【摘要】海南風光第14講,P型硅,N型硅PN結及半導體二極管穩(wěn)壓二極管半導體三極管第10章半導體器件本征半導體現(xiàn)代電子學中,用的最多的半導體是硅和鍺,它們的最外層電子(價電子)都是四個。Si硅原子Ge鍺原子§半導體的基本知識通過一定的
2025-04-11 23:13
【摘要】名詞解釋本征半導體本征半導體不含雜質且無晶格缺陷的半導體稱為本征半導體。名詞解釋N型半導體也稱為電子型半導體,其自由電子濃度進大于空穴濃度的雜質半導體。在純凈的硅晶體中摻入五價元素(如磷、砷、銻等),使乊取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半導體。在N型半導體中,自由電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子,主要靠自由電子導電。自由
2025-02-02 06:43
【摘要】第一篇半導體中的電子狀態(tài)習題1-1、什么叫本征激發(fā)?溫度越高,本征激發(fā)的載流子越多,為什么?試定性說明之。解:在一定溫度下,價帶電子獲得足夠的能量(≥Eg)被激發(fā)到導帶成為導電電子的過程就是本征激發(fā)。其結果是在半導體中出現(xiàn)成對的電子-空穴對。如果溫度升高,則禁帶寬度變窄,躍遷所需的能量變小,將會有更多的電子被激發(fā)到導帶中。1-2、試定性說明Ge、Si的禁帶寬度具有負溫
2025-05-11 23:10
【摘要】第一章半導體中電子狀態(tài)(二)量子力學初步第一朵烏云出現(xiàn)在光的波動理論上,第二朵烏云出現(xiàn)在關于能量均分的麥克斯韋-玻爾茲曼理論上世紀之交的1900年,經(jīng)典物理學輝煌的大廈已近完成。物理學泰斗開爾文爵士在物理學大會的演講中宣布:“Thereisnothingnewtobediscoveredin
2025-06-18 22:23
【摘要】第一章半導體中的電子狀態(tài)?半導體的晶格結構和結合性質?半導體中電子狀態(tài)和能帶?半導體中電子的運動和有效質量?半導體中載流子的產生及導電機構?半導體的能帶結構1、金剛石型結構和共價鍵?化學鍵:構成晶體的結合力.?共價鍵:由同種晶體組成的元素半導體,其
2025-03-07 16:52
【摘要】半導體物理教材:劉恩科王延來15124750239固體物理的分支半導體的微觀結構和宏觀物理特性的關系物理特性電學特性微觀結構原子排列的方式、鍵合結構、電子的運動狀態(tài)等學習要求深刻理解概念、物理機制48學時,3學分,閉卷考試,平時30%,期末70%第一章半導體中的電子狀態(tài)n半導體材料分類n晶體材料:單晶和多晶
【摘要】半導體物理學主講人:代國章物理樓110室,13786187882Email:?課程代碼:14010022?課程性質:專業(yè)課程/選修課學分:?時間:周三(9,10)、(單周)周四(3,4)?教室:B座111?課程特點:內容廣、概念多,理論和系統(tǒng)性較強。?課程要求:著重物理概
2025-02-02 07:03
【摘要】內容:?黑體輻射與能量量子化的假設?光電效應?康普頓效應?氫原子光譜與玻爾的氫原子理論?微觀粒子的波粒二象性?測不準關系?薛定鄂方程?無限深勢阱中的粒子?激光原理?晶體點陣及電子波在周期勢場中的傳播應用Atoms(原子核)(外層電子、價帶電子)(激發(fā)態(tài)電子)Moretha
2025-06-22 18:14
【摘要】NewGenerationofHigh–PowerSemiconductorClosingSwitchesforPulsedPowerApplicationsI.IntroductionSolidstatesemiconductorswitchesareveryinvitingtouseatpulsedpowersystemsbeca
2025-08-16 04:43
【摘要】摘要隨著信息時代的到來,傳感器技術得到了快速發(fā)展,其應用領域越來越廣泛,對其要求越來越高,需求越來越迫切。傳感器技術已成為衡量一個國家科學技術發(fā)展水平的重要標志之一。隨著人們生活水平的提高,智能化的液體加熱制冷類家電越來越多地出現(xiàn)在人們的日常生活中,這些產品大多采用發(fā)熱管或PTC熱敏電阻進行加熱,僅僅具有加熱功能;而使用半導體制冷片可以具備加熱和制冷雙重功能,但缺陷是傳統(tǒng)的半導體
2024-09-15 03:42
【摘要】第三章晶閘管§普通晶閘管Thyristor硅可控整流器,可控硅,SCR。一、結構:四層PNPN結構,三端器件符號正向阻斷:A—K接正電壓,J2反偏,漏電流很小。反向阻斷:A—K接負電壓,J1,J3反偏,漏電流很小。等效電路:由PN
2025-06-17 01:43
【摘要】第六章可關斷晶閘管(GTO)特點:是SCR的一種派生器件;具有SCR的全部優(yōu)點,耐壓高、電流大、耐浪涌能力強,造價便宜;為全控型器件,工作頻率高,控制功率小,線路簡單,使用方便?!霨TO結構及工作原理GateTurn-offThyristor——GTO一、結構:四層PNPN結構,三端器件;特點:①
2025-06-18 06:14
【摘要】半導體光電子學的新進展RecentProgressonSemiconductorBasedOpto-electronicDevices羅毅YiLUO集成光電子國家重點實驗室清華大學電子工程系StateKeyLabonIntegratedOptoelectronics
2025-02-02 06:44
【摘要】如何控制和補償半導體制冷器摘要在很多需要精密溫度控制的設備中經(jīng)??梢钥吹桨雽w制冷器。對溫度及其敏感的組件往往與TEC和溫度監(jiān)視器集成到一個單一熱工程模塊。半導體制冷器也可以通過翻轉電流而制熱。TEC非常小的體積為精密控制單個組件(例如,光纖激光器驅動器,高精度的參考電壓或任何溫度敏感型設備)的溫度提供了可能。此應用手冊簡要討論TEC設計的起源和歷史,然后概述了TEC基本操作。隨
2024-08-17 16:01
【摘要】第四章電力晶體管§GTR結構雙極型大功率、高反壓晶體管——GTR(巨型晶體管)GiantTransistor三層半導體材料,兩個PN結(NPN型、PNP型)。一、工藝特點三重擴散;叉指型基極和發(fā)射極;特點:發(fā)射區(qū)高濃度摻雜基區(qū)很薄(幾um—幾十um)N-摻雜