半導(dǎo)體制造工藝簡(jiǎn)介(文件)
【正文】 成的，單道工藝通常歸為以下三類： ?（ 1）薄膜制備工藝：包括外延生長(zhǎng)、氧化工藝、薄膜淀積工藝，如制造金屬、絕緣層等。 ?光刻掩模版（ mask）：版圖完成后要交付給代工廠，將版圖圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上，就需要經(jīng)過(guò)一個(gè)重要的中間環(huán)節(jié) —— 制版，即制造一套分層的光刻掩膜版。外延層可以與沉底同一種材料，也可以不同。 5 常用工藝之二：光刻 ? 主要步驟 ? （ 1）在晶圓上涂一層光刻膠，并將掩膜版放在其上。 ? （ 4）去除光刻膠 塵埃粒子影響：潔凈室 接觸式和接近式曝光 掩膜 光刻膠 圖形轉(zhuǎn)移 圖形轉(zhuǎn)移 5 常用工藝之二：光刻 ?集成電路中每一層的制備都需要涂一層光刻膠，都需要一層掩膜版，也需要曝光、顯影以及刻蝕。兩個(gè)要素：高溫和濃度梯度。 擴(kuò)散和離子注入的對(duì)比 離子注入 注入損傷 ?注入損傷：帶有能量的離子進(jìn)入半導(dǎo)體襯底，經(jīng)過(guò)碰撞和損失能量，最后停留下來(lái)。 ?常用方法：氧化、物理氣相淀積和化學(xué)氣相淀積 8 常用工藝之五：薄膜制備 ?四種薄膜：氧化膜；電介質(zhì)膜；多晶硅膜；金屬膜 8 常用工藝之五：薄膜制備 ?（ 1）氧化 ? SiO2的作用 ?屏蔽雜質(zhì)、柵氧化層、介質(zhì)隔離、器件保護(hù)和表面鈍化 ? SiO2的制備 ?需要高純度，目前最常用的方法是熱氧化法。 ?金屬的淀積通常是物理的。 化學(xué)氣相淀積 ? CVD技術(shù)具有淀積溫度低、薄膜成分和厚度易于控制、均勻性和重復(fù)性好、臺(tái)階覆蓋優(yōu)良、適用范圍廣、設(shè)備簡(jiǎn)單等一系列優(yōu)點(diǎn)。 電阻 電阻 ?電阻值計(jì)算， xj為結(jié)深 ?當(dāng) W=L時(shí)， G=g ? 1/g用 R■ 表示，稱為方塊電阻，單位為歐姆，習(xí)慣上用 Ω/ ■ 表示。 ?下圖為采用場(chǎng)氧化層隔離技術(shù)制造的 NPN晶體管的截面圖，制作這種結(jié)構(gòu)晶體管的簡(jiǎn)要工藝流程如下所示： 。 電感 3 雙極集成電路制造流程 ?雙極集成電路最主要的應(yīng)用領(lǐng)域是模擬和超高速集成電路。 ?作用：外延層，二氧化硅膜，多晶硅膜，氮化硅膜 化學(xué)氣相淀積 ? CVD生長(zhǎng)的二氧化硅：用作金屬間的絕緣層，用于離子注入和擴(kuò)散的掩蔽層，也可用于增加熱氧化生長(zhǎng)的場(chǎng)氧化層的厚度 ?
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