04微機(jī)接口-第四章-在線瀏覽
2024-09-14 07:41本頁面
【正文】 圖 六管靜態(tài) RAM基本存儲電路 Y地址譯碼 Vcc V7 I / O V8 I / O V3 V4 V5 V2 V6 A V1 B Di Di X地址譯碼 圖中 V1V2是工作管 ， V3V4是負(fù)載管 ， V5V6是控制管 ，V7V8也是控制管 ， 它們?yōu)橥涣芯€上的存儲單元共用 。 (2) 內(nèi)部管子較多，功耗大，集成度低。 典型的靜態(tài) RAM芯片如Intel 6116 （ 2K 8 位 ） ， 6264 （ 8K 8 位 ） ， 62128（ 16K 8位 ） 和 62256（ 32K 8位 ） 等 。因此，共需地址線 13條，即 A12~A0；數(shù)據(jù)線 8條即 I/O8~I/O WE、 OE、 CECE2的共同作用決定了 SRAM 6264的操作方式，如表 。 二、動態(tài)隨機(jī)存儲器 DRAM 刷新放大器 數(shù)據(jù) I/O線 T1 CS 行選擇信號 圖 單管 DRAM基本存儲元電路 T2 列選擇 信號 圖 RAM的基本存儲電路，由 MOS晶體管和一個電容 CS組成。 (2) 集成度高 ， 功耗低 。 2164是 64K 1位的DRAM芯片 ， 片內(nèi)含有 64K個存儲單元 ， 所以 ， 需要 16位地址線尋址 。 利用外接多路開關(guān) ， 先由行選通信號 RAS選通 8位行地址并鎖存 。 2164芯片的引腳和內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意如圖 。 輸出電路 Y 譯碼 存儲矩陣 X 譯 碼 控 制 邏 輯 地 址 碼 (2) 用于產(chǎn)品批量生產(chǎn)。 字譯碼結(jié)構(gòu) 圖 4 4位的存儲矩陣，地址譯碼采用單譯碼方式，它通過對所選定的某字線置成低電平來選擇讀取的字。 R R R R VCC 1 2 3 4 字線 位 4 位 3 位 2 位 1 輸出數(shù)據(jù)數(shù) 圖 二極管 ROM 二極管 ROM陣列 4 3 2 1 位 字 1 2 3 4 0 0 0 0 1 0 1 1 0 1 0 1 1 0 1 1 用 MOS三極 管取代二極管便構(gòu)成了 MOS ROM陣列 字線 1 字線 2 字線 3 字線 4 字 地 址 譯 碼 器 VDD D4 D3 D2 D1 A1 A0 00 01 10 11 位線1 位線2 位線3 位線4 4 3 2 1 位 字 1 2 3 4 0 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 0 1 0 0 D4 D3 D2 D1 圖 MOS管 ROM陣列 從二極管 ROM和 MOS ROM的介紹可知，這種存儲矩陣的內(nèi)容完全取決于芯片制造過程，而一旦制造好以后，用戶是無法變更的。 10條地址信號線分成兩組，分別經(jīng)過 X和 Y譯碼，各產(chǎn)生 32條選擇線。 A5 A6 A7 A8 A9 A0 A1 A2 A3 A4 VCC …… … 圖 復(fù)合譯碼的 MOS ROM電路 雙極型 ROM電路 雙極型 ROM的速度比 MOS ROM快，它的取數(shù)時間約為幾十 ns，可用于速度要求較高的微機(jī)系統(tǒng)中。 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 圖 一種雙極型 ROM的結(jié)構(gòu)圖 存儲單元的工作原理仍為當(dāng)某一行被選中時，連到存儲管子的基極信號為“ 1”，各列若有管子與此選擇線相連，則管子導(dǎo)通，輸出為“ 0”，在輸出電路中經(jīng)過反相，實(shí)際輸出為“ 1”；若沒有管子與此選擇線相連，則存儲矩陣輸出為“ 1”，經(jīng)過輸出電路反相，輸出為“ 0”。 (2) 用戶根據(jù)自己需要對其進(jìn)行設(shè)置 (編程 )。 二、可編程 ROM (PROM) 可編程 ROM（ PROM） 是一種 允許用戶編程一次的 ROM， 其存儲單元通常用二極管或三極管實(shí)現(xiàn) 。 編程時 ， 通過字線選中某個晶體管 。 圖 熔絲式 PROM的基本存儲結(jié)構(gòu) 特點(diǎn)： (1) 可以多次修改擦除。 (3) E2PROM電可擦除。 EPROM是一種 可以多次進(jìn)行擦除和重寫的 ROM。 Intel2764 芯 片 是 一 塊 8K 8bit 的EPROM芯片 ， 如圖所示： 允許輸出和片選邏輯 CE A0~A12 Y譯碼 X譯碼 輸出緩沖 Y門 8K?8位 存儲矩陣 … OE 數(shù)據(jù)輸出 ... 2764結(jié)構(gòu)框圖 VCC PGE NC A8 A9 A11 OE A10 CE D7 D6 D5 D4 D3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 2764 VPP A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND 封裝及引腳 2764封裝圖 ? A0～ A12 地址輸入， 213=8192=8K ? D0～ D7 雙向數(shù)據(jù)線 ? VPP 編程電壓輸入端 ? OE 輸出允許信號 ? CE 片選信號 ? PGE 編程脈沖輸入端，讀 PGE=1 操作方式 讀 輸出禁止 備用 (功率下降 ) 編程禁止 編程 Intel 編程 校驗(yàn) Intel 標(biāo)識符 CE OE PGM A9 Vpp Vcc 輸出 L L H H L L L L L H X X H H L L H H X X L L H H X X X
環(huán)評公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1