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半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)-在線瀏覽

2025-02-02 06:43本頁面
  

【正文】 胞數(shù))個(gè) k狀態(tài),故每個(gè)能帶中有 N個(gè)能級(jí); c. 每個(gè)能級(jí)最多可容納自旋相反的兩個(gè)電子,故 每個(gè)能帶中最多可容納 2N個(gè)電子。 而對(duì)部分填充的帶,將產(chǎn)生宏觀電流( 2)導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體的能帶模型 導(dǎo)帶 禁帶 價(jià)帶( 3)本征激發(fā)n 在一定溫度下,價(jià)帶電子被激發(fā)成為導(dǎo)帶電子的過程 激發(fā)前 激發(fā)后 導(dǎo)帶電子導(dǎo)帶底價(jià)帶頂 價(jià)帶電子 空的量子態(tài)(空穴) 167。3 半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng) 有效質(zhì)量 n E( K)與 K的關(guān)系n 假設(shè) E( 0)為帶頂或帶底能量,將 E( k)在 k=0附近展成泰勒級(jí)數(shù): 電子有效質(zhì)量n 由( 3)式可以見到:(1)對(duì)于能帶頂?shù)那樾危捎?E( k) E(0),故 電子有效質(zhì)量為負(fù)(2)對(duì)于能帶底的情形,由于 E( k) E(0)故 電子有效質(zhì)量為正n 2 半導(dǎo)體中電子的平均速度n 由波粒二象性可知,電子的速度 V與能量之間有與自由電子的速度類似只是以 代換注意:能帶底 K為正值時(shí), V為正; 能帶頂 K為正值時(shí), V為負(fù) 3 半導(dǎo)體中電子的加速度 引入電子有效質(zhì)量
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