模擬ic設(shè)計流程總結(jié)-在線瀏覽
2024-09-15 08:39本頁面
【正文】 EGORIAN 7 Analog Design for CMOS VLSI Systems Franco Maloberti 9 CMOS MixedSignal Circuit Design Baker,Harry W. Li,David E. Boyce 10 Analog MOS Integrated Circuits II Paul R. Gray/Bruce A. Wooley/Robert W. Brodersen 11 Fundamentals of Power Electronics Erickson, Robert W. 12 Switching Power Supply Design Pressman, Abraham I. 13 Power Electronics :Circuits,Devices and Applications Muhammad H. Rashid 14 Modern DC toDC Switchmode Power Converter Circuits Severns, Rudolf P. Bloom, Gordon, Ed. 微固學(xué)院 功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室 逆向設(shè)計 逆向設(shè)計： 借鑒以前成功的經(jīng)驗(yàn) 周期短 見效快 正向設(shè)計： 提供系統(tǒng)解決方案 周期長 系列性 正向設(shè)計 逆向設(shè)計 微固學(xué)院 功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室 逆向設(shè)計時的注意事項(xiàng) (一 ) ? 多讀 SPEC，加深對芯片的理解。 ? 查找是否有 Reliability Report，這對判斷芯片的 PIN腳有幫助。 ? 提取版圖是一個需要 細(xì)心和耐心 的過程。 ? 按照版圖的布局分塊提取版圖，注明晶體管的類型，遵循版圖原狀，不要合并晶體管。 由下至上，提高效率 。熟悉書上的電路是關(guān)鍵。 ? 劃分電路功能模塊時，要 多看 SPEC，要有 系統(tǒng)的觀念 ，從整個系統(tǒng)出發(fā)進(jìn)行劃分。 ? 提前準(zhǔn)備好芯片的外圍器件 model，為 整體仿真做好準(zhǔn)備。要做好每次仿真的記錄說明 ，尤其是對 list的修改。不必太詳細(xì)，但要重點(diǎn)突出，容易理解。 ? （ 2）確定電路中 MOS管的最小 W和 L，數(shù)字電路部分和開關(guān) 控制管一般取最小 W和 L。 ? （ 4）搭建系統(tǒng)框圖，確定主回路 (實(shí)現(xiàn)主要功能所需模塊 )。 微固學(xué)院 功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室 ? （ 6）子電路仿真 (功能驗(yàn)證、參數(shù)仿真、容差分析 )。 ? （ 8）撰寫 Design Note和 Simulation Report，做好前端設(shè)計 的結(jié)案數(shù)據(jù)。標(biāo)明走大電流的信號線，給出 確定的電流值；標(biāo)明需要匹配的器件；標(biāo)明電路中 的噪聲源及對噪聲敏感的信號線；標(biāo)明需要特別注 意的地方。 正向設(shè)計 微固學(xué)院 功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室 實(shí)例：電壓基準(zhǔn)源的設(shè)計 等效電路圖分析 2 4 2 4 213 3 3 1 1( ) l n ( )R E F E B TR R R R RV V V nR R R R R? ? ? ?微固學(xué)院 功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室 電壓基準(zhǔn)源實(shí)際電路圖 增加了 RC網(wǎng)絡(luò)改善基準(zhǔn)電壓的性能 微固學(xué)院 功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室 主要內(nèi)容 前端設(shè)計 2 后端設(shè)計工具 4 緒 論 3 1后端設(shè)計 3 結(jié) 論 3 5微固學(xué)院 功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室 后端設(shè)計流程 微固學(xué)院 功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室 版圖設(shè)計書籍 微固學(xué)院 功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室 后端設(shè)計步驟 后端設(shè)計主要步驟如下： ? （ 1）熟讀 Foundry提供的 Design Rules，正確理解每一條 掩模設(shè)計規(guī)則。 ? （ 2）確定芯片的封裝形式，做好
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