固體的能帶結(jié)構(gòu)-在線瀏覽
2024-08-31 20:29本頁面
【正文】 帶結(jié)構(gòu) ,滿帶與空帶之間也是禁帶， 但是 禁帶很窄 （ ?E g 約 ～ 2 eV )。 絕緣體 半導(dǎo)體 導(dǎo)體 14 167。 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能在導(dǎo)體與絕緣體 之間。 15 例 . 半導(dǎo)體 Cd S 滿 帶 空 帶 h? ?Eg= 16 這相當于產(chǎn)生了一個帶正電的粒子 (稱為 “空穴” ) , 把電子抵消了。 17 空帶 滿帶 空穴下面能級上 的電子可以躍遷 到空穴上來 , 這相當于空穴 向下躍遷。 ?Eg 在外電場作用下 , 18 ?解 ? ???hchEg ??nm.s/msJ.Ehcgm a x5 1 410614221031063619834?????????????上例中 ,半導(dǎo)體 Cd S激發(fā)電子 , 光波的波長最大多長？ 19 為什么半導(dǎo)體的電阻 隨溫度升高而降低？ 20 二 . 雜質(zhì)半導(dǎo)體 １ . n型半導(dǎo)體 四價的本征半導(dǎo)體 Si、Ｇｅ等，摻入少量五價的 雜質(zhì) （ impurity） 元素（如 P、 As等）形成電子型半導(dǎo)體 ,稱 n 型半導(dǎo)體。 該能級稱為 施主 （ donor） 能級。 量子力學(xué)表明，這種摻雜后多余的空穴的 能級在禁帶中緊靠滿帶處， ?ED～ 102eV， 極易產(chǎn)生空穴導(dǎo)電。 23 空 帶 ?Ea 滿 帶 受主能級 P型半導(dǎo)體 Si Si Si Si Si Si Si + B ?Eg 在 p型半導(dǎo)體中 空穴 …… 多數(shù)載流子 電子 …… 少數(shù)載流子 24 3. n型化合物半導(dǎo)體 例如，化合物 GaAs中摻Ｔｅ，六價的 Te 替代五價的 As可形成施主能級， 成為 n型 GaAs雜質(zhì)半導(dǎo)體。 25 三 . 雜質(zhì)補償作用 實際的半導(dǎo)體中既有施主雜質(zhì)（濃度 nd）， 又有受主雜質(zhì)（濃度 na）， 兩種雜質(zhì)有補償作用： 若 nd?na—— 為 n型（施主） 若 nd?na—— 為 p型（受主） 利用雜質(zhì)的補償作用， 可以制成 PＮ結(jié)。 4 Ｐ Ｎ結(jié) 一 .Ｐ Ｎ結(jié)的形成 在一塊 n 型半導(dǎo)體基片的一側(cè)摻入 較高濃度的受主雜
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