薄膜材料與薄膜技術(shù)復(fù)習(xí)資料-閱讀頁
2024-08-24 16:12本頁面
【正文】 用模型的本質(zhì)差別，熱力學(xué)界面能理論所給出的有關(guān)公式預(yù)示，隨著過飽和度的變化，臨界核尺寸和成核速率連續(xù)變化；相反，原子理論則預(yù)示著它們不作連續(xù)變化。交流濺射：施加交流電壓。 LCVD與PCVD 激光化學(xué)氣相沉積是通過使用激光源產(chǎn)生出來的激光束實(shí)現(xiàn)化學(xué)氣相沉積的一種方法（激光加熱非常局域化）光化學(xué)氣相沉積是高能光子有選擇性地激發(fā)表面吸附分子或氣體分子而導(dǎo)致鍵斷裂、產(chǎn)生自由化學(xué)粒子形成膜或在相鄰的基片上形成化學(xué)物的沉積方法。應(yīng)用：用于沉積各種材料，包括SiOSi3N4，非晶Si：H、多晶Si、SiC等介電和半導(dǎo)體膜?；瘜W(xué)鍍：不加任何電場、直接通過化學(xué)反應(yīng)而實(shí)現(xiàn)薄膜沉積的方法陽極沉積反應(yīng)：不需采用外部電流源，在待鍍金屬鹽類的溶液中，靠化學(xué)置換的方法在基體上沉積出該金屬的方法。附：陽極沉積反應(yīng)與化學(xué)鍍的區(qū)別在于無需在溶液中加入化學(xué)還原劑，因?yàn)榛w本身就是還原劑。兩者都不需要外加電場。電鍍可單獨(dú)作為鍍膜技術(shù)。離子鍍是在真空條件下，利用氣體放電使氣體或被蒸發(fā)物部分離化，產(chǎn)生離子轟擊效應(yīng)，最終將蒸發(fā)物或反應(yīng)物沉積在基片上同：都需要真空條件，且都是物理氣相沉積技術(shù)異：離子鍍結(jié)合蒸發(fā)與濺射兩種薄膜沉積技術(shù)。離子束與離子助離子束沉積（IBD）：在離子束濺射沉積過程中，高能離子束直接打向靶材，將后者濺射并沉積到相鄰的基片上。優(yōu)點(diǎn)：超高真空、可以實(shí)現(xiàn)低溫過程、原位監(jiān)控、嚴(yán)格控制薄膜成分及摻雜濃度②液相外延生長(LPE)定義：從液相中生長膜，溶有待鍍材料的溶劑是液相外延生長所必需的。④有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積(MOCVD)定義：采用加熱方式將化合物分解而進(jìn)行外延生長半導(dǎo)體化合物的方法。特點(diǎn)：可對多種化合物半導(dǎo)體進(jìn)行外延生長。④只通過改變原材料即可以生長出各種成分的化合物缺點(diǎn)：所用的有機(jī)金屬原料一般具有自燃性。
黨政相關(guān)相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1