【摘要】Siliconingot硅錠Wafer晶片Mirrorwafer鏡面晶圓Patter晶圓片F(xiàn)AB:fabrication制造FabricationFacility制造wafer生產(chǎn)工廠Probetest探針測(cè)試Probecard探針板Contact連接ProbeTip探頭端部ChipFunction功能EPM:El
2025-08-14 17:38
【摘要】半導(dǎo)體廠務(wù)工作吳世全國(guó)家奈米元件實(shí)驗(yàn)室一、前言近年來(lái),半導(dǎo)體晶圓廠已進(jìn)展到8"晶圓的量產(chǎn)規(guī)模,同時(shí),也著手規(guī)劃12"晶圓的建廠與生產(chǎn),準(zhǔn)備迎接另一世代的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。於是各廠不斷地?cái)U(kuò)增其產(chǎn)能與擴(kuò)充其廠區(qū)規(guī)模,似乎稍一停頓即會(huì)從此競(jìng)爭(zhēng)中敗下陣來(lái)。所以,推促著製程技術(shù)不斷地往前邁進(jìn),(百萬(wàn)位元)DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)記憶元件)記憶體密度的此際技術(shù)起,;(十億位元)集積度的
2025-08-10 17:46
【摘要】半導(dǎo)體車載冰箱電子制冷原理介紹(圖)????半導(dǎo)體電子制冷又稱熱電制冷,或者溫差電制冷,它是利用“帕爾帖效應(yīng)”的一種制冷方法,與壓縮式制冷和吸收式制冷并稱為世界三大制冷方式。1843年,法國(guó)物理學(xué)家帕爾帖在銅絲的兩頭各接一根鉍絲,再將兩根鉍絲分別接到直流電源的正負(fù)極上,通電后,他驚奇的發(fā)現(xiàn)一個(gè)接頭變熱,另一個(gè)接頭變冷;這個(gè)現(xiàn)象后來(lái)就被稱為“帕爾帖
2025-08-09 12:02
【摘要】摘要隨著信息時(shí)代的到來(lái),傳感器技術(shù)得到了快速發(fā)展,其應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越廣泛,對(duì)其要求越來(lái)越高,需求越來(lái)越迫切。傳感器技術(shù)已成為衡量一個(gè)國(guó)家科學(xué)技術(shù)發(fā)展水平的重要標(biāo)志之一。隨著人們生活水平的提高,智能化的液體加熱制冷類家電越來(lái)越多地出現(xiàn)在人們的日常生活中,這些產(chǎn)品大多采用發(fā)熱管或PTC熱敏電阻進(jìn)行加熱,僅僅具有加熱功能;而使用半導(dǎo)體制冷片可以具備加熱和制冷雙重功能,但缺陷是傳統(tǒng)的半導(dǎo)體
2024-09-15 03:42
【摘要】1.在怎樣條件下,電流密度隨電場(chǎng)強(qiáng)度成線性變化?在強(qiáng)電場(chǎng)下,歐姆定律是否仍然正確?電場(chǎng)強(qiáng)度不大的條件下;不正確?、載流子濃度及遷移率?從霍爾電壓的正負(fù)可以判別半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型;測(cè)出RH可求載流子濃度;測(cè)出電導(dǎo)率可求出霍爾遷移率。,哪一個(gè)材料的少子濃度高?為什么?鍺的少子濃度高。由電阻率=1/nqu和(ni)2=n0p0以及硅和鍺本征載流子濃度的數(shù)量級(jí)差別,可以算出鍺的少
2025-05-12 06:15
【摘要】半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)實(shí)踐總結(jié)報(bào)告一、實(shí)踐目的半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)及儀器集中學(xué)習(xí)是在課堂結(jié)束之后在實(shí)習(xí)地集中的實(shí)踐性教學(xué),是各項(xiàng)課間的綜合應(yīng)用,是鞏固和深化課堂所學(xué)知識(shí)的必要環(huán)節(jié)。學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件與集成電路性能參數(shù)的測(cè)試原理、測(cè)試方法,掌握現(xiàn)代測(cè)試設(shè)備的結(jié)構(gòu)原理、操作方法與測(cè)試結(jié)果的分析方法,并學(xué)以致用、理論聯(lián)系實(shí)際,鞏固和理解所學(xué)的理論知識(shí)。同時(shí)了解測(cè)試技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀、趨勢(shì)以及本專業(yè)的發(fā)展
2025-05-13 02:55
【摘要】一、判斷下列說(shuō)法是否正確,用“√”和“×”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素,可將其改型為P型半導(dǎo)體。()(2)因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以它帶負(fù)電。()(3)PN結(jié)在無(wú)光照、無(wú)外加電壓時(shí),結(jié)電流為零。()(4)處于放大狀態(tài)的晶體管,集電極電流是多子漂移運(yùn)動(dòng)形成的。()
2025-08-10 17:39
【摘要】一.名詞解釋:①.CZ直拉法:是用包括熔爐,拉晶機(jī)械裝置(籽晶夾具,旋轉(zhuǎn)機(jī)械裝置),環(huán)境控制裝置的拉晶機(jī)進(jìn)行結(jié)晶。多晶硅放入坩堝中,熔爐加熱到超過(guò)硅的熔點(diǎn),將一個(gè)適當(dāng)晶向的籽晶放置在籽晶夾具中,懸于坩堝之上,將籽晶夾具插入熔融液中,雖然籽晶將會(huì)部分融化,但其未融化的籽晶頂部將會(huì)接觸熔融液的表面、將籽晶慢慢拉起,熔融液在固體液體的表面逐漸冷卻,從而產(chǎn)生很大的晶體即從熔融硅中生長(zhǎng)單晶硅的基本
2025-06-04 07:12
【摘要】1.??何謂PIE??PIE的主要工作是什幺????????答:ProcessIntegrationEngineer(工藝整合工程師),主要工作是整合各部門的資源,對(duì)工藝持續(xù)進(jìn)行改善,確保產(chǎn)品的良率(yield)穩(wěn)定良好。2.??200mm,300mmW
2024-09-13 05:48
【摘要】硫及金屬硫化物-類石墨相氮化碳納米復(fù)合材料的制備,表征及其光催化性能的研究第一章緒論自18世紀(jì)60年代的第一次工業(yè)革命到現(xiàn)在以來(lái),科學(xué)技術(shù)迅猛發(fā)展、日新月異。工業(yè)革命(第一次科技革命)以瓦特的蒸汽機(jī)的發(fā)明為標(biāo)志,宣告了人類社會(huì)由原來(lái)的火器時(shí)代,進(jìn)入到了蒸汽時(shí)代。第二次科技革命發(fā)生在19世紀(jì)70年代,在這個(gè)時(shí)期,自然科學(xué)取得了飛速的進(jìn)展,由于資本主義制度的逐漸形成和完善,資本主義
2025-08-11 08:22
【摘要】半導(dǎo)體器件原理簡(jiǎn)明教程習(xí)題答案傅興華簡(jiǎn)述單晶、多晶、非晶體材料結(jié)構(gòu)的基本特點(diǎn).解整塊固體材料中原子或分子的排列呈現(xiàn)嚴(yán)格一致周期性的稱為單晶材料;原子或分子的排列只在小范圍呈現(xiàn)周期性而在大范圍不具備周期性的是多晶材料;原子或分子沒(méi)有任何周期性的是非晶體材料.什么是有效質(zhì)量,根據(jù)E(k)平面上的的能帶圖定性判斷硅鍺和砷化鎵導(dǎo)帶電子的遷移率的相對(duì)大小.解有效質(zhì)量
2025-08-10 23:23
【摘要】半導(dǎo)體詞匯縮寫(xiě)表A/DanalogtodigitalAAatomicabsorptionAASatomicabsorptionspectroscopyABCactivity-basedcostingABMactivity-basedmanagementACalternatingcurrent;activatedcarbonA
2024-09-09 00:04
【摘要】 實(shí)驗(yàn)十七 半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)霍爾效應(yīng)是磁電效應(yīng)的一種,這一現(xiàn)象是霍爾(,1855—1938)于1879年在研究金屬的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)時(shí)發(fā)現(xiàn)的。后來(lái)發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體、導(dǎo)電流體等也有這種效應(yīng)。這一效應(yīng)對(duì)金屬來(lái)說(shuō)并不顯著,但對(duì)半導(dǎo)體非常顯著。利用這一效應(yīng)制成的各種霍爾元件,廣泛地應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化技術(shù)、檢測(cè)技術(shù)及信息處理等方面?;魻栃?yīng)是研究半導(dǎo)體材料性能的基本方法。通過(guò)霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)?zāi)軠y(cè)定半導(dǎo)體材料的
2024-09-13 06:23
【摘要】半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻原理(下)光刻膠的一些問(wèn)題1、由于硅片表面高低起伏,可能造成曝光不足或過(guò)曝光。線條寬度改變!1半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻原理(下)2、下層反射造成駐波,下層散射降低圖像分辨率。DUV膠—ARCg線和i線膠—使用添加劑,吸光并
2025-04-04 14:53
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第六章擴(kuò)散原理(下)上節(jié)課主要內(nèi)容1、摻雜工藝一般分為哪兩步?結(jié)深?薄層電阻?固溶度?2、兩種特殊條件下的費(fèi)克第二定律的解及其特點(diǎn)?特征擴(kuò)散長(zhǎng)度?預(yù)淀積+退火。預(yù)淀積:氣固相預(yù)淀積擴(kuò)散或離子注入。Rs:表面為正方形的半導(dǎo)體薄層(結(jié)深),在平行電流方向所呈現(xiàn)的電阻,單位為?/?,反映擴(kuò)散入硅