ic制造流程簡介-在線瀏覽
2024-09-02 21:05本頁面
【正文】 (100KeV for ?m now) (2) Advanced process： 10 KeV 3 MeV (?m) (3) Ramp。 Strip 基本制程 原理： 在晶片表面上覆上一層感光材料，來自光源的平行光透過光罩的圖形，使得晶片表面的感光材料進(jìn)行選擇性的感光。 前者主要執(zhí)行邏輯的運(yùn)算如電腦的微處理器后者則如只讀器 READ ONLY 及隨機(jī)處理器 RANDOM ACCESS MEMORY等。 集成電路（ IC) 是指把特定電路所需的各種電子元件及線路縮小并制作在大小僅及 2平方公分或更小的面積上的一種電子產(chǎn)品。 N型半導(dǎo)體的多數(shù)載體是電子。 P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載體是電洞。IC制造流程簡介 基本概念 半導(dǎo)體是指導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料，其指四價硅中添加三價或五價化學(xué)元素而形成的電子元件，它有方向性，可以用來制造邏輯線路使電路具有處理資訊的功能。 半導(dǎo)體的傳導(dǎo)率可由攙雜物的濃度來控制：攙雜物的濃度越高，半導(dǎo)體的電阻系數(shù)就越低。硼是 P型的摻雜物。磷，砷，銻是 N型的攙雜物。 集成電路主要種類有兩種：邏輯 LOGIC及記憶體 MEMORY。 集成電路 (IC)產(chǎn)業(yè)主要分為設(shè)計(jì) ?生產(chǎn) ?測試 ?封裝四個階段 . 集成電路的生產(chǎn)主要分三個階段： 基本概念 紀(jì)律 創(chuàng)造品質(zhì) 集成電路 (IC)的制造 IC測試與封裝 PACKAGE 硅鏡片 WAFER的制造 基本制程 Wafer Start CMP Oxidation PVD, CVD Wafer Cleaning Photolithography Etch (Dry or Wet) Annealing Implantation Ash amp。 感光材料： 正片－經(jīng)過顯影 (Development)， 材料所獲得的圖案與光罩上相同稱為正片。D process： KeV 5 KeV 離子植入制程 (IMP) 1 Dopant Source Ion Source Mass Analysis Accelerator Scanner Electron Shower Extractor Farady Cap 離子植入制程 (IMP) 2 Parameters ? Doping elementsselection ? Scanning uniformity control ? Temperature control ? Concentration control Factors ? The selection of the ion resource ? The design of
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