電學半導體器件原理簡明教程習題答案傅興華-在線瀏覽
2025-08-10 23:23本頁面
【正文】 非晶體材料結構的基本特點.解 整塊固體材料中原子或分子的排列呈現(xiàn)嚴格一致周期性的稱為單晶材料。原子或分子的排列只在小范圍呈現(xiàn)周期性而在大范圍不具備周期性的是多晶材料。解 電導率，電阻率 半導體中載流子濃度,本征載流子濃度,非平衡空穴濃度,非平衡空穴的壽命,計算電子空穴的復合率,計算載流子的費米能級和準費米能級.解 因為是n型半導體 有兩個pn結,其中一個結的雜質濃度,另一個結的雜質濃度,在室溫全電離近似下分別求它們的接觸電勢差,并解釋為什么雜質濃度不同接觸電勢差的大小也不同.解 接觸電勢差 可知與和有關,所以雜質濃度不同接觸電勢差也不同. 硅pn結,、反偏1V時的能帶圖.解 =正偏:反偏: 硅pn結的雜質濃度分別為,n區(qū)和p區(qū)的寬度大于少數(shù)載流子擴散長度,結面積=1600,取,計算(1)在T=300K下,正向電流等于1mA時的外加電壓；(2)要使電流從1mA增大到3mA,外加電壓應增大多少?(3)維持(1)的電壓不變,當溫度 T由300K上升到400K時,電流上升到多少?解 (1) (2)(3) ... ... 根據(jù)理想的pn結電流電壓方程，計算反向電流等于反向飽和電流的70%時的反偏電壓值。(1) 發(fā)射結注入效率。(3)穿通電壓。(5)共發(fā)射極電流增益。解 已知npn非均勻基區(qū)晶體管的有關參數(shù)為,電子擴散系數(shù),本征基區(qū)方塊電阻,計算其電流放大系數(shù).解 基區(qū)輸運系數(shù)（基區(qū)寬度，基區(qū)少子擴散長度）,發(fā)射結注入效率(amp。穿通電壓，冶金基區(qū)的擴展 簡要說明JFET的工作原理解 N溝道和P溝道結型場效應管的工作原理完全相同，現(xiàn)以N溝道結型場效應管為例，分析其工作原理。在漏源極間加一正電壓()，使N溝道中的多數(shù)載流子電子在電場作用下由源極向漏極作漂
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