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【正文】 2 k64 k ? 16: 64 k 個字 每個字 16 位 存儲容量 1024k（ 1M） （ 2） 存儲容量與地址位數(shù)的關(guān)系存儲容量 256 ?4 8 位地址256 = 28 4 位數(shù)據(jù)輸出存儲容量 8k?8 8k=8?210 =213 13 位地址 8 位數(shù)據(jù)輸出2023/3/9 星期二2627河北工程大學(xué) 信電學(xué)院數(shù)字電子技術(shù)（ 3） 常用 EPROM2764 ：27128 ：A0 ? A128k?8 (64k)13 位地址輸入：8 位數(shù)據(jù)輸出： O0 ? O7輸出使能端 1 輸出呈高阻0 使能片選端 ROM 工作（ 任意） ROM 不工作輸出呈高阻16k?8 (128k) 16k = 16?210 = 21427256 ： 32k?8 (256k) 32k = 32?210 = 2152764VPPPGMA0A1A2A3A4A5A6A7A8A9A10A11A12CSOEO0O1O2O3O4O5O6O7VCCVIH(PGM)CSOE地址輸出01其他常用的 EPROM 2023/3/9 星期二2728河北工程大學(xué) 信電學(xué)院數(shù)字電子技術(shù)（ 4） ROM 容量的擴(kuò)展地址總線8位數(shù)據(jù)總線16位數(shù)據(jù)總線D(7~0) D(15~8)8 位 → 16 位地址線合并（共用）輸出使能端、片選端合并（共用）數(shù)據(jù)輸出端分為高 8 位和低 8 位方法(a) 字長的擴(kuò)展（位擴(kuò)展）：27256A0A14 O7O0CSOE27256A0A14 O7O0CSOECSOE2023/3/9 星期二2829河北工程大學(xué) 信電學(xué)院數(shù)字電子技術(shù)(b) 字線的擴(kuò)展（地址碼的擴(kuò)展 — 字?jǐn)U展 ）兩片 4 ? 4 ? 8 ? 4 ：四片 32 k ? 8 ? 4 ? 32 k ? 8 ：15 位地址輸入 增加兩位地址經(jīng)過 2 線 4 線譯碼控制四個芯片的ROM4 4位A1 A0 D1 D0 D2 D3 ROM4 4位A1 A0 D1 D2 D3 D0 1增加一位地址 A2（ P283）2023/3/9 星期二2930河北工程大學(xué) 信電學(xué)院數(shù)字電子技術(shù) PLD：它的邏輯功能由用戶通過對器件編程來設(shè)定。2023/3/9 星期二3233河北工程大學(xué) 信電學(xué)院數(shù)字電子技術(shù)3. PROM電路的 PLD表示法 PROM實(shí)質(zhì) 上是可 編 程 邏輯 器件，相當(dāng)于包含一個固定的與 門陣 列（就是全 譯碼 的地址 譯碼 器 —n 線 n2線譯碼 器）和一個可 編 程或 門陣 列。與陣列或陣列A0A1L0 L1 L0 L12位地址線—4位數(shù)據(jù)線PROM的PLD表示法2023/3/9 星期二3334河北工程大學(xué) 信電學(xué)院數(shù)字電子技術(shù)A0A1A2A3D0D1D2D34位地址 線 —4 位數(shù)據(jù) 線 PROM的 PLD表示法2023/3/9 星期二3435河北工程大學(xué) 信電學(xué)院數(shù)字電子技術(shù)A0A1A2A3O0O1O2O3 可編程陣列邏輯器件（ PAL）簡介1. PAL的基本結(jié)構(gòu) ① 編程前的內(nèi)部結(jié)構(gòu)固定的或陣列采用熔絲編程的與陣列2023/3/9 星期二3536河北工程大學(xué) 信電學(xué)院數(shù)字電子技術(shù)A0A1A2A3O0O1O2O3② 編 程后的內(nèi)部 結(jié) 構(gòu)ABCL2L1L0L32023/3/9 星期二3637河北工程大學(xué) 信電學(xué)院數(shù)字電子技術(shù)1234567891918171615141312110347811121516192023242731280347811121516192023242731282. PAL16L8 （具有 20個引腳， 20號 電 源端和 10號接地端未畫出）2023/3/9 星期二3738河北工程大學(xué) 信電學(xué)院數(shù)字電子技術(shù) 可編程通用陣列邏輯器件（ GAL）1. GAL的基本結(jié)構(gòu) GAL是在 PAL的基 礎(chǔ) 上 發(fā) 展起來的新一代增 強(qiáng) 型器件，它直接 繼 承了 PAL的與或 陣 列 結(jié) 構(gòu)，并增加了靈活的 輸 出 邏輯 宏 單 元 OLMC來增 強(qiáng)輸 出功能，同 時 采用 電 子 標(biāo)簽 和宏 單 元 結(jié) 構(gòu)字等新技 術(shù) 和 E2CMOS新工藝 ，使其具有可擦除、可重新 編 程和可重新配置 結(jié) 構(gòu)等功能。例： GAL16V8 GAL16V8是 20腳器件，最多具有 16個 輸 入端， 8個 輸 出端。例： GAL39V18 GAL39V18是 20腳器件，最多具有 39個 輸 入端， 18個 輸 出端。㈡異或 門 ：用于控制 輸 出信號的極性，通 過對結(jié) 構(gòu)控制字（存 儲 在存 儲單元中）中的控制位 XOR（ n） 編 程來改 變 或 門陣 列 輸 出的極性。㈣ 4個數(shù)據(jù)多路開關(guān)（數(shù)據(jù)
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