【正文】 閱讀和學習是一種非常好的習慣，堅持下去，讓我們共同進步。您好，歡迎您閱讀我的文章，本W(wǎng)ORD文檔可編輯修改，也可以直接打印。閱讀過后，希望您提出保貴的意見或建議。因替代測試時存在這樣的問題：在現(xiàn)有機型上是否可應用？可應用的情況下，存在是局部替代還是完全替代(替代時需要調(diào)整系統(tǒng)參數(shù)且原模塊不能兼容的屬于局部替代；完全不用改動或改動后原模塊也可兼容的屬于完全替代) ？另外需注明，在哪些機型上屬于局部替代？哪些機型上屬于完全替代？完全不能替代的情況為應用產(chǎn)品測試不合格。能否替代的測試結(jié)論得出時，需分別說明：器件測試是否合格(符合規(guī)格書標準即合格)。為確保測試報告一致性及規(guī)范性，IGBT測試報告應按照規(guī)定格式生成。8. 數(shù)據(jù)記錄及報告格式測試過程中每個測試點要依據(jù)測試數(shù)據(jù)記錄表格指定格式填寫，記錄完畢后應由測試人員歸檔保存作為測試數(shù)據(jù)原始記錄，以便后期確認原始測試結(jié)果及產(chǎn)品失效分析的依據(jù)。l 計算IGBT、續(xù)流二極管的結(jié)溫、和、：(：最高環(huán)境溫度)計算出的結(jié)溫滿足以下條件方為合格l 、＜70%最高允許結(jié)溫。如圖21所示：圖22 信號發(fā)生器輸入脈沖波形圖22為待測變頻器周期性過載時的輸出電流波形：圖23 過載電流波形對于15KW以上的變頻器用勵磁電機或電感，按下述方法進行過載時的溫升測試：l 在默認載頻，帶額定負載，溫度穩(wěn)定后，測量模塊基板邊緣的溫升；l 在上述基礎上，變頻器不停機：若帶勵磁電機，緩慢調(diào)節(jié)勵磁電流，使輸出電流在120%變頻器額定電流，持續(xù)10mins；然后再增大勵磁電流（調(diào)節(jié)時間在25S內(nèi)，防止變頻器跳OC），使輸出電流在150%變頻器額定電流，持續(xù)30S，記錄此時模塊基板邊緣的最大溫升；（備注：整個過程中不能出現(xiàn)停機）l 在第一步基礎上，若帶電感，采用VF控制方式，調(diào)節(jié)電機額定電壓和電機額定頻率，使輸出電流在120%變頻器額定電流，持續(xù)10mins；然后急停機，調(diào)節(jié)電機額定電壓或電機額定頻率（時間盡可能短）使輸出電流在150%變頻器額定電流，記錄此時模塊基板邊緣的最大溫升；l 計算IGBT的損耗：：IGBT損耗：導通損耗：開關損耗、： IGBT輸出特性曲線，近似為一條直線，是橫坐標交點，是直線斜率：輸出電流峰值：調(diào)制比(輸出電壓峰值除以母線電壓，兩象限變頻器近似為1)：輸出功率因數(shù)：開關頻率：規(guī)格書中注明IGBT在特定測試條件下，IGBT每次開通的損耗：規(guī)格書中注明IGBT在特定測試條件下，IGBT每次關斷的損耗：規(guī)格書中注明的特定測試條件，電流值： 變頻器的母線電壓：規(guī)格書中注明的特定條件，電壓。在默認載頻， 150%周期性過載 (根據(jù)變頻器過載能力選擇)情況下，溫度穩(wěn)定后，測量模塊基板邊緣的最大溫升 (近似為IGBT或二極管底部殼溫升)。 IGBT晶元結(jié)溫測試 檢驗模塊內(nèi)部IGBT、續(xù)流二極管結(jié)溫在額定負載以及過載的條件下是否滿足降額要求。溫升測試需要同時滿足以下條件方為合格l IGBT模塊所有測試點溫升值≤40℃，且IGBT計算結(jié)溫小于廠商規(guī)格。圖18單橋臂整流模塊測試點布置圖19 PIM模塊測試點布置圖20 單橋臂IGBT模塊測試點布置圖21 溫度檢測點的測試點布置分別按照G/P型變頻器默認載頻滿載運行，在測試過程中要維持電流滿載，風道水平，保證機器風扇都正常工作及風道暢通。2℃）環(huán)境下，將IGBT模塊裝配在相應功率等級的變頻器上測量IGBT模塊在滿載工況下的溫升。l 短路測試Vge電壓須符合：20V≤Vge≤+20V注：短路電流上升時間是指從短路電流開始上升到IGBT開始保護關斷的時間，具體示例如圖17所示：圖17 IGBT短路時間示例檢驗模塊內(nèi)部集成溫度檢查電路設計是否合理，驗證模塊在滿載下是否滿足熱應力降額要求。式中U= 變頻器的額定母線電壓；△U= Vce峰值實驗中的變頻器母線電壓值；Vces= IGBT數(shù)據(jù)表給出的參數(shù)。式中K為常數(shù)，可根據(jù)模塊規(guī)格書中Isc測試條件(Vge、Vth取最大值)計算得出；Vge為實測短路門極驅(qū)動電壓Max值；Vth為實測IGBT晶元閾值電壓Max值。建議測試設備電源隔離處理。l 測量短路電流上升時間時，IGBT保護關斷是以短路電流下降為依據(jù)的，但應注意區(qū)分模塊短路自限流功能造成的短路電流下降、IGBT保護關斷造成的短路電流下降及IGBT在保護關斷之前恰碰到窄脈沖關斷造成的短路電流下降。每次短路測試至少進行5次，測量并記錄短路電流的最大值以及短路電流上升時間等。圖中：黃色電流，綠色粉色Vce電壓，紫色故障信號圖15 IGBT進入主動區(qū)的短路Vce波形不合格：IGBT進入主動工作區(qū)后，上下橋的Vce電壓相差＞400V。在主動工作區(qū)時短路Vce滿足： Vce(上橋)+Vce(下橋)=VPN(母線)在上式關系下，如果IGBT晶元本身性能及IGBT封裝工藝相差不大的情況下，在理論上可等效為：Vce(上橋)=Vce(下橋)=1/2VPN(母線)。短路Vce波形如圖1213：(黃色短路電流，紫色綠色短路Vce電壓，粉色故障信號)圖12 短路Vce波形圖13 短路Vce波形短路測試中，測量流過短路電流的IGBT(上橋或下橋)門極驅(qū)動電壓波形，并記錄最大值，注意觀察因短路導致門極驅(qū)動電壓抬升的幅度，如圖14所示：短路門極驅(qū)動電壓波形：(黃色短路電流，綠色短路Vce，紫色短路門極驅(qū)動電壓)相間短路時，門極驅(qū)動電壓被明顯抬升，抬升幅度3V左右, Vge(max) +20V。短路測試中，測量流過短路電流的上橋和下橋IGBT集射極電壓（Vce），并記錄最大峰值，計算△U=Vce峰值 實驗中的變頻器的母線電壓值。2℃）環(huán)境下，將IGBT模塊裝配在相應功率等級的變頻器上。驗證IGBT模塊在輸出短路情況下，模塊是否可以承受廠商宣稱的電流應力以及是否可以及時保護。l 同相并聯(lián)模塊，每個模塊輸出電流均方根值差值≤177。l 均流測試要求被測電路對稱，在電路不對稱情況下，測試數(shù)據(jù)只能做參考使用。2℃）環(huán)境下，按照模塊適配機型的最大功率且默認載頻運行，分別在負載電機或電感空載、滿載、限流的工況下，同時測量同相每個并聯(lián)模塊的輸出電流有效值(均方根值)，及輸出總電流，每個均流測試不低于5次，并記錄測試數(shù)據(jù)及均流波形，如圖1011。注：非并聯(lián)使用模塊的機型不需測試此項。l 測試過程，變頻器不誤報除過載以外的故障(如：OUT、OC)。這種狀況下，只需測試“變頻器恒速時過載”即可。l 測試時注意查看電流變化，如果振蕩嚴重應立即切斷變頻器電源，防止炸機。測試過程要注意以下事項：l 測試前要保證變頻器輸出三相平衡，且變頻器檢測到的電流符合標準。測試包括，在變頻器恒速時，直接加載至限流水平，維持這種狀態(tài)至變頻器跳過載故障；在變頻器加速過程中，直接加載至限流水平，維持這種狀態(tài)至變頻器跳過載故障；在變頻器減速過程中，直接加載至限流水平，維持這種狀態(tài)至變頻器跳過載故障；在電機空載且轉(zhuǎn)速超過1000rpm時，使用直接啟動方式啟動變頻器，維持這種狀態(tài)至變頻器跳過載故障或繼續(xù)加速運行。2℃）環(huán)境下，將IGBT模塊裝配在相應功率等級的變頻器上，選擇V/F模塊，進行突變載測試，測試在變頻器缺省參數(shù)時進行。注：無限流功能的機型不需測試此項。l 高壓變頻器上下橋死區(qū)時間≥ μS或符合設計參數(shù)為合格。l 660V電壓等級變頻器的上下橋死區(qū)時間≥ μS或符合設計參數(shù)為合格。l 抓取波形時，示波器橫軸時間軸設為500nS/div, 縱軸幅值軸設為10V/div。即一個通道用普通探頭測量，另一個通道用高壓差分探頭測量，并且注意把有源差分探頭的電源隔離或?qū)⒉罘痔筋^的電源適配器的地線端去掉，否則可能會燒壞差分探頭。測試變頻器在正常運行時，載頻為缺省載頻，負載分別為電機空載、滿載、限流狀態(tài)下IGBT上下橋死區(qū)時間，并記錄測量值。2℃）環(huán)境下，將IGBT模塊裝配在相應功率等級的變頻器上測量IGBT開通、關斷驅(qū)動波形死區(qū)時間。l ≤ Top ≤ V 、12V≤ Base ≤0V或符合設計參數(shù)。l 如果同時測量上下橋驅(qū)動電壓幅值，必須使兩個測量通道之間相隔離。測量變頻器在正常運行時載頻為缺省載頻，負載分別為電機空載、滿載、限流狀態(tài)下的IGBT開通、關斷驅(qū)動電壓幅值，并記錄測量值。關斷時間1μS符合要求圖8 IGBT關斷波形下降時間在室溫（25℃177。圖7 IGBT開通波形上升時間l ≤關斷時間≤。l ≤開通時間≤ 或符合設計參數(shù)。即一個通道用普通探頭測量，另一個通道用高壓差分探頭測量，并且注意把有源差分探頭的電源隔離或?qū)⒉罘痔筋^的電源適配器的地線端去掉，否則可能會燒壞差分探頭。測試過程中需要注意以下事項：l 用示波器測量波形時，要使探棒回路面積盡量小。2℃）環(huán)境下，將IGBT模塊裝配在相應功率等級的變頻器上測量IGBT開通、關斷時間測試可以在IGBT驅(qū)動波形測試的過程中進行，記錄波形的Rise time與Fall time，即為IGBT開通與關斷時間。如圖6所示：不合格：，小于20V限值。如圖5所示：合格：，小于+20V限值。l