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igbt模塊認(rèn)證測試規(guī)范方案v20-閱讀頁

2025-05-18 01:47本頁面
  

【正文】 附表4. Ices和IR及絕緣數(shù)據(jù)記錄表。2℃)環(huán)境下,模塊在室溫環(huán)境穩(wěn)定后保持12小時,在室溫(25℃177。記錄測試過程的最大漏電流,具體數(shù)據(jù)記錄格式請參見附表4. Ices和IR及絕緣數(shù)據(jù)記錄表。2%測試電壓。l 在如果功率模塊集成了整流、逆變單元,整流模塊絕緣測試和逆變模塊絕緣測試可以合并進行,但注意另外把IGBT的門極端子全部短接好,在主端子和基板之間施加測試電壓。評判模塊晶體管電特性是否符合產(chǎn)品設(shè)計要求,確認(rèn)模塊晶體管電特性與廠商宣稱規(guī)格一致性。如模塊正常,則維持溫度不變?nèi)缓蠓謩e進行規(guī)范“ Ices和IR測試”中高溫85℃時的Ices/IR測試,和“”中高溫85℃時的絕緣耐壓測試,并記錄測試過程中的最大漏電流,具體數(shù)據(jù)記錄格式請參見附表4. Ices和IR及絕緣數(shù)據(jù)記錄表。測試過程中需要注意以下事項:l 測試所用電源誤差在177。l 測試多管IGBT時,必須同時將每個管子的門極端子獨立短路。須在測試樣品旁邊放高壓警示,避免旁人靠近測試樣品。l 高溫電應(yīng)力老化測試須包括模塊中所有晶元。l 高溫(85℃)環(huán)境下,測試電壓為額定Vces/VRRM時,漏電流≤額定常溫Ices/IR。對IGBT模塊施加溫度老化應(yīng)力,確認(rèn)IGBT模塊各項性能指標(biāo)在老化試驗前后一致性。2℃)模塊測試后,將模塊放到溫度沖擊箱中,進行40℃—120℃溫度沖擊測試。溫度沖擊循環(huán)測試結(jié)束后,將模塊在室溫(25℃177。和附表4. Ices和IR及絕緣數(shù)據(jù)記錄表。l 室溫環(huán)境下:測試電壓為額定Vces/VRRM時,漏電流≤額定常溫Ices/IR;l 室溫環(huán)境下:測試電壓為額定VISO時,漏電流≤2mA。 NTC熱敏電阻特性測試評判模塊NTC熱敏電阻特性是否符合產(chǎn)品設(shè)計要求,確認(rèn)模塊NTC熱敏電阻特性與廠商宣稱規(guī)格一致性。在室溫(25℃177。然后使溫變濕熱箱按下表中給定的溫度依次運行,每個溫度段運行時間不低于30分鐘。l IGBT溫度功能碼顯示值與溫變濕熱箱給定的溫度在177。l 測試過程中模塊功能正常。2℃)環(huán)境下,將IGBT模塊裝配在相應(yīng)功率等級的變頻器上測量IGBT門極引腳處的電壓波形。 圖3 使用帶短地線的探頭帽 圖4 使用同軸轉(zhuǎn)接頭自制的小工具利用示波器截取(在電流突變時,如限流時)1個SPWM周期和3~5個開關(guān)周期的波形,看是否有異常。然后在變頻器正常運行載頻為缺省載頻時,分別測試負(fù)載為電機空載、滿載以及限流狀態(tài)下的門極驅(qū)動電壓和驅(qū)動電流波形(包括開通和關(guān)斷波形)并記錄;并測試變頻器在輸出相間及相對地短路狀態(tài)下的門極驅(qū)動電壓波形()。l 為了盡量減小由于示波器各通道之間相互耦合造成測試波形失真的影響,六橋驅(qū)動波形單獨抓取。即一個通道用普通探頭測量,另一個通道用高壓差分探頭測量,并且注意把有源差分探頭的電源隔離或?qū)⒉罘痔筋^的電源適配器的地線端去掉,否則可能會燒壞差分探頭。每種運行狀態(tài)下,分以下兩種情況記錄波形:IGBT通過電流時的開通關(guān)斷波形和續(xù)流二極管通過電流時的開通關(guān)斷波形。l 開通波形平滑無震蕩,或有少許震蕩,但震蕩峰值電壓小于 +20V。85℃黃色:驅(qū)動電壓波形綠色:驅(qū)動電流波85℃圖5 IGBT開通驅(qū)動波形示例l 關(guān)斷波形平滑無震蕩,或有少許震蕩,但震蕩峰值電壓大于 20V。黃色:驅(qū)動電壓波形綠色:驅(qū)動電流波形120℃圖6 IGBT關(guān)斷驅(qū)動波形示例在室溫(25℃177。測量變頻器在正常運行時載頻為缺省載頻,負(fù)載分別為電機空載、滿載、限流狀態(tài)下的IGBT開通、關(guān)斷時間,并記錄測量值。l 如果同時測量上下橋驅(qū)動電壓波形,必須使兩個測量通道之間相隔離。l 抓取波形時,示波器橫軸時間軸設(shè)為1μS/div, 縱軸幅值軸設(shè)為5V/div。圖7所示。圖8所示。2℃)環(huán)境下,將IGBT模塊裝配在相應(yīng)功率等級的變頻器上測量IGBT開通、關(guān)斷驅(qū)動電壓幅值測試可以在IGBT驅(qū)動波形測試的過程中進行,記錄波形的Top與Base,即為IGBT開通驅(qū)動電壓幅值與關(guān)斷驅(qū)動電壓幅值。測試過程中需要注意以下事項:l 用示波器測量波形時,要使探棒回路面積盡量小。l 抓取波形時,示波器橫軸時間軸設(shè)為1uS/div,縱軸幅值軸設(shè)為5V/div。在室溫(25℃177。上下橋死區(qū)時間定義為:從上橋(下橋)IGBT柵射極驅(qū)動電壓降至0V到下橋(上橋)IGBT柵射極驅(qū)動電壓升至0V的時間,如圖9所示:圖9 IGBT死區(qū)時間定義示例用示波器同時測量同相的上下橋驅(qū)動電壓波形,在抓取的波形上用示波器的游標(biāo)測量功能測量死區(qū)時間。測試過程中需要注意以下事項:l 測量上下橋驅(qū)動波形的死區(qū)時間,必須使兩個測量通道之間相隔離。l 用示波器測量波形時,要使探棒回路面積盡量小。l 220V、380V電壓等級變頻器的上下橋死區(qū)時間≥ μS或符合設(shè)計參數(shù)為合格。l 1140V電壓等級變頻器的上下橋死區(qū)時間≥。驗證IGBT輸出特性,在突變載的情況下輸出特性是否正常,與我們現(xiàn)有的變頻器系統(tǒng)是否匹配。在室溫(25℃177。要求電機功率匹配。上述4個測試項目每個項目間需間隔5分鐘,且每個項目測試不低于10次。l 測試時選擇與變頻器匹配的電機,或大一檔的電機。l 沒有匹配電機時,使用電感進行測試,具體操作方法:“變頻器輸出頻率設(shè)定為10HZ,速度方式為V/F模式,加速時間設(shè)定為3S,減速時間設(shè)定為0,輸出電壓從50V開始每次5V遞加,增加至變頻器過載”。l 測試過程,IGBT模塊功能性正常,不炸機。驗證多個IGBT模塊并聯(lián)使用情況下,并聯(lián)IGBT模塊工作電流均衡性是否符合產(chǎn)品設(shè)計要求。對于并聯(lián)使用模塊的機型,完成“”及“”后,在室溫(25℃177。測試過程中需要注意以下事項:l 測量時要使用相同型號的電流采樣設(shè)備(不同型號會導(dǎo)致采樣波形相位不一致)??蛰d時均流波形(兩模塊并聯(lián))圖10 空載均流波形限流時均流波形(兩模塊并聯(lián))圖11 限流均流波形l 并聯(lián)模塊輸出電流相位一致。3%(平均均方根值)。在室溫(25℃177。使用特制的短路測試工裝,小短路測試工裝規(guī)定導(dǎo)線長度1 米,導(dǎo)線截面積25mm2,適用30KW 以下變頻器的短路測試;大短路測試工裝規(guī)定導(dǎo)線長度1 米,導(dǎo)線截面積185mm2,適用37KW 以上變頻器的短路測試。測試中注意判別所測量的Vce 電壓是否正確,正確的IGBT發(fā)生短路關(guān)斷時的電壓波形應(yīng)如下圖中的綠色或紫色波形,在IGBT關(guān)斷時(電流開始下降時)Vce應(yīng)有明顯的沖高過程。圖14 短路Vge波形短路測試中,注意短路Vce電壓波形,短路過程中如果流過IGBT的電流足夠大時,會使IGBT進入主動工作區(qū),這種狀態(tài)下IGBT的Ic電流完全飽和,即短路電流不會隨短路時間的增加而繼續(xù)上升。如圖1516所示:合格:IGBT進入主動工作區(qū)后,上下橋的Vce電壓相差<100V。圖中:黃色電流,綠色粉色Vce電壓,紫色故障信號圖16 IGBT進入主動區(qū)的短路Vce波形短路測試應(yīng)包括三相輸出兩兩之間的相間短路以及每相對地短路。測試過程中需要注意以下事項:l 短路測試時,變頻器有可能會炸機,需要使用防護罩將測試樣機隔離,人不要離變頻器太近。l 短路試驗時,使用示波器的通道比較多,而現(xiàn)有示波器通道多數(shù)為共地模式,要防止各信號通道間的相互干擾。l 短路電流上升時間≤10μS(相間短路);且短路電流峰值Isc≤K*(VgeVth)2,方為合格。l +△U≤,否則不合格。l IGBT在主動工作區(qū)域內(nèi)工作時,短路電流流過的上下橋Vce相差小于300V為合格,否則不合格。在室溫(25℃177。IGBT模塊溫度點選取如圖1821所示:選在離晶圓垂直距離最近的基板邊緣。測試點溫度不在上升后(一般需1個小時),繼續(xù)維持此條件運行30分鐘以上,然后記錄各個測試點溫升數(shù)值。l 替代器件最高溫升點≤原器件最高溫升點 + 5℃。在默認(rèn)載頻,帶額定負(fù)載,溫度穩(wěn)定后,測量模塊基板邊緣的溫升。150%周期性過載測試步驟:對于15KW以下的變頻器用對托電機加載,按下述方法進行過載溫升測試;l 為保證輸出轉(zhuǎn)矩穩(wěn)定,待測變頻器設(shè)定為矢量運行(開環(huán)或閉環(huán));l 加載用的變頻器設(shè)定為閉環(huán)矢量運行,運行頻率設(shè)為0Hz,轉(zhuǎn)矩上限設(shè)定方式選擇為模擬量給定(AI1或AI2),由信號發(fā)生器給定;l 設(shè)定信號發(fā)生器,選定方波輸出,根據(jù)待測變頻器的輸出電流,調(diào)節(jié)最大值、最小值、周期為300S(5mins),占空比設(shè)定為20%。l 計算續(xù)流二極管的損耗::二極管損耗、:二極管通態(tài)特性曲線:, 是橫坐標(biāo)交點,是直線斜率、定義同上、:規(guī)格書中注明二極管的特定測試條件下。l 、<75%最高允許結(jié)溫。數(shù)據(jù)記錄表格格式請參見各測試項目所要求表格格式。具體報告格式請參見IGBT認(rèn)證測試報告模板。應(yīng)用產(chǎn)品測試是否合格。您好,歡迎您閱讀我的文章,本W(wǎng)ORD文檔可編輯修改,也可以直接打印。閱讀和學(xué)習(xí)是一種非常好的習(xí)慣,堅持下去,讓我們共同進步。閱讀過后,希望您提出保貴的意見或建議。
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