【正文】 在對廢棄的酸洗溶液和處理石灰乳液時(shí)產(chǎn)生的污水進(jìn)行混勻時(shí)發(fā)生的礦物酸中和伴隨著下列方應(yīng)： OHN a N OH N ON a O H 233 ??? OHC a FOHCaHF 222 2)(2 ??? OHNOCaOHCaH N O 22323 2)()(2 ??? OHC a S OOHCaSOH 24242 2)( ??? 工藝流程及產(chǎn)污分析 氫氣制備與凈化工序 在電解槽內(nèi)經(jīng)電解脫鹽水制得氫氣。除氧后的氫氣通過一組吸附干燥器而被干燥。 電解制得的氧氣經(jīng)冷卻、分離液體后，送入氧氣貯罐。 三氯氫硅合成工序 原料硅粉經(jīng)吊運(yùn)，通過硅粉下料斗而被卸入硅粉接收料斗。供應(yīng)料斗內(nèi)的硅粉用安裝于料斗底部的星型供料機(jī)送入三氯氫硅合成爐進(jìn)料管。 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書 反應(yīng)大量放熱。 出合成爐頂部挾帶有硅粉的合成氣，經(jīng)三級旋風(fēng)除塵器組成的干法除塵系統(tǒng)除去部分硅粉后，送入濕法除塵系統(tǒng)，被四氯化硅液體洗滌，氣體中的部分細(xì)小硅塵被洗下；洗滌同時(shí)，通入濕氫氣與氣體接觸，氣體所含部分金屬氧化物發(fā)生水解而被除去。 合成氣干法分離工序 從三氯氫硅氫合成工序來的合成氣在此工序被分離成氯硅烷液體、氫氣和氯化氫氣體，分別循環(huán)回裝置使用。氣體中的大部份氯硅烷被冷凝并混入洗滌液中。 出噴淋洗滌塔塔頂除去了大部分氯硅烷的氣體，用混合氣壓縮機(jī)壓縮并經(jīng)冷凍降溫后，送入氯化氫吸收塔，被從氯化氫解析塔底部送來 的經(jīng)冷凍降溫的氯硅烷液體洗滌，氣體中絕大部分的氯化氫被氯硅烷吸收，氣體中殘留的大部分氯硅烷也被洗滌冷凝下來。氫氣流經(jīng)氫氣緩沖罐，然后返回氯化氫合成工序參與合成氯化氫的反應(yīng)。 出氯化氫吸收塔底溶解有氯化氫氣體的氯硅烷經(jīng)加熱后，與從噴淋洗滌塔底來的多余的氯硅烷匯合，然后送入氯化氫解析塔中部，通過減壓蒸餾操作，在塔頂?shù)玫教峒兊穆然瘹錃怏w。 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書 原料氯硅烷液體、還原氯硅烷液體和氫化氯硅烷液體分別用泵抽出，送入氯硅烷分離提純工序的不同精餾塔中。塔頂排出不凝氣體和部分二氯二氫硅，送往廢氣處理工序進(jìn)行處理；塔頂餾出液為含有低沸點(diǎn)和高沸點(diǎn)雜質(zhì)的三氯氫硅冷凝液，依靠壓差送入 2 級精餾塔；塔釜得到含雜質(zhì)的四氯化硅，用泵送四氯化硅回收塔進(jìn)行處理。 2 級精餾為雙系列生產(chǎn)線。 3 級精餾目的是脫除三氯氫硅中的低沸點(diǎn)雜質(zhì)。塔頂餾出含有二氯硅烷和三氯氫硅的冷凝液，靠位差流至二級三氯氫硅槽；塔底釜液為三氯氫硅，用泵送入 4 級精餾塔。 3 級釜液送入 4級精餾塔中部。 5 級塔頂餾出的三氯氫硅冷凝液送入五級冷凝液槽，一個(gè)貯槽注滿后分析三氯氫硅是否符合工業(yè)級三氯氫硅對雜質(zhì)含量的要求，在分析有效的情況下，工業(yè)級精制的三氯氫硅從貯槽靠位差流至 8 級精餾塔。 從 5 級塔頂餾出的三氯氫硅，在 6 級精餾塔進(jìn)行最終脫除三氯氫硅中的高沸點(diǎn)雜質(zhì)的過程。塔底釜液為含高沸樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書 還原氯硅烷冷凝液經(jīng) 7 級進(jìn)料預(yù)熱器進(jìn)入 7 級精餾塔。 8 級精餾塔用于還原氯硅烷中高沸點(diǎn)雜質(zhì)的脫除。塔底釜液是含有高沸點(diǎn)餾份 的三氯氫硅，用泵送至二級三氯氫硅槽。塔頂?shù)酿s出物是三氯氫硅，連續(xù)送往 10 級精餾塔，進(jìn)行進(jìn)一步精餾。 9 級精餾塔塔頂餾出的三氯氫硅在 10 級精餾塔中脫除高沸點(diǎn)雜質(zhì)。塔底釜液是含有高沸點(diǎn)餾份的三氯氫硅，用泵送至二級三氯氫硅槽。塔頂餾出物是精制的循環(huán)四氯化硅，經(jīng)分析符合質(zhì)量要求后，用泵送去四氯化硅加氫工序。 三氯氫硅氫還原工序 經(jīng)氯硅烷分離提純工序精制的三氯氫硅，送入本工序的三氯氫硅汽化器，被熱水加熱汽化；從還原尾氣干法分離工序返回的循環(huán)氫氣流經(jīng)氫氣緩沖罐后，也通入汽化器內(nèi)，與三氯氫硅蒸汽形成一定比例的混合氣體。在還原爐內(nèi)通電的熾熱硅芯 /硅棒的表面，三氯氫硅發(fā)生氫還原反應(yīng)，生成硅 沉積下來，使硅芯 /硅棒的直徑逐漸變大，直至達(dá)到規(guī)定的尺寸。 還原爐爐筒夾套通入熱水，以移除爐內(nèi)熾熱硅芯向爐筒內(nèi)壁輻射的熱量，維樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書 出爐筒夾套的高溫?zé)崴屯鶡崮芑厥展ば颍?jīng)廢熱鍋爐生產(chǎn)水蒸汽而降溫后，循環(huán)回本工序各還原爐夾套使用。 還原尾氣干法分離的原理和流程與三氯氫硅合成氣干法分離工序十分類似。 四氯化硅氫化工序 經(jīng)氯硅烷分離提純工序精制的四氯化硅，送入本工序的四氯化硅汽化器，被熱水加熱汽化。 從四氯化硅汽化器來的四氯化硅與氫氣的混合氣體，送入氫化爐內(nèi)。出氫化爐的含有三氯氫硅、氯化氫和未反應(yīng)的四氯化硅、氫氣的混合氣體，送往氫化氣干法分離工序。出爐筒夾套的高溫?zé)崴屯鶡崮芑厥展ば?，?jīng)廢熱鍋爐生產(chǎn)水蒸汽而降溫后，循環(huán)回本工序各氫化爐夾套使用。 氫化氣干法分離的原理和流程與三氯氫硅合成氣干法分離工序十分類似。 簡本 國家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 26 變溫變壓吸附器出口得到的高純度氫氣，流經(jīng)氫氣緩沖罐后，返回四氯化硅氫化工序參與四氯化硅的氫化反應(yīng)；吸附再生的廢氣送往廢氣處理工序進(jìn)行處理；從氯化氫解析塔頂部 得到提純的氯化氫氣體，送往放置于三氯氫硅合成工序的循環(huán)氯化氫緩沖罐；從氯化氫解析塔底部引出的多余的氯硅烷液體（即從氫化氣中分離出的氯硅烷），送入氯硅烷貯存工序的氫化氯硅烷貯槽。 從合成氣干法分離工序、還原尾氣干法分離工序、氫化氣干法分離工序分離得到的氯硅烷液體，分別送入原料、還原、氫化氯硅烷貯槽，然后氯硅烷液體分別作為原料送至氯硅烷分離提純工序 的不同精餾塔。 硅芯制備工序 采用區(qū)熔爐拉制與切割并用的技術(shù)，加工制備還原爐初始生產(chǎn)時(shí)需安裝于爐內(nèi)的導(dǎo)電硅芯。酸腐蝕處理過程中會有氟化氫和氮氧化物氣體逸出至空氣中，故用風(fēng)機(jī)通過 罩于酸腐蝕處理槽上方的風(fēng)罩抽吸含氟化氫和氮氧化物的空氣，然后將該氣體送往吸附裝置進(jìn)行處理，達(dá)標(biāo)排放。用氫氟酸和硝酸對塊狀多晶硅進(jìn)行腐蝕處理，再用超純水洗凈多晶硅塊，然后對多晶硅塊進(jìn)行干燥。經(jīng)檢測達(dá)到規(guī)定的質(zhì)量指標(biāo)的塊狀多晶硅產(chǎn)品送去包裝。 簡本 國家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 27 廢氣和殘液處理工序 A．廢氣凈化 氯硅烷分離提純工序各精餾塔頂排放的含氯硅烷、氮?dú)獾膹U氣，及含氯硅烷、氫氣、氮?dú)?、氯化氫的多晶硅還原爐置換吹掃氣和多晶硅還原爐事故排放氣等，被送進(jìn)尾氣洗滌塔 (此塔一開一備 )，用 10%NaOH 溶液洗滌，廢氣中的氯硅烷（以SiHCl3 為例）和氯化氫與 NaOH 發(fā)生以下反應(yīng)而被除去： SiHCl3+3H2O=H2SiO3+3HCl+H2 H2SiO3+2NaOH=Na2SiO3+ 2H2O HCl+NaOH=NaCl+H2O 廢氣經(jīng)液封罐放空。 B．殘液處理 從氯硅烷分離提純工序中排除的殘液主要含有四氯化硅和聚氯硅烷化合物的液體以及裝置停車放凈的氯硅烷液體送到本工序加以處理。然后用氮?dú)鈱⒁后w壓出，送進(jìn)灌注有10%堿液的殘液處理槽。 從槽頂逸出的氣體，引入尾氣處理塔。 工 藝廢料處理工序 A．Ⅰ類廢液處理 來自氯化氫合成工序的廢酸、液氯汽化工序的廢堿、廢氣殘液處理工序和廢硅粉處理的廢液等在此工序進(jìn)行混合、中和后，經(jīng)過壓濾機(jī)過濾。濾液主要為 NaCL 溶液，進(jìn)行蒸發(fā)、濃縮和結(jié)晶。 B．Ⅱ類廢液處理 來自硅芯制備工序和產(chǎn)品整理工序的廢氫氟酸和廢硝酸，用堿液中和，生成的氟化鈉和硝酸鈉溶液，進(jìn)行蒸發(fā)、濃縮和結(jié)晶。 簡本 國家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 28 NaOH 溶液），結(jié)晶固體氟化鈉和硝酸鈉等 外售或填埋。 多晶硅項(xiàng)目有組織廢氣污染源狀況見表 261。其中生產(chǎn)、生活污水經(jīng) 處理后排放，假定清凈下水直接排放 ； 主要廢水污染物為 SS、 COD、鹽等 。 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書 多晶硅裝置 固體廢物排放狀況 見表 263。 簡本 國家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 30 表 263（ a） 固體廢物排放狀況 裝置名稱 序號 固廢來源及名稱 組成及特 性數(shù)據(jù) 排放 規(guī)律 排放量 排放方式 及去向 多 晶 硅 1 廢硅粉 Si 間斷 200t/a 送渣場堆存 2 廢石渣及污泥 主要成分： CaF2 含水 80% 間斷 2310t/a 壓濾后送渣場堆存 表 263(b) 固體廢物排放狀況 裝置 名稱 序號 排放源 廢 液 名稱 產(chǎn)生 量 (t/h) 污染物組成 (wt) 排放特性 排放方式 及去向 溫度 (℃ ) 壓力 (Pa) 規(guī)律 多晶硅 1 提純工序 精餾殘液 466 含氯硅烷 常溫 常壓 連續(xù) NaOH 中和后送工藝廢料處理工序(Ⅰ 類廢液 ) 2 廢氣處理工序 尾氣淋洗塔 洗滌液 SiO2 ％ NaCl ％ H2O ％ 常溫 常壓 連續(xù) 送工藝廢料處理工序 (Ⅰ 類廢液 ) 3 產(chǎn)品后處理和硅 芯制備工序 酸洗廢酸 1270t/a HF 10% HNO3 90% 常溫 常壓 間斷 石灰乳中和后送工藝廢料處理工序 (Ⅱ 類廢液 ) 噪聲 主要產(chǎn)噪設(shè)備為機(jī)泵、壓縮機(jī)和放空管 ，均采用了消聲、隔聲等措施。 表 264 噪聲產(chǎn)生狀況 裝置 名稱 序號 噪聲源名稱 聲源強(qiáng)度dB(A) 工作特性 消聲措施 消聲后聲壓級 dB(A) 公用工程 1 空氣分離裝置 100 連續(xù) 消聲器及隔音操作室 85 2 冷凍機(jī) 100 間斷 消聲器及隔音操作室 85 3 空壓機(jī) 100 連續(xù) 消聲器及隔音操作室 85 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書 樂山市 北連成都平原，西接川南山地、東及東南跨川中丘陵 ，其東鄰自貢與宜賓市，南靠涼山彝族自治州，西連雅安市，北接眉山市， 市域地理座標(biāo)在東經(jīng) 102?！?04。北緯 28。—29。之間，行政區(qū)面積 。規(guī)劃的開發(fā)區(qū)東到大佛保護(hù)區(qū)，隔岷江與大佛遙遙相望；距大佛約 4km，北臨大渡河，通過大渡河橋連接幣區(qū)，南至樂山森林公園，西到臺地邊沿。規(guī)劃的開發(fā)區(qū)背山面水，東臨大佛風(fēng)景保護(hù)區(qū)，花團(tuán)錦簇，微波粼粼，環(huán)境優(yōu)美，是一處投資環(huán)境極佳的經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)。 地形地貌 樂山市區(qū)域南北長 ，東西寬 164km；幅員面積為 12826 km178。 丘陵 主要分布在東北部和東南部，平原集中在沿江兩岸。境內(nèi)最高處是峨邊縣的馬鞍山主峰，海拔 4288m，最低處是犍為縣境內(nèi)的岷江出境處，海拔 307m，境內(nèi)高差懸殊。；占全市面積的 %，丘陵面積 178。占全市面積的 %。 簡本 國家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 32 車子鄉(xiāng)地形主要以平壩和淺丘陵為主，平壩占 29%，丘陵占 39%，另有部分灘涂河流。 工程地質(zhì) 樂山市地質(zhì)構(gòu)造屬中、新生界地質(zhì)年代；地表層以下為紅砂頁巖，由粘土與紅砂膠結(jié)而成。 廠址區(qū)域的巖土工程地質(zhì)特征： ① 第四系全新統(tǒng)洪坡殘積物，為黃色粘土及卵礫，厚度小于 1～ 2m，該層一般不宜選作持力土層。粘土呈硬塑狀，承載力標(biāo)準(zhǔn)值 180～ 300kPa，該涂成為較好的持力土層，適宜選作天然地基持力層。據(jù)地形及巖土性質(zhì)分析：上部粘土及粘土家卵石土屬隔水層，底部巖石屬孔隙裂隙弱含水層，單井最大涌水量100～ 240m179。 樂山市區(qū)內(nèi)最大地震為里氏 ，烈度為 6度。 氣候特 征 樂山市氣候溫和濕潤，雨量充沛；四季分明，屬中亞熱帶季風(fēng)濕潤氣候區(qū)；年平均氣溫 ℃，極端最高氣溫 ℃，極端最低低溫 ℃，常年最低氣溫在 0℃以上；多年平均氣壓 百帕；全年無霜日達(dá) 333 天；年最大降雨量為1650mm(1975 年），年最小降雨量為 ，年均降雨量 ，最大日降雨量 ；年均蒸發(fā)量 900mm，最小蒸發(fā)量 450mm；平均相對濕度 81%；全年日照時(shí)數(shù)為 小時(shí)。 簡本 國家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 33 樂山市市中區(qū)主導(dǎo)風(fēng)向?yàn)?N 風(fēng)，次主導(dǎo)風(fēng)向?yàn)?NW 風(fēng)，多年平均風(fēng)速為，靜風(fēng)頻率 38%。 大渡河是岷江的主要支流， 發(fā)源于牟尼芒山和 工來邛崍 山脈， 從樂山 市峨邊縣西來，在樂山市中心城區(qū)南面的肖公咀匯入岷江。/s，最大洪峰流量為 10000m179。/s，水位 。 青衣江，又名雅河，也是岷江的主要支流之一，發(fā)源于寶興縣巴郎山、夾金山麓，流經(jīng)樂山市夾江縣，在樂山市中心城區(qū)西面的水口鄉(xiāng)草鞋渡與大渡河匯合后注入岷江。/s，最大洪峰流量為 18700m179。最枯流量 179。 岷江發(fā)源于青海省和川西北的岷山山脈，經(jīng)四 川省眉山地區(qū)青神縣入境，由市中區(qū)東北面進(jìn)樂山，在樂山市中心城區(qū)肖公咀與大渡河、青衣江匯合。岷江樂山段全長 263km，河流落差 137m，平均比降 ?，多年平均流量為 470～ 2700m179。/s，洪峰主位 ，最枯流量 179。 白灘堰 是 在大渡河右岸安谷鎮(zhèn)境內(nèi)高山村大漩沱后壩引水，引水量為，工程灌溉網(wǎng)絡(luò)及形成干渠 ，支渠 6 條 27km，斗渠 154km，承擔(dān)著市中區(qū)安谷鎮(zhèn)、車子鎮(zhèn)、五通橋區(qū)冠英鎮(zhèn) 共 萬余畝農(nóng)田灌溉。區(qū)域 20 年一遇洪水水位高程為 ～ ； 50 年一遇洪水水位高程為～ 。廠址一帶地形北高南低，存在自然沖溝，暴雨有匯流出口，故廠址一帶不受內(nèi)澇樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)