干法腐蝕工藝培訓(xùn)講義全-在線瀏覽
2024-08-07 06:24本頁面
【正文】 . . ..學(xué)習(xí)好幫手二、 反應(yīng)離子腐蝕三、 平板反應(yīng)離子腐蝕與平板等離子腐蝕的區(qū)別.. . . ..學(xué)習(xí)好幫手1． 平板等離子腐蝕設(shè)備上下極板基本對(duì)稱、面積相近，等離子邊界與接地下平板間的電壓降通常較?。ń俜?，腐蝕主要是化學(xué)反應(yīng)過程，腐蝕選擇性好。[RIE(2)]2． 反應(yīng)離子腐蝕裝置中兩個(gè)極板的面積不等；硅片放在射頻電源電極陰極上；反應(yīng)壓力更低。干法腐蝕工藝過程中包含 6STEPS ：STEP1：氣體進(jìn)入腔體，在高頻電場的作用下，電子/分子碰撞產(chǎn)生反應(yīng)基.. . . ..學(xué)習(xí)好幫手團(tuán)。STEP3：反應(yīng)基被吸附在表面。STEP5：反應(yīng)生成物解吸附發(fā)生。第三章 常用材料的等離子體腐蝕原理與工藝1．POLYSI，SI3N4，SIO2 的等離子腐蝕 通常使用含 F 的腐蝕性氣體，如 CF4 CF4 CF3+F* CF3 CF2+F* CF2 CF+F* Si+4F* SiF4 SiO2+4F* SiF4 +O2 Si3N4+12F* 3SiF4 +2N2 CFx（x≤3）與 SiO2，SiN4 的反應(yīng)速率比與 Si 的反應(yīng)速率快。在 CF4 中加入少量 O2 可增加Si， SiO2， Si3N4 的腐蝕速率，原因是氧可以抑制 F 游離基在反應(yīng)腔壁的損失，還有 CF4+O2 F*+O*+COF*+COF2+CO+…，上式中的 COF*壽命較長，當(dāng)它運(yùn)動(dòng)到樣品表面時(shí)發(fā)生下述反應(yīng)：COF* F*+CO .. . . ..學(xué)習(xí)好幫手4F*+Si SiF4 2. AL 的等離子腐蝕 因?yàn)?ALF3 是一種低揮發(fā)性物質(zhì)，因而不能采用 CF4 作為腐蝕劑，通常用氯化物（SiCL4，BCL3） 。在腐蝕鋁之前，必須首先去除自然氧化層。 在腐蝕 AL 的工藝中最長遇到的就是 AL 的后腐蝕問題。所以一般在腐蝕后立即通入含碳氟化物，以置換 CL 離子。 表一：常用材料的腐蝕劑待蝕材料 腐蝕劑Si（單晶） CF4，CF4+O2多晶硅 CF4，CL2/HBR ，SF6，BCL3/CL2AL， ALSi，ALSiCu CL2，BCL3，SiCL4，BCL3/CL2/CHF3SiO2（BPSG） CF4，C2F6，CHF3Si3N4 SF6，CF4 第四章 在線干法腐蝕設(shè)備結(jié)構(gòu)/原理簡介 在腐蝕工藝過程中需要特別考慮的常見事項(xiàng)有：.. . . ..學(xué)習(xí)好幫手1． PROFILE2． CD LOSS3． OXIDE LOSS4． ETCH RATE5． ETCH UNIFORMITY6． SELECIVITY一．OXIDE 腐蝕 6” 主要有 LAM384T，ASIQ ，P5KOXIDE；5” 主要有 AME8111。其中 CHF3 是產(chǎn)生 POLYMER 的主要?dú)怏w，可以提高對(duì) Si/POLYSi，PR 的選擇比； 調(diào)整 CHF3/CF4 的比例，可以控制 POLYMER 的產(chǎn)生；Ar 為惰性氣體，可以運(yùn)載離子，增強(qiáng)離子轟擊，幫助控制 POLYMER，調(diào)整 PROFILE；He 為背面冷卻氣體。 384T 為三電極式結(jié)構(gòu)（見下圖示） ，ASIQ 為 4 個(gè)腔體的384T，P
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