【摘要】半導(dǎo)體物理與器件第四章第二講邱偉彬§非本征半導(dǎo)體?非本征半導(dǎo)體:摻入定量的特定的雜質(zhì)原子(施主或受主),從而熱平衡電子和空穴濃度不同于本征載流子濃度的半導(dǎo)體材料。–摻入的雜質(zhì)原子會(huì)改變電子和空穴的分布。費(fèi)米能級(jí)偏離禁帶中心位置。–摻入施主雜質(zhì),雜質(zhì)電離形成導(dǎo)帶電子和正電中心(施主離子),而不產(chǎn)生空穴
2025-01-06 14:50
【摘要】CVD 晶圓制造廠(chǎng)非常昂貴的原因之一,是需要一個(gè)無(wú)塵室,為何需要無(wú)塵室 答:由于微小的粒子就能引起電子組件與電路的缺陷 何謂半導(dǎo)體?;I*s#N*v8Y!H3a8q4a1R0\-W 答:半導(dǎo)體材料的電傳特性介于良導(dǎo)體如金屬(銅、鋁,以及鎢等)和絕緣和橡膠、塑料與干木頭之間。最常用的半導(dǎo)體材料是硅及鍺。半導(dǎo)體最重要的性質(zhì)之一就是能夠藉由一種叫做摻雜的
2025-06-16 14:50
【摘要】半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)人才相關(guān)信息介紹一、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)概念半導(dǎo)體(Semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體按照其制造技術(shù)可以分類(lèi)為:集成電路器件,分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯集成電路、模擬集成電路、儲(chǔ)存器等大類(lèi)。當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路(IntegratedCircuit)。集成電路是指采用一定的工藝,把一個(gè)電路中所需的晶體管、電
2025-06-24 08:22
【摘要】有關(guān)有機(jī)半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能研究與探討來(lái)源于論文在線(xiàn)網(wǎng)2021-7-29發(fā)表的,作者不詳摘要?隨著科技和經(jīng)濟(jì)的發(fā)展,半導(dǎo)體器件在當(dāng)今的生活中應(yīng)用越來(lái)越廣泛,本文主要講解有機(jī)半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能。該文主要從有機(jī)半導(dǎo)體同無(wú)機(jī)半導(dǎo)體的發(fā)展歷程及其其概念導(dǎo)入,其次在分析有機(jī)半導(dǎo)體的優(yōu)劣點(diǎn),解說(shuō)有機(jī)半導(dǎo)
2025-05-12 19:34
【摘要】半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)目錄摘要 1Abstract 21前言 32系統(tǒng)方案論證與及技術(shù)路線(xiàn) 4 4 43模擬電路部分的系統(tǒng)方案設(shè)計(jì) 5 5 6 103.3短路保護(hù)電路 143.4延時(shí)軟啟動(dòng) 14 15限流保護(hù)電路 164數(shù)字電路部分的系統(tǒng)方案設(shè)計(jì) 18 18 22 22 23A/D轉(zhuǎn)換電
2025-06-28 09:33
【摘要】QJ/TBTCL家用電器(惠州)有限公司企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)QJ/TBJ053063-2004
2025-06-19 16:55
【摘要】華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系先進(jìn)制造技術(shù)半導(dǎo)體制造裝備華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系微電子封裝一般可分為4級(jí),如圖所示,即:0級(jí)封裝———芯
2025-02-26 08:37
【摘要】擴(kuò)散半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)本章重點(diǎn)?摻雜的目的;?摻雜的方法;?恒定源擴(kuò)散;?有限源擴(kuò)散;?摻雜:摻雜技術(shù)是在高溫條件下,將雜質(zhì)原子以一定的可控量摻入到半導(dǎo)體中,以改變半導(dǎo)體硅片的導(dǎo)電類(lèi)型或表面雜質(zhì)濃度。?形成PN結(jié)、電阻?磷(P)、砷(As)——N型硅?硼(B)
2025-02-28 11:58
【摘要】半導(dǎo)體制程簡(jiǎn)介——芯片是如何制作出來(lái)的基本過(guò)程?晶園制作–WaferCreation?芯片制作–ChipCreation?后封裝–ChipPackaging第1部分晶園制作多晶生成?PolySiliconCreation1–目前半導(dǎo)體制程所使用的主要原料就是晶園(Wafe
2025-08-05 03:55
【摘要】集成電路版圖設(shè)計(jì)與驗(yàn)證第三章半導(dǎo)體制造工藝簡(jiǎn)介學(xué)習(xí)目的?(1)了解晶體管工作原理,特別是MOS管的工作原理?(2)了解集成電路制造工藝?(3)了解COMS工藝流程主要內(nèi)容??工藝流程?工藝集成?半導(dǎo)體硅原子結(jié)構(gòu):4個(gè)共價(jià)鍵,比較穩(wěn)定,沒(méi)有明顯的自由電子。
2025-04-29 04:54
【摘要】附件:半導(dǎo)體照明節(jié)能產(chǎn)業(yè)發(fā)展意見(jiàn)半導(dǎo)體照明是繼白熾燈、熒光燈之后照明光源的又一次革命。半導(dǎo)體照明技術(shù)發(fā)展迅速、應(yīng)用領(lǐng)域廣泛、產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)性強(qiáng)、節(jié)能潛力大,被各國(guó)公認(rèn)為最有發(fā)展前景的高效照明產(chǎn)業(yè)。為推動(dòng)我國(guó)半導(dǎo)體照明節(jié)能產(chǎn)業(yè)健康有序發(fā)展,培育新的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)點(diǎn),擴(kuò)大消費(fèi)需求,促進(jìn)節(jié)能減排,特制訂本意見(jiàn)。一、半導(dǎo)體照明節(jié)能產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢(shì)半導(dǎo)體照明亦稱(chēng)固態(tài)照明,是
2025-06-17 14:22
【摘要】第一章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)測(cè)試題(高三)姓名班次分?jǐn)?shù)一、選擇題1、N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中加入下列物質(zhì)而形成的。A、電子;B、空穴;C、三價(jià)元素;D、五價(jià)元素
2025-03-25 06:15
【摘要】半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件原理一.半導(dǎo)體基礎(chǔ)二.pn結(jié)三.BJT四.MOS結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)五.MOSFET六.MS接觸和肖特基二極管七.JFET和MESFET簡(jiǎn)介半導(dǎo)體器件硅半導(dǎo)體表面?理想硅表面?鍵的排列從體內(nèi)到表面不變,硅體特性不受影響半導(dǎo)體器
2025-08-16 01:27
【摘要】半導(dǎo)體物理與器件?電導(dǎo)率和電阻率?電流密度:?對(duì)于一段長(zhǎng)為l,截面面積為s,電阻率為ρ的均勻?qū)w,若施加以電壓V,則導(dǎo)體內(nèi)建立均勻電場(chǎng)E,電場(chǎng)強(qiáng)度大小為:對(duì)于這一均勻?qū)w,有電流密度:IJs???IVEl?//ElIVJssElsRs?????
2025-05-06 12:46
【摘要】集成電路制造工藝期末復(fù)習(xí)要點(diǎn)?超凈加工車(chē)間等級(jí)劃分、各凈化等級(jí)適用范圍;?超凈加工車(chē)間制備方式;?超純水制備方式;薄膜制備?二氧化硅膜用途;?二氧化硅膜的制備方式(氧化法、熱分解法、氫氧合成法);?采用不同方式制備氧化膜的質(zhì)量區(qū)別;?摻氯氧化的作用;?影響氧化速度的因素(濃度、溫度、分壓、
2025-05-12 20:53