silvacotcad工藝仿真(文件)
【正文】 ,||||, 模型參數(shù)， ||,| 混雜參數(shù)， ,reflow 17:14 Silvaco學(xué)習(xí) 18 Diffuse做氧化的例子 17:14 Silvaco學(xué)習(xí) 19 Diffuse time=30 temp=1000 =10 Diffuse time=30 temp=1200 dryo2 氧化時(shí)間 30分鐘， 1200度，干氧。它通過(guò)模擬取代了耗費(fèi)成本的硅片實(shí)驗(yàn)，可縮短開(kāi)發(fā)周期和提高成品率。Silvaco TCAD 工藝仿真（一） Tang shaohua, SCU 17:14 1 Silvaco學(xué)習(xí) EMail: ATHENA工藝仿真軟件 ? ATHENA 能幫助工藝開(kāi)發(fā)工程師開(kāi)發(fā)和優(yōu)化半導(dǎo)體制造工藝。 17:14 2 Silvaco學(xué)習(xí) 工藝仿真模塊 ATHENA工藝仿真軟件 SSuprem4二維硅工藝仿真器 MC蒙托卡諾注入仿真器 硅化物模塊的功能 精英淀積和刻蝕仿真器 蒙托卡諾沉積刻蝕仿真器 先進(jìn)的閃存材料工藝仿真器 光電印刷仿真器 DeckBuild 集成環(huán)境 17:14 3 Silvaco學(xué)習(xí) ATHENA工藝仿真軟件 ? 所有關(guān)鍵制造步驟的快速精確的模擬，包括CMOS， bipolar， SiGe， SOI， IIIV，光電子學(xué)以及功率器件技術(shù) ? 精確預(yù)測(cè)器件結(jié)構(gòu)中的幾何結(jié)構(gòu)，摻雜劑量分配，和應(yīng)力 ? 有助于 IDMs，芯片生產(chǎn)廠商以及設(shè)計(jì)公司優(yōu)化半導(dǎo)體工藝，達(dá)到速度、產(chǎn)量、擊穿、泄漏電流和可靠性的最佳結(jié)合 17:14 4 Silvaco學(xué)習(xí) ATHENA工藝仿真軟件 ? 分析和優(yōu)化標(biāo)準(zhǔn)的和最新的隔離流程，包括 LOCOS， SWAMI，以及深窄溝的隔離 ? 在器件制造的不同階段分析先進(jìn)的離子注入方法 —— 超淺結(jié)注入，高角度注入和為深阱構(gòu)成的高能量注入 ? 支持多層次雜質(zhì)擴(kuò)散，以精確預(yù)測(cè)襯底與鄰近材料表面的雜質(zhì)行為 17:14 5 Silvaco學(xué)習(xí) ATHENA工藝仿真軟件 ? 考慮多重?cái)U(kuò)散影響，包括瞬態(tài)增強(qiáng)的擴(kuò)散，氧化 /硅化加強(qiáng)的擴(kuò)散，瞬態(tài)激活作用，點(diǎn)缺陷和簇群構(gòu)造以及材料界面的再結(jié)合，雜質(zhì)分離，和傳輸 ? 精確地對(duì)幾何刻蝕和共形淀積，以及個(gè)別結(jié)構(gòu)和網(wǎng)格處理技術(shù)建模，用以允許進(jìn)行多器件幾何結(jié)構(gòu)的模擬和分析。 氧化時(shí)間 30分鐘， 1000度，氧氣流速 10sccm。然后 EditAdd 即彈出優(yōu)化目標(biāo)（ Tox）的面板，將 目標(biāo)設(shè)置設(shè)置為 2022 優(yōu)化進(jìn)行時(shí) 17:14 30 Silvaco學(xué)習(xí) 當(dāng)待優(yōu)化的參數(shù)，優(yōu)化的目標(biāo)設(shè)置好后，在 OptimizerMode 框中選擇 Results，然后點(diǎn)右側(cè)的 Opt
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