【正文】 小于 12mil ?. (7)觸 碰 孔 :一般是指兩個(gè)大小不同的孔接觸在一起 “ ?” 可將其中一個(gè)加大 1um 以分鉆制作 .(觸碰孔與板內(nèi)同等大小近孔另分一把刀 ). (8)沉 凸 孔 :又稱 “T” 型孔 ,是指大小不同的孔重迭鉆 。 (3).BGA 分鉆及 slot 制作 . A. 對(duì)于有 BGA之 edit,需將 BGA內(nèi)孔選出進(jìn)行分刀鉆孔 ,通常確定 BGA區(qū)域以文字框線 為準(zhǔn) ,若無文字框線 ,還可以以防焊或外層 BGA 區(qū)域最外沿為準(zhǔn) ,選中后將所選中之 孔加大 1um 進(jìn)行分鉆 . B. slot 孔 :若客戶所提供 gerber 中 slot 孔為橢圓形 pad,則需將其打散成線 ,若原稿為多孔重迭而形成橢圓形狀 ,可將其做成同等規(guī)格的線 ,再將多個(gè)重迭的圓孔刪除 ,制作完畢后 ,需對(duì)其一一進(jìn)行屬性定義 ,槽 孔加大 1um進(jìn)行分鉆 . (drl)檢查 : 點(diǎn)擊 Analysis → Drillo checks 出現(xiàn)窗口 ,在選項(xiàng)中多選一項(xiàng) npth,其它參數(shù)默認(rèn) ,點(diǎn)擊該窗口左下角第三個(gè)小人 .待計(jì)算機(jī)自動(dòng)跑完后進(jìn)入 view results 查看 ,作相應(yīng)修改 . . map 制作 : map 制作 :在 1st 制作 ok 后 ,將 1st 及 outline copy 到 map 中注意 outline 與所 有成型線寬需 10mil ,另若為金手指板 ,金手指內(nèi)刮部分需作于 map中 ,阻抗孔及阻抗 層別名字樣 ,手動(dòng)添加的光學(xué)點(diǎn)需標(biāo)識(shí)于 map 中 ,并且在光學(xué)點(diǎn)旁加 m字樣 ,map=drl+ outline+金手指內(nèi)刮線 +阻抗層別指示 +光學(xué)點(diǎn)表示的 m字樣 (手動(dòng)添加的光學(xué)點(diǎn)需加此字樣 ).二鉆孔注明 2nd 字樣，成型鉆孔注時(shí) nc 字樣，成型撈 pth孔注明 pth 字樣， npth 孔中心以 10mil負(fù)片套開。或者旋轉(zhuǎn) thermal 的角度 ,若改變較大需向 . ,防止將分區(qū)線鉆導(dǎo)通 . pad 與 thermal pad 重迭的情 況 . npth 孔是否對(duì)應(yīng)有隔離 pad. 8mil min (本廠制程能力 ,且需依 ) 8mil min(本廠制程能力 ,且需依 ) 以上情況檢查出來均需給 提出確認(rèn)討論 . (5)網(wǎng)絡(luò)檢查 : 從 genesis窗口進(jìn)入先將 power/ground層的隔離 pad及分區(qū)線加大 8mil后再做網(wǎng)絡(luò)檢查 , 具體步驟同外層的綱絡(luò)檢查一樣 . : (1)去除邊框外實(shí)體 : 在層別名檔點(diǎn)右鍵選 clip area 進(jìn)入窗口 ,在 method: 選 profile outside cut as contour:選 :yes Margin: 輸入成型框線寬的一半且為負(fù)值 點(diǎn)擊 ok或 apply即可 .然后對(duì)照 outline手動(dòng)去除邊框線 ,并檢查是否有漏銅的地方 . (2)去除 np 孔對(duì)應(yīng)的 pad: npth pad 步驟如下 :工作層為 drl 在工具欄中點(diǎn)“ ? ”出現(xiàn)窗口 ,在窗口內(nèi)選 / 再在 user filter 中選 no plated holes 最后再點(diǎn) select 即可選中 . np 孔加大 16mil copy 至 np16 層中 ,然后過濾 .actions→ reference selection出現(xiàn)窗口 ,參數(shù)如下 :在 mode 中選 touch reference ,layer 中選內(nèi)層為參考層 .其它選項(xiàng)默認(rèn)點(diǎn)擊 ok 或 apply,將 touch 到鉆孔的 copy 到 np16 內(nèi)層各別名中 ,分 : I:與銅面接觸的直接按 . II:與線接觸的 ,修改后超出 2mil 須提出確認(rèn) . ；在層別名處點(diǎn)擊右鍵進(jìn)入 features histogram 菜單 ,選擇需要補(bǔ)償?shù)木€路 (一般要求 8mil以下線路均需補(bǔ)償 ,具體可依 )在 edit→ resize→ global→ size 中輸入補(bǔ)償值 (依 )點(diǎn)擊 ok或 apply,即可 . :主要的是查看 drill to copper 距離 ,方便優(yōu)化之參數(shù)設(shè)定 ,步驟如下 :在 analysis → signal layer checks →出現(xiàn)窗口在窗口中 ERF 選 inner 其它選項(xiàng)及參數(shù)均默認(rèn) ,點(diǎn)擊該窗口左下角第三個(gè)小人 ,待計(jì)算機(jī)自動(dòng)跑完進(jìn)入 view results 查看結(jié)果 . (3)優(yōu)化 : pad:將所有 pad 加大到一定大小 (按廠內(nèi)制程通常比鉆孔單邊大 6mil). 進(jìn)入 dfm→ optimization→ signal layer opt 出現(xiàn)窗口 (以孔到銅距離為 6mil) PTH AR min: 6mil (pth 孔最小 ring 值 ) Opt: 6mil (最佳狀態(tài) ) VIA AR min: 6mil (via 孔最小 ring 值 ) Opt: 6mil (最佳狀態(tài) ) Spacing min: (最小間距 ) Opt: Pad to pad spacing min: Opt: Drill to cu : 8 mil (孔到銅間距根據(jù)實(shí)際情況輸入 ). 注 :drill to cu Pth ar (via ar)值 +spacing. 在 modification 中只選 pad up ,其它參數(shù)及選項(xiàng)均默認(rèn) ,點(diǎn)擊該窗口左下角第三個(gè)小人 ,待電 腦跑完后進(jìn)入 view results 查看是否有不符制程條件的情況，再作修改． pad:(將間距不足之處通過計(jì)算機(jī)自動(dòng)切除 pad的方法滿足廠內(nèi)最小為 4mil)且在原則上必 須保證被切后 pad 單邊最小有 3mil 間距最小為 4mil (pth 與 via 孔可同時(shí)切 )參數(shù)如下 (孔到銅距離為 8mil). PTH AR min: 3mil (pth 孔最小 ring 值 ) Opt: 6mil (最佳狀態(tài) ) VIA AR min: 3mil (via 孔最小 ring 值 ) Opt: 6mil (最佳狀態(tài) ) Spacing min: 4mil (最小間距 ) Opt:5mil Pad to pad spacing min: 4mil Opt5mil Drill to cu : 8 mil (孔到銅間距根據(jù)實(shí)際情況輸入 ) 在 modification 中選 shave(削 pad)其它參數(shù)及選項(xiàng)均默認(rèn) ,點(diǎn)擊該窗口左下角第三個(gè)小人 ,待計(jì)算機(jī)自動(dòng)跑完后進(jìn)入 view results 查看是否有不符制程條件的情況再作修改 . (4)添加淚滴 : 為保證線與 pad 的良好接觸進(jìn)入 dfm→ yield improvement→ creation 出現(xiàn)窗口參 數(shù)如下 : ring min: 7mil spacing :6mil Drill size min: 0mil max via 孔徑 (實(shí)際情況 )mil Drill spacing :10mil. 其它參數(shù)及選項(xiàng)默認(rèn) ,再擊該窗口左下角的第三個(gè)小人 ,待計(jì)算機(jī)自動(dòng)跑完后進(jìn)入 view results 查看結(jié)果 ,是否符合要求 ,同時(shí)也需對(duì)此操作前備份層 ,檢查是否有誤操作 . (5)內(nèi)刮 : 將標(biāo)準(zhǔn)外框線 outline 層 (含 vcut 線 [40mil]及所有成型線 [40mil]和金手指內(nèi)刮的線[按 ])以負(fù)片的形式 copy到內(nèi)層中 ,然后用 clip 去除成型框外負(fù)片及所有東西 ,防止負(fù)片影響其它 pcs. (6)檢查 : :進(jìn)入菜單 Analysis→ signal layer checks 出現(xiàn)窗口 ,在 erf:選 inner 其它參數(shù)及選項(xiàng)默認(rèn) ,點(diǎn)擊該窗口左下角第三個(gè)小人 ,待計(jì)算機(jī)自動(dòng)跑完后進(jìn)入 view results 查看結(jié)果 ,并對(duì)實(shí)際情況進(jìn)行判斷修改 . :用 pare 功能進(jìn)行比對(duì) :在層別處點(diǎn)擊右鍵選擇 pare 出現(xiàn)窗口 ,參數(shù)如下 : Step2:選 layer2 選擇 被核對(duì)層的層別名 . Comparison tolerance:輸入 2mil. Comparison map layer:任意輸入一個(gè)層別名為空層 . Map layer resouction:輸與比對(duì)結(jié)果顯示的分辯率 ,一般設(shè)定為 50mil. 點(diǎn)擊 ok或 apply即可 ,比對(duì)出差異值比較大的位置加以分析判斷若有變化較大的地方 ,提出 與 . (7)網(wǎng)絡(luò)檢查 (list): 注意事項(xiàng)及具體步驟同外層一樣 . (8)整體檢查完后 ,若為陰陽排版 ,需將 pcs 拖至相應(yīng) flip 中 . 陰陽排版 : edit 窗口中 ,進(jìn)入 job matrix→點(diǎn)擊 pcs→ Edit→ Duplicate 會(huì)出現(xiàn) pcs+1 層 , 再將“ pcs+1”更改為“ flip” ,點(diǎn)中“ pcs+1”在 step 中敲入“ flip”回車即可 . . 將 pcs的內(nèi)容 copy 到 flip 對(duì)應(yīng)層中 ,(例如 :pcs 內(nèi)層 l2 copy 至 flip l3 層中 , pcs 文字 sst copy 至 flip ssb 層中 ). . 在 job matrix 建立一個(gè)空層 step 命名為 sub. . 在 step 窗口中 ,在 step→ panelization→ panel size 出現(xiàn)窗中 ,在窗口中 width — height — 按實(shí)際排版數(shù)值敲入 (自動(dòng)排版不需要此項(xiàng) ). 再在 step→ panelization→ stepamp。?? 下面?? ?? left?? 。 ? ?右邊?? step x margin: x方向 pcs 間距 step x margin: y 方向 pcs 間距 samp。R EDIT 出現(xiàn) 窗口 ,在窗口中點(diǎn)最后一排第一 下 個(gè) ,然后點(diǎn)中下方兩 EDIT,再點(diǎn)口中第二排 第三個(gè)選項(xiàng)取代成 flip→再用第三排第一個(gè)或第二個(gè) (左右或上下 )對(duì) flip 鏡像 ,即可 . (3). Table(手動(dòng)排版 )出現(xiàn)窗口 ,在窗口中 STEP Aanchor Point Nx Ny Dx Dy Angle Mirror NEW STEP 個(gè)數(shù) 個(gè)數(shù) 間距 旋轉(zhuǎn)角度 鏡像 automatic table 1 2 3 4 根據(jù)實(shí)際參數(shù)敲入 EDITTTT EDIT EDIT EDIT 選擇所需排 版的 pcs symbol 均移動(dòng)好后 ,請(qǐng)打開負(fù)片認(rèn)真 check 板邊 symbol 是否進(jìn)入成型區(qū) . : : (1).自動(dòng)功能去除 :在層別名檔點(diǎn)擊選 clip area 進(jìn)入窗口 . (2).選項(xiàng)如下 :clip date:affected layer(影響層 ) method:選 profile cliparea:選 outside cutas contour:選 YES Margin:輸入成型線寬的一半且取負(fù)值 ,如 10mil 成型線 敲 5mil,點(diǎn)擊 ”O(jiān)K 或 APPLY” 執(zhí)行 . . 轉(zhuǎn) PAD:將線組成的圖形轉(zhuǎn)為一個(gè) PAD 的實(shí)體 ,以防焊為參考層 (注 :做此之前要先轉(zhuǎn) 防焊 PAD)步驟 : (1). DFM ? cleanup ? const