silvacotcad工藝仿真-閱讀頁(yè)
2025-05-22 18:13本頁(yè)面
【正文】 ? 得到氧化層的辦法可以是擴(kuò)散（ diffuse）和淀積（ deposit） ,這節(jié)課稍微介紹哈 diffuse ? Diffuse做氧化 主要參數(shù)有： 擴(kuò)散步驟的參數(shù)， time,temperature, 擴(kuò)散氛圍的參數(shù)， dryo2|weto2|nitrogen|inert, , pressure,||||, 模型參數(shù)， ||,| 混雜參數(shù)， ,reflow 17:14 Silvaco學(xué)習(xí) 18 Diffuse做氧化的例子 17:14 Silvaco學(xué)習(xí) 19 Diffuse time=30 temp=1000 =10 Diffuse time=30 temp=1200 dryo2 氧化時(shí)間 30分鐘， 1200度，干氧。 go athena Line x loc= spac= Line x loc= spac= Line y loc= spac= Line y loc= spac= init Diffuse time=30 temp=1200 dryo2 tonyplot quit 干氧氧化的完整語(yǔ)法： 結(jié)果： 抽取特性 ? Deckbuild有內(nèi)建的抽取功能，在 ATHENA中某一步工藝之后抽?。翰牧虾穸?，結(jié)深，表面濃度，濃度分布，方塊電阻等特性 ? 由 QUICKMOS和 QUICKBIP可以得到一維時(shí)的器件特性，如閾值電壓、一維結(jié)電容等等。然后 EditAdd, 即彈出參數(shù)選擇面板 可改變參數(shù)掃描范圍 優(yōu)化目標(biāo)設(shè)置 17:14 29 Silvaco學(xué)習(xí) go athena Line x loc= spac= Line x loc= spac= Line y loc= spac= Line y loc= spac= init Diffuse time=30 temp=1200 dryo2 extract name=Tox thickness oxide \ =1 =0 tonyplot quit 框住待優(yōu)化的目標(biāo)（通常是 extract） 那一行，在 OptimizerMode框中選 擇 Targets。 本講回顧 ? 工藝仿真流程 建立仿真網(wǎng)格，仿真初始化，工藝步驟，抽取特性，結(jié)構(gòu)操作， Tonyplot顯示 ? 優(yōu)化 優(yōu)化設(shè)置，待優(yōu)化參數(shù)選擇，優(yōu)化目標(biāo) ? 工藝步驟 氧化（ diffuse） 17:14 31 Silvaco學(xué)習(xí) 下一講的安排 ? 主要介紹具體的工藝步驟（開枝散葉） ? 可能較多地關(guān)注刻蝕，光刻 ? 工藝仿真的答疑釋惑 17:14 32 Silvaco學(xué)習(xí) 謝謝！ 17:14 33 Silvaco學(xué)習(xí) 交流時(shí)間 17:14 34 Silvaco學(xué)習(xí)
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