重要的術(shù)語(yǔ)。(表語(yǔ)從句)You should determine which of the following functions is 。(表語(yǔ)從句)The places where small puters can be used appear 。(定語(yǔ)從句)The places where small puters can be used appear 。(定語(yǔ)從句)Now we can determine where the slope is 。(賓語(yǔ)從句)Electrons always move toward where the potential is 。(同位語(yǔ)從句)Section 2 Exercise 3Section 3 Exercise3 必須強(qiáng)調(diào)的是線(xiàn)性電阻器是一個(gè)理想的電路元件;它是物理元件的數(shù)學(xué)模型。我們通常應(yīng)當(dāng)把線(xiàn)性電阻器僅僅稱(chēng)為電阻器。而對(duì)于任何非線(xiàn)性電阻器我們應(yīng)當(dāng)始終這么稱(chēng)呼它,非線(xiàn)性電阻器不應(yīng)當(dāng)必然地被視為不需要的元件。另一種方法是求出每個(gè)獨(dú)立源對(duì)變量的作用然后把它們進(jìn)行疊加。疊加法原理表明線(xiàn)性電路某個(gè)元件兩端的電壓(或流過(guò)元件的電流)等于每個(gè)獨(dú)立源單獨(dú)作用時(shí)該元件兩端的電壓(或流過(guò)元件的電流)的代數(shù)和。阻抗不是一個(gè)相量,因此不能通過(guò)把它乘以并取其實(shí)部把它轉(zhuǎn)換成時(shí)域形式。Section 6 Exercise 3第四篇:專(zhuān)業(yè)英語(yǔ)翻譯介紹硒(Se)是一個(gè)對(duì)人類(lèi)和動(dòng)物而言很重要的微量營(yíng)養(yǎng)素,但是Se毒性和Se缺乏發(fā)生在世界不同的地方(弗蘭肯伯格和本森,1994)。Se這種基本的或有毒的特性在生物中不僅取決于其濃度狀況,而且也在于其直接影響吸收和生物利用度的化合物(米凱爾森et al,1989。在水系統(tǒng)中硒酸鹽和亞硒酸鹽是主要的物質(zhì)(雅各布斯,1989),然而,亞硒酸鹽很容易吸附于土壤礦物質(zhì),所以高濃度的硒酸鹽是工業(yè)廢水污染水域中主要的硒化合物。Hayes博士(1987年)增加報(bào)道,亞硒酸鹽吸附在吸附劑、針鐵礦(aFeOOH),形成一個(gè)內(nèi)球體復(fù)合體,硒酸鹽形成一個(gè)弱外球體,然后硒酸鹽在吸附劑會(huì)受在電子雙層理論上易溶效應(yīng)的影響。當(dāng)基本溶液添加到Al(III)/SiO2體系中,鋁和二氧化硅形成配合物以增加二氧化硅帶負(fù)電荷表面的吸附地方。為了探討吸附能力,一系列的亞硒酸鹽和硒酸鹽溶液和在pH=5下用24h準(zhǔn)備的兩個(gè)二元氧化物進(jìn)行振蕩。相關(guān)系數(shù)表明Langmuir等溫線(xiàn)模型適用于通過(guò)二元氧化系統(tǒng)來(lái)描述亞硒酸鹽和硒酸鹽的吸附平衡。就硒物種的吸附能力考慮, Al(III)/SiO2和Fe(III)/SiO2似乎比粗鋁或鐵氧化物涂層砂高得多(Lo和Chen,1997,Kuan et al,1998)。在兩個(gè)二元氧化物系統(tǒng)中亞硒酸的吸附能力比硒酸鹽的高,這和基于第一個(gè)酸度常數(shù)來(lái)區(qū)分各種陰離子親和力的結(jié)果是一致的(Hayes,1987,Hayes et al,1988)。對(duì)亞硒酸鹽和硒酸鹽吸附而言,Al(III)/SiO2體系相比Fe(III)/SiO2體系顯示了一個(gè)更大的容量,來(lái)源于Al(III)/SiO2體系對(duì)硒含氧陰離子有更多的正電荷造成的高親和力(圖1)。因此,Al(III)/SiO2對(duì)硒的Qmax高于Fe(III)/SiO2的(表2)。為了研究吸附過(guò)程的機(jī)制,我們使樣品遭受到二元氧化物系統(tǒng)吸附的硒的XANES和EXAFS光譜。二元氧化物系統(tǒng)吸附亞硒酸鹽和硒酸鹽的偽平衡方法比那些在鋁或鐵涂料石英沙更為迅猛(Lo and Chen,1997,Kuan et al,1998)。個(gè)別的硒酸鹽去除百分比可以達(dá)到99,在Al(III)/SiO2和Fe(III)/SiO2中30分鐘可以除去96%,吸附也接近平衡(圖4b)。已安裝的動(dòng)力學(xué)數(shù)據(jù)零、第一、偽第二、二階,拋物線(xiàn),Elovich模型,評(píng)估r2和假定值,總安裝數(shù)據(jù)沒(méi)有顯示。表3表明顯示了通過(guò)t/qt的圖形從偽二級(jí)動(dòng)力學(xué)模型得到確切系數(shù)(r2)和其他參數(shù)來(lái)確定V0和qeq所有的媒體價(jià)值。亞硒酸鹽在Al(III)/,少于硒酸鹽的(),在Fe(III)/。不像亞硒酸鹽,上清液pH值是穩(wěn)定的,表明氫氧離子在吸附過(guò)程中被釋放出來(lái)。從XANES的吸附反應(yīng)可知,氧化狀態(tài)在硒物種和二元氧化物系統(tǒng)之間相互作用沒(méi)有改變。在圖5a,b上顯示了這個(gè)徑向結(jié)構(gòu)功能(RSFs)的傅里葉轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)。這個(gè)距離是與以前在亞硒酸鹽進(jìn)行的EXAFS實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)達(dá)到了良好的統(tǒng)一, A(Manceau and Charlet,1994,Peak et al,2006,Peak,2006)。亞硒酸鹽吸附在其他鋁軸承礦物表面這個(gè)和以前的研究(Hayesetal,1987)達(dá)成良好的協(xié)議,這也報(bào)道了雙配位基、雙核的表面絡(luò)合作用。在水合的鐵氧化物(HFO)下,然而。在二元氧化系統(tǒng)上硒酸鹽局部結(jié)構(gòu)是由EXAFS裝置指導(dǎo)的(表4和圖5b)。這個(gè)在硒酸鹽吸附樣本的SeAl距離鍵長(zhǎng)及配位數(shù)(、CN=1)表明研究在Al(III)/SiO2表面的硒酸鹽的協(xié)調(diào)環(huán)境是一個(gè)內(nèi)球體表面復(fù)合物。EXAFS擬合數(shù)據(jù)表明硒酸鹽在Fe(III)/SiO2的鍵長(zhǎng)比在Al(III)/SiO2的長(zhǎng)。鍵長(zhǎng)越長(zhǎng),中心和周?chē)脑拥南嗷プ饔迷饺?。鍵長(zhǎng)適合特性的估計(jì)精度是177。EXAFS結(jié)果表明在Fe(III)/SiO2的硒酸鹽形成內(nèi)球體復(fù)合物。結(jié)論根據(jù)研究結(jié)果,我們提出在二元氧化物系統(tǒng)上鋁或鐵氧化物可以修改二氧化硅的負(fù)表面電荷,應(yīng)用二元氧化物系統(tǒng)吸附陰離子、硒含氧陰離子。然而,Al(III)和SiO2表面強(qiáng)烈聯(lián)系導(dǎo)致其整個(gè)表面電荷比Fe(III)/SiO2更加積極, Al(III)/SiO2對(duì)硒的吸附能力比Fe(III)/SiO2的更強(qiáng)。然而, 在Al(III)/SiO2上的硒酸鹽形成較弱的內(nèi)球體單配位基復(fù)合物,在Fe(III)/SiO2上的硒酸鹽也是這樣的。調(diào)查結(jié)果得出目前的研究的基本意義是在推進(jìn)前沿二元氧化物系統(tǒng)化學(xué)專(zhuān)業(yè)知識(shí)。合理的布置一定量的樁,可以提高樁筏基礎(chǔ)的承載力和減少總沉降和差異沉降。它包括兩個(gè)階段: