【正文】 ，送往氯硅烷貯存工序的工業(yè)級四氯化硅貯槽。 10 級精餾塔塔頂餾出物是精制的循環(huán)三氯氫硅，送入 10 級冷凝液槽，經(jīng)分析符合質(zhì)量要求后，精制三氯氫硅靠位差循環(huán)回多晶硅制取工序。 四氯化硅氫化后的氯硅烷冷凝液，經(jīng) 9 級進(jìn)料預(yù)熱器連續(xù)送入 9 級精餾塔。塔頂餾出物為三氯氫硅，靠位差流至 8 級精餾塔；塔底釜液為四氯化硅，經(jīng)分析符合質(zhì)量要求后，用泵將其部分送去四氯化硅加氫，部分送往氯硅烷貯存工序的工業(yè)級四氯化硅貯槽。 6 級塔頂餾出物為去除了高、低沸點(diǎn)雜質(zhì)的精制三氯氫 硅，分析符合多晶硅生產(chǎn)的質(zhì)量要求后，靠位差流至多晶硅制取工序。 4 級塔頂餾出三氯氫硅冷凝液，靠位差流至 5 級精餾塔，進(jìn)行脫除高沸點(diǎn)雜質(zhì)的第二階段。三氯氫硅清液經(jīng)三級進(jìn)料預(yù)熱器后，進(jìn)入 3 級精餾塔中部。 2 級精餾塔為反應(yīng)精餾， 是通過用濕潤的氮對三氯氫硅處理，把其中易于水解的雜質(zhì)化合物轉(zhuǎn)化成難于揮發(fā)的形態(tài)，以便用精餾的方法除去。 簡本 國家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 23 氯硅烷分離提純工序 在三氯氫硅合成工序生成，經(jīng)合成氣干法分離工序分離出來的氯硅烷液體送入氯硅烷貯存工序的原料氯硅烷貯槽；在三氯氫硅還原工序生成，經(jīng)還原尾氣干法分離工序分離出來的氯硅烷液體送入氯硅烷貯存工序的還原氯硅烷貯槽；在四氯化硅氫化工序生成，經(jīng)氫化氣干法分離工序分離出來的氯硅烷液體送入氯硅烷貯存工序的氫化氯硅烷貯槽。吸附再生氣含有氫氣、氯化氫和氯硅烷，送往廢氣處理工序進(jìn)行處理。出塔底的氯硅烷用泵增壓，大部分經(jīng)冷凍降溫后循環(huán)回塔頂用于氣體的洗滌，多余部份的氯硅烷送入氯化氫解析塔。除去了硅粉而被凈化的混 合氣體送往合成氣干法分離工序。 簡本 國家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 22 在三氯氫硅合成爐內(nèi)，硅粉與氯化氫氣體形成沸騰床并發(fā)生反應(yīng)，生成三氯氫硅，同時生成四氯化硅、二氯二氫硅、金屬氯化物、聚氯硅烷、氫氣等產(chǎn)物，此混合氣體被稱作三氯氫硅合成氣。硅粉從接收料斗放入下方的中間料斗，經(jīng)用熱氯化氫氣置換料斗內(nèi)的氣體并升壓至與下方料斗壓力平衡后，硅粉被放入下方的硅粉供應(yīng)料斗。凈化干燥后的氫氣送入氫氣貯罐，然后送往氯化氫合成、三氯氫硅氫還原、四氯化硅氫化工序 。蒸發(fā)冷凝液循環(huán)利用（配置NaOH 溶液），結(jié)晶固體氟化鈣和硝酸鈉等外售或填埋。 簡本 國家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 21 SiO NaCl 等）送渣廠堆埋。 B．殘液處理 從氯硅烷分離提純工序中排除的殘液主要含有四氯化硅和聚氯硅烷化合物的液體以及裝置停車放凈的氯硅烷液體加 入石灰乳液中和廢液中的氯硅烷等和而被轉(zhuǎn)化成無害的物質(zhì)。 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書 四氯化硅氫化工序 在三氯氫硅的氫還原過程中生成四氯化硅，在將后者冷凝和 脫除三氯氫 硅之后進(jìn)行熱氫化，轉(zhuǎn)化為三氯氫硅 。 簡本 國家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 19 氯硅烷分離提純工序 氯硅烷的分離和提純是根據(jù)加壓精餾的原理，通過采用合理節(jié)能工藝來實(shí)現(xiàn)的。 簡本 國家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 18 反應(yīng)原理 3000 噸 /年電子級多晶硅裝置工藝流程由以下主要工序組成： (1) 三氯氫硅合成工序 (2) 合成氣干法分離工序 (3) 氯硅烷分離提純工序 (4) 三氯氫硅氫還原工序 (5) 還原尾氣干法分離工序 (6) 四氯化硅氫化工序 (7) 氫化氣干法分離工序 (8) 氯硅烷貯存工序 (9) 硅芯制備工序 (10) 產(chǎn)品整理工序 (11) 廢氣和殘液處理工序 (12) 工藝廢料處理工序 三氯氫硅合成 在一定溫度下 ，晶體 硅 與 氯化 氫的發(fā)生反應(yīng)生成 三氯氫硅 和四氯化硅。三種技術(shù)均可選，在技術(shù)談判和商務(wù)談判階段需進(jìn)一步綜合比較 方可選定 。 工藝技術(shù)路線的確定 從以上所述多晶硅生產(chǎn)的主要工藝技術(shù)的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢來看，改良西門子工藝能夠兼容電子級和太陽能級多晶硅的生產(chǎn)，以其技術(shù)成熟、適合產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)等特點(diǎn)，仍是目前多晶硅生產(chǎn)普遍采用的首選工藝。 另有硅烷法多晶硅生產(chǎn)工藝，是用硅烷進(jìn)行熱分解生成多晶硅。擬建廠前區(qū)，設(shè)辦公樓和倒班宿舍等。 表 241 項(xiàng)目組成一覽表 序號 項(xiàng)目分類 主要內(nèi)容 主要環(huán)境問題 施工期 營運(yùn)期 一 主體工程 三氯氫硅 (SiHCl3，副產(chǎn)物 ) 性質(zhì) 三氯氫硅 無色液體。 多晶硅是單晶硅 及硅片產(chǎn)品的唯一原料，用多晶硅加工制成的硅片 (硅拋光片、太陽能級硅片 )主要用于制作集成電路、整流元件、功率晶體管、分立器件、探測器、太陽能電池等半導(dǎo)體器件。一般認(rèn)為純度在 %左右 。 多晶硅按純度分類可以分為冶金用硅、太陽能級、電子級。 評價重點(diǎn) （ 1）工程分析 ； （ 2） 環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀調(diào)查與評價； （ 3）環(huán)境空氣影響 預(yù)測與 評價 ； 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書 北京京誠嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評報(bào)告書、工程師考試資料來自 環(huán)境技術(shù)論壇 ： 13 （ 4） 污染防治措施及其技術(shù)可行性分析 。排水執(zhí)行《污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》 GB89781996 一級標(biāo)準(zhǔn)。 表 163 地表水環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn) (mg/L， pH除外 ) 序號 污染物 Ⅲ 類標(biāo)準(zhǔn)限值 序號 污染物 Ⅲ 類標(biāo)準(zhǔn)限值 1 pH 6～ 9 6 氨氮 ≤ 2 溶解氧 ≥ 5 7 石油類 ≤ 3 高錳酸 鹽 數(shù) ≤ 6 8 揮發(fā)酚 ≤ 4 BOD5 ≤ 4 9 氟化物 ≤ 5 COD ≤ 20 10 總磷 ≤ （ 3）地下水 評價區(qū)域 地下水執(zhí)行《地下水質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》（ GB/T1484893） Ⅲ 類標(biāo)準(zhǔn)， 標(biāo)準(zhǔn)值 見 表 164。 根據(jù)《建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境風(fēng)險(xiǎn)評價技術(shù)導(dǎo)則》（ HJ/T 1692020）評價工作等級確定原則，本項(xiàng)目環(huán)境風(fēng)險(xiǎn)評價的工作等級確定為一級評價。 ② 評價范圍 廠界外延 1000m （ 5） 環(huán)境風(fēng)險(xiǎn)評價工作等級和評價范圍 ① 評價等級 本項(xiàng)目原料、輔助材料、中間產(chǎn)品、產(chǎn)品等主要物料中，三氯氫硅、氟化氫等為有毒物質(zhì)，存在有毒物料泄漏發(fā)生人員傷亡的危險(xiǎn) ， 硝酸為具有腐蝕性的物料，具有較強(qiáng)的腐蝕性，對人有灼傷危害。 地下水 現(xiàn)狀 調(diào)查和評價 范圍 ：廠區(qū)邊界 外 2km 范圍內(nèi)。 （ 2） 水 環(huán)境 評價工作等級和評價范圍 ① 評價等級 地表水：根據(jù)《環(huán)境影響評價技術(shù)導(dǎo)則－地面水環(huán)境》（ HJ/）劃分，本項(xiàng)目廢水 經(jīng)廠區(qū)污水處理站后 ， 達(dá)到《污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》 GB89781996 一級標(biāo)準(zhǔn)，通過白灘堰排入岷江 ，排水量約 149m3/d，污水中含 COD、鹽等，水質(zhì)復(fù)雜 程度簡單，岷江多年平均流量 470～ 2700m3/s，屬于大河。 在識別出本項(xiàng)目主要環(huán)境影響因素的基礎(chǔ)上，篩選出本次評價的污染因子，選擇對環(huán)境影響較大或環(huán)境較為敏感的特征污染因子作為本次評價的評價因子，選取結(jié)果見表 141。 項(xiàng)目 文件 （ 1）《關(guān)于 樂山高新區(qū) 3000t/a 多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響評價執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)的函》，四川省 環(huán)境保護(hù)局 ， 川函 [2020]75 號 ； （ 2） 《關(guān)于 3000t/a 多晶硅項(xiàng)目取水申請的批復(fù)》，樂山市水利局， 2020年 8 月 ； （ 3） 《 關(guān)于樂山市中心城區(qū) 2020 年第二批城市建設(shè)用地的批復(fù) 》， 四川省人民政府，川府土 [2020]188 號； （ 4） 《 關(guān)于樂山市 2020 年第一批城市建設(shè)用地的批復(fù) 》， 四川省人民政府 ，川府土 [2020]57 號； （ 5） 《四川省國土資源廳關(guān)于樂山市中心城區(qū) 2020 年第二批城市建設(shè)用地的批復(fù)》，四川省國土資源廳，川國土資建 [2020]38 號； （ 6）《關(guān)于 對四川省樂山市高新技術(shù)開發(fā)區(qū)區(qū)域環(huán)境影響報(bào)告書的批復(fù) 》，四川省環(huán)境保護(hù)局，川 環(huán) 函 [2020]121 號； 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書 北京京誠嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評報(bào)告書、工程師考試資料來自 環(huán)境技術(shù)論壇 ： 5 （ 7）《 關(guān)于樂山大佛風(fēng)景名勝區(qū)總體規(guī)劃的函 》， 中華人民共和國建設(shè)部 ，建城函 [2020]344 號 ； （ 8）《關(guān)于樂山高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū) 控制性詳細(xì)規(guī)劃的批復(fù) 》 ，樂山市人民政府，樂府函 [2020]92 號 ； （ 9）《關(guān)于四川省樂山高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)年產(chǎn) 3000 噸多晶硅配套渣場項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告表的批復(fù)》，樂山市環(huán)境保護(hù)局，樂市環(huán)建管 [2020]413 號 。 法律、法規(guī) （ 1） 《 中華人民共和國環(huán)境保護(hù)法 》 ， ； （ 2） 《 中華人民共和國大氣污染防治法 》 ， ； （ 3） 《 中華人民共和國水污染防治法 》 ， ； （ 4） 《 中華人民共和國固體廢物污染環(huán)境防治法 》 ， ； （ 5） 《 中華人民共和國環(huán)境噪聲污染防治法 》 ， ； （ 6） 《 中華人民共和國水土保持法 》 ， ； （ 7） 《 中華人民共和國清潔生產(chǎn)促進(jìn)法 》 ， ； （ 8） 《 中華人民共和國環(huán)境影響評價法 》 ， ； （ 9） 《 中華人民共和國節(jié)約能源法 》 ， ； （ 10）《建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境保護(hù)管理?xiàng)l例》，國務(wù)院 [1998]第 253 號令， ； （ 11） 《建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境保護(hù)分類管理名錄》 ， 國家環(huán)境保護(hù)總局令第 14 號； （ 12） 《國務(wù)院關(guān)于環(huán)境保護(hù)若干問題的決定》 ， 國發(fā) [1996]31 號 ， ； （ 13） 《關(guān)于加快推行清潔生產(chǎn)的意見》 ， 國家發(fā)展改革委 等十一部委，； （ 14） 《關(guān)于加強(qiáng)環(huán)境影響評價管理防范環(huán)境風(fēng)險(xiǎn)的通知》 ， 環(huán)發(fā) [2020]152號 ； （ 15） 《關(guān)于檢查化工石化等新建項(xiàng)目環(huán)境奉獻(xiàn)的通知》，環(huán) 辦 [2020]4 號 ； （ 16） 《四川省〈中華人民共和國水法〉實(shí)施辦法》， ； （ 17） 《 四川省 〈 中華人民共和國大氣污染防治法 〉 實(shí)施辦法 》， ； 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書 北京京誠嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評報(bào)告書、工程師考試資料來自 環(huán)境技術(shù)論壇 ： 3 （ 18） 《四川省環(huán)境保護(hù)條例》， ； （ 19） 《四川省人民政府關(guān)于加強(qiáng)環(huán)境保護(hù)工作的決定》， 1996 年 11 月 22日川府發(fā) [1996]42 號； （ 20）《四川省人民政府關(guān)于四川省地面水水域環(huán)境功能劃類管理規(guī)定》，1992 年 1 月 13 日 川府發(fā) [1992]5 號 ； （ 21） 樂山市人民政府辦公廳關(guān)于印發(fā)《樂山市環(huán)境空氣質(zhì)量功能區(qū)劃分的規(guī)定》的通知，樂府辦 [1997]13 號， ； （ 22）樂山市人民政府《關(guān)于樂山市地面水水域環(huán)境功能類別的規(guī)定的通知》，樂府發(fā) [1993]10 號； （ 23） 樂山市人民政府辦公廳關(guān)于印發(fā)《樂山市中心城區(qū)環(huán)境噪聲標(biāo)準(zhǔn)適用區(qū)域劃分暫行規(guī)定的通知》，樂府辦發(fā) [1998]95 號。為在樂山高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)進(jìn)一步發(fā)展多晶硅產(chǎn)業(yè)，形成樂山市的“硅產(chǎn)業(yè)鏈”，樂山市計(jì)劃在高新區(qū)抓緊推進(jìn) 3000t/a的 多晶硅項(xiàng)目的實(shí)施。多晶硅是半導(dǎo)體工業(yè)、電子信息產(chǎn)業(yè)、太陽能光伏電池產(chǎn)業(yè)的最主要、最基礎(chǔ)的功能性材料，多晶硅太陽能電池生產(chǎn)需要多晶硅材料，集成電路用硅單晶生產(chǎn)同樣需要多晶硅，其重要性不言而喻。 在世界各國，尤其是美、日、德等發(fā)達(dá)國家先后發(fā)起的大規(guī)模國家光伏發(fā)展計(jì)劃和太陽能屋頂計(jì)劃的刺激和推動下，世界光伏工 業(yè)近年來保持著年均 30％以上的高速增長， 全球目前多晶硅缺口在 6000t 左右， 專家預(yù)測，光伏發(fā)電將在新世紀(jì)前半期超過核電成為最重要的基礎(chǔ)能源之一。樂山市硅材料產(chǎn)業(yè)在省委、省政府的大力關(guān)心支持下，發(fā)展勢頭迅猛， 2020 年 2 月樂山高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)內(nèi)的新光硅業(yè)公司 1000 噸多晶硅已試車成功。 接受委托后， 評價單位 詳細(xì)收 集和分析與工程項(xiàng)目有關(guān)的基礎(chǔ)資料，通過大量調(diào)查、監(jiān)測和模擬 ，在系統(tǒng)深入的研究基礎(chǔ)上， 編制了“ 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書 ” ，提交環(huán)境保護(hù)主管部門審查。 項(xiàng)目有關(guān) 資料 技術(shù)資料 （ 1）樂山高新區(qū) 3000t/a 多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響評價委托書， 樂山高新區(qū)管委會 ， 2020 年 7 月； （ 2） 《四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司 3000t/a 太陽能級多晶硅項(xiàng)目 可行性研究報(bào)告 》， 中國成達(dá)工程公司， 2020 年 6 月 ； （ 3） 《 樂山高新區(qū) 3000t/a 多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀監(jiān)測報(bào)告》，樂山市環(huán)境監(jiān)測站， 2020 年 7 月 ； （ 4）《年產(chǎn) 3000 噸多晶硅配套渣場項(xiàng)目》，樂山市環(huán)境科學(xué)研究所， 2020年 8 月 。 評價原則 本著實(shí)事求 是、客觀公正的精神， 根據(jù)本項(xiàng)目工程 及 環(huán)境影響復(fù)雜的特點(diǎn)，樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書 北京京誠嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評報(bào)告書、工程師考試資料來自 環(huán)境技術(shù)論壇 ： 6 確定評價原則為： （ 1）遵守國家和 四川 省相關(guān)法律法規(guī)，符合相關(guān)部門規(guī)范性文件規(guī)定，滿足環(huán)評技術(shù)導(dǎo)則要求；