【摘要】Siliconingot硅錠Wafer晶片Mirrorwafer鏡面晶圓Patter晶圓片F(xiàn)AB:fabrication制造FabricationFacility制造wafer生產(chǎn)工廠Probetest探針測試Probecard探針板Contact連接ProbeTip探頭端部ChipFunction功能EPM:El
2025-07-12 17:38
【摘要】半導(dǎo)體廠務(wù)工作吳世全國家奈米元件實(shí)驗(yàn)室一、前言近年來,半導(dǎo)體晶圓廠已進(jìn)展到8"晶圓的量產(chǎn)規(guī)模,同時(shí),也著手規(guī)劃12"晶圓的建廠與生產(chǎn),準(zhǔn)備迎接另一世代的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。於是各廠不斷地?cái)U(kuò)增其產(chǎn)能與擴(kuò)充其廠區(qū)規(guī)模,似乎稍一停頓即會(huì)從此競爭中敗下陣來。所以,推促著製程技術(shù)不斷地往前邁進(jìn),(百萬位元)DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)記憶元件)記憶體密度的此際技術(shù)起,;(十億位元)集積度的
2025-07-08 17:46
【摘要】硫及金屬硫化物-類石墨相氮化碳納米復(fù)合材料的制備,表征及其光催化性能的研究第一章緒論自18世紀(jì)60年代的第一次工業(yè)革命到現(xiàn)在以來,科學(xué)技術(shù)迅猛發(fā)展、日新月異。工業(yè)革命(第一次科技革命)以瓦特的蒸汽機(jī)的發(fā)明為標(biāo)志,宣告了人類社會(huì)由原來的火器時(shí)代,進(jìn)入到了蒸汽時(shí)代。第二次科技革命發(fā)生在19世紀(jì)70年代,在這個(gè)時(shí)期,自然科學(xué)取得了飛速的進(jìn)展,由于資本主義制度的逐漸形成和完善,資本主義
2025-07-09 08:22
【摘要】 實(shí)驗(yàn)十七 半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)霍爾效應(yīng)是磁電效應(yīng)的一種,這一現(xiàn)象是霍爾(,1855—1938)于1879年在研究金屬的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)時(shí)發(fā)現(xiàn)的。后來發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體、導(dǎo)電流體等也有這種效應(yīng)。這一效應(yīng)對金屬來說并不顯著,但對半導(dǎo)體非常顯著。利用這一效應(yīng)制成的各種霍爾元件,廣泛地應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化技術(shù)、檢測技術(shù)及信息處理等方面?;魻栃?yīng)是研究半導(dǎo)體材料性能的基本方法。通過霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)?zāi)軠y定半導(dǎo)體材料的
2024-08-22 06:23
【摘要】半導(dǎo)體車載冰箱電子制冷原理介紹(圖)????半導(dǎo)體電子制冷又稱熱電制冷,或者溫差電制冷,它是利用“帕爾帖效應(yīng)”的一種制冷方法,與壓縮式制冷和吸收式制冷并稱為世界三大制冷方式。1843年,法國物理學(xué)家帕爾帖在銅絲的兩頭各接一根鉍絲,再將兩根鉍絲分別接到直流電源的正負(fù)極上,通電后,他驚奇的發(fā)現(xiàn)一個(gè)接頭變熱,另一個(gè)接頭變冷;這個(gè)現(xiàn)象后來就被稱為“帕爾帖
2025-07-07 12:02
【摘要】1.在怎樣條件下,電流密度隨電場強(qiáng)度成線性變化?在強(qiáng)電場下,歐姆定律是否仍然正確?電場強(qiáng)度不大的條件下;不正確?、載流子濃度及遷移率?從霍爾電壓的正負(fù)可以判別半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型;測出RH可求載流子濃度;測出電導(dǎo)率可求出霍爾遷移率。,哪一個(gè)材料的少子濃度高?為什么?鍺的少子濃度高。由電阻率=1/nqu和(ni)2=n0p0以及硅和鍺本征載流子濃度的數(shù)量級差別,可以算出鍺的少
2025-04-09 06:15
【摘要】半導(dǎo)體測試技術(shù)實(shí)踐總結(jié)報(bào)告一、實(shí)踐目的半導(dǎo)體測試技術(shù)及儀器集中學(xué)習(xí)是在課堂結(jié)束之后在實(shí)習(xí)地集中的實(shí)踐性教學(xué),是各項(xiàng)課間的綜合應(yīng)用,是鞏固和深化課堂所學(xué)知識(shí)的必要環(huán)節(jié)。學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件與集成電路性能參數(shù)的測試原理、測試方法,掌握現(xiàn)代測試設(shè)備的結(jié)構(gòu)原理、操作方法與測試結(jié)果的分析方法,并學(xué)以致用、理論聯(lián)系實(shí)際,鞏固和理解所學(xué)的理論知識(shí)。同時(shí)了解測試技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀、趨勢以及本專業(yè)的發(fā)展
2025-04-10 02:55
【摘要】一、判斷下列說法是否正確,用“√”和“×”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素,可將其改型為P型半導(dǎo)體。()(2)因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以它帶負(fù)電。()(3)PN結(jié)在無光照、無外加電壓時(shí),結(jié)電流為零。()(4)處于放大狀態(tài)的晶體管,集電極電流是多子漂移運(yùn)動(dòng)形成的。()
2025-07-08 17:39
【摘要】半導(dǎo)體激光器輸出特性的影響因素半導(dǎo)體激光器是一類非常重要的激光器,在光通信、光存儲(chǔ)等很多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。下面我將探討半導(dǎo)體激光器的波長、光譜、光功率、激光束的空間分布等四個(gè)方面的輸出特性,并分析影響這些輸出特性的主要因素。1.波長半導(dǎo)體激光器的發(fā)射波長是由導(dǎo)帶的電子躍遷到價(jià)帶時(shí)所釋放出的能量決定的,這個(gè)能量近似等于禁帶寬度Eg(eV)。hf=Egf(H
2025-07-01 14:33
【摘要】一.名詞解釋:①.CZ直拉法:是用包括熔爐,拉晶機(jī)械裝置(籽晶夾具,旋轉(zhuǎn)機(jī)械裝置),環(huán)境控制裝置的拉晶機(jī)進(jìn)行結(jié)晶。多晶硅放入坩堝中,熔爐加熱到超過硅的熔點(diǎn),將一個(gè)適當(dāng)晶向的籽晶放置在籽晶夾具中,懸于坩堝之上,將籽晶夾具插入熔融液中,雖然籽晶將會(huì)部分融化,但其未融化的籽晶頂部將會(huì)接觸熔融液的表面、將籽晶慢慢拉起,熔融液在固體液體的表面逐漸冷卻,從而產(chǎn)生很大的晶體即從熔融硅中生長單晶硅的基本
2025-05-02 07:12
【摘要】四川洪芯微科技有限公司1)Acetone丙酮丙酮是有機(jī)溶劑的一種,分子式為CH3COCH3性質(zhì):無色,具剌激性薄荷臭味的液體用途:在FAB內(nèi)的用途,主要在于黃光室內(nèi)正光阻的清洗、擦拭毒性:對神經(jīng)中樞具中度麻醉性,對皮
2024-08-22 05:50
【摘要】半導(dǎo)體材料的分類及應(yīng)用 能源、材料與信息被認(rèn)為是當(dāng)今正在興起的新技術(shù)革命的三大支柱。材料方面,電子材料的進(jìn)展尤其引人注目。以大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路為核心的電腦的問世極大地推動(dòng)了現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)各個(gè)方面的發(fā)展,一個(gè)又一個(gè)劃時(shí)代意義的半導(dǎo)體生產(chǎn)新工藝、新材料和新儀器不斷涌現(xiàn),并迅速變成生產(chǎn)力和生產(chǎn)工具,極大地推動(dòng)了集成電路工業(yè)的高速發(fā)展。半導(dǎo)體數(shù)字集成電路、模擬集成電路、存儲(chǔ)器、專用集成電路
2024-08-22 06:09
【摘要】1?Active?Area?主動(dòng)區(qū)(工作區(qū))?主動(dòng)晶體管(ACTIVE?TRANSISTOR)被制造的區(qū)域即所謂的主動(dòng)區(qū)(ACTIVE?AREA)。在標(biāo)準(zhǔn)之MOS制造過程中ACTIVE?AREA是由一層氮化硅光罩即等接氮化硅蝕刻之后的局部場區(qū)氧化所形成的,而由于利用到局部場氧化之步驟,所以ACTIVE?AREA會(huì)受到
2024-08-22 06:04
【摘要】半導(dǎo)體量子點(diǎn)發(fā)光一、半導(dǎo)體量子點(diǎn)的定義當(dāng)半導(dǎo)體的三維尺寸都小于或接近其相應(yīng)物質(zhì)體相材料激子的玻爾半徑()時(shí),稱為半導(dǎo)體量子點(diǎn)。二、半導(dǎo)體量子點(diǎn)的原理在光照下,半導(dǎo)體中的電子吸收一定能量的光子而被激發(fā),處于激發(fā)態(tài)的電子向較低能級躍遷,以光福射的形式釋放出能量。大多數(shù)情況下,半導(dǎo)體的光學(xué)躍遷發(fā)生在帶邊,也就是說光學(xué)躍遷通常發(fā)生在價(jià)帶頂和導(dǎo)帶底附近。半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)可以用圖的簡化模型來
【摘要】1.acceptancetesting(WAT:waferacceptancetesting)2.acceptor:受主,如B,摻入Si中需要接受電子3.Acid:酸4.Activedevice:有源器件,如MOSFET(非線性,可以對信號放大)5.Alignmark(key):對位標(biāo)記6.Alloy:合金7.Aluminum:
2025-07-08 17:16