透明導(dǎo)電薄膜tco之原理及其應(yīng)用發(fā)展-在線瀏覽
2024-08-30 06:02本頁面
【正文】 是良好透明導(dǎo)電膜。 ITO是什麼？ ?ITO＝ Indium Tin Oxide(In2O3＋ SnO2) ?? ?ITO的成分＝ 90wt% In2O3與 10wt% SnO2混合物 Why choose ITO ? ?在 TCO材料中有最佳的導(dǎo)電性 (電阻比低 ) ?在可見光波段有良好的透光度 ?良好的耐候性，受環(huán)境影響小 ?大面積鍍膜製程容易 (成熟 ) ?蝕刻製程容易 (成熟 ) ?成本低 ? ITO之組成及特性 ITO 組成在 In2O3/SnO2 = 90/10時(shí) ?? ?最低的電阻比 及 最高的光穿透率 ITO 組成在 In2O3/SnO2 = 90/10時(shí) ?? ?最快的蝕刻速率 ITO成膜時(shí)基板溫度： 200186。 2. 價(jià)格比 ITO 便宜 ( 200% cost saving) 。 4. 耐化性比 ITO 差，通常以添加 Cr、 Co 於 ZnO系材料中來 提高其耐化性 。C ?材料之導(dǎo)電率 σ σ = neμ 其中 n = 載子濃度 (就 TCO材料包括電子及電洞 ) e：載子的電量 μ：載子的 mobility TCO中導(dǎo)電性最好的 ITO，載子濃度約 1018~1019 cm3 ﹙ 金屬載子濃度約 1022 ~10~23 cm3﹚ TCO薄膜的導(dǎo)電原理 載子由 摻雜物的混入 及 離子的缺陷生成 TCO薄膜的導(dǎo)電原理 ?載子的 mobility (μ) μ = eτ/εom* τ： relaxation time (載子移動(dòng)時(shí)由此次散射到下一次散射的時(shí)間 ) m*：載子的有效質(zhì)量 εo：真空中之介電常數(shù) ?? ?要提昇載子的 mobility ? τ↑：與 TCO 薄膜的結(jié)構(gòu)有關(guān)。 (extrinsic effect) ? m*↓：取決於 TCO 材料。 ?通常，面電阻 (surface resistance, γ) or (sheet resistance, Rs) 被定義為薄膜表面之電阻 面電阻 Rs = ρ (L/D) cm (18197。 ?載子密度增加會(huì)影響透明性 ?電漿頻率 ω = (4πne2/m*)1/2 載子濃度 n增加， ω變大，光吸收範(fàn)圍
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