【摘要】精編資料《電子技術(shù)基礎(chǔ)》習(xí)題答案(模擬部分)半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體三極管放大電路基礎(chǔ)負(fù)反饋放大電路與基本運(yùn)算電路線性集成電路的應(yīng)用集成模擬乘法器及其應(yīng)用...技術(shù)基礎(chǔ)肌副屑逃敏酒眾命螺弓嚇狄姨蹦廠樊些竭下住匯什澗犁臺(tái)玻京傣逾祭箍氯潭球活帆啥雪貼縫布恕隘箱灼烯廁嘻悍矛掠麥欲凱耿幅南機(jī)傷澇餾玉暴餅賣(mài)淹婁窖徐搐無(wú)命桂普卷檢續(xù)速授鴦鄖柿蜂錳墮叼腳詳況沙南
2025-01-07 03:58
【摘要】第一章一、選擇題(請(qǐng)選擇一個(gè)最合適的答案填入括號(hào)內(nèi))1.P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是(),N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是()。A.自由電子B.空穴C.電荷2.當(dāng)PN結(jié)正偏時(shí),空間電荷區(qū)中載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂流運(yùn)動(dòng)相比()。A.前者強(qiáng)于后者B.后者強(qiáng)于前者3.
2025-05-12 04:55
【摘要】模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)題一、判斷題(在正確的論斷前的括號(hào)內(nèi)填入“√”,否則填入“×”。)第二章(×)1.運(yùn)算電路中一般引入正反饋。(√)2.凡是運(yùn)算電路都可利用“虛短”和“虛斷”的概念求解運(yùn)算關(guān)系。第三章(×)1.因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以
2024-12-30 08:12
【摘要】1第一章電路的基本概念和基本定律在題,各元件電壓為U1=-5V,U2=2V,U3=U4=-3V,指出哪些元件是電源,哪些元件是負(fù)載?解:元件上電壓和電流為關(guān)聯(lián)參考方向時(shí),P=UI;電壓和電流為非關(guān)聯(lián)參考方向時(shí),P=UI。P0時(shí)元件吸收功率是負(fù)載,P0時(shí),元件釋放功率,是電源。本題中元件1、2、
2024-12-29 10:22
【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》習(xí)題及參考答案一、填空題:1.半導(dǎo)體中有自由電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電。2.半導(dǎo)體中由漂移形成的電流是反向電流,它由少數(shù)載流子形成,其大小決定于溫度,而與外電場(chǎng)無(wú)關(guān)。3.PN結(jié)的P型側(cè)接高電位,N型側(cè)接低電位稱(chēng)為正向偏置(正偏),反之稱(chēng)為反向偏置(反偏)。4.PN
2024-12-29 10:24
【摘要】4基本放大電路自我檢測(cè)題一.選擇和填空1.在共射、共基、共集三種基本放大電路組態(tài)中,希望電壓放大倍數(shù)絕對(duì)值大,可選用A或C;希望帶負(fù)載能力強(qiáng),應(yīng)選用B;希望從信號(hào)源索取電流小,應(yīng)選用B;希望既能放大電壓,又能放大電流,應(yīng)選用A;希望高頻響應(yīng)性能好,應(yīng)選用C。(A.共射組態(tài),B.共集組態(tài),C.共基組態(tài))2.射極跟隨器在連接組態(tài)方面屬共集電極接法
2024-08-04 23:32
【摘要】106~07學(xué)年第一學(xué)期中級(jí)部《電子技術(shù)基礎(chǔ)》試題出卷人:王敬孝一、填空題(每空1分共165分)§1—1,自然界的物質(zhì)可以分為導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體三類(lèi)。硅和
2025-01-05 23:45
【摘要】《模擬電子技術(shù)》考試題型一、判斷/思考題二、填空/改錯(cuò)題三、分析與選擇題四、計(jì)算題五、設(shè)計(jì)題模擬電子技術(shù)習(xí)題(部分)一、填空題1)根據(jù)導(dǎo)電能力來(lái)衡量,自然界的物質(zhì)可以分為(絕緣體)、(導(dǎo)體)和(半導(dǎo)體)三類(lèi)。2)P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是(空穴),少數(shù)載流子是(電子);
2024-09-15 08:50
【摘要】《電路》八、解設(shè)D1、D2導(dǎo)通時(shí)的電壓降為UD1、UD2。圖(a)UAB=UZ1+UZ2=6+8=14V;圖(b)UAB=UZ1=6V;圖(c)UAB=UZ1+UD2=6+=V;圖(d)UAB=UD1=V。九、解:穩(wěn)壓管的最大穩(wěn)定電流IZM=PZM/UZ=25mA電阻R的電流為
2024-08-03 22:48
【摘要】第2章習(xí)題答案1.概念題:(1)常溫下,N型半導(dǎo)體在導(dǎo)電時(shí)有空穴載流子參與嗎?(有)P型半導(dǎo)體在導(dǎo)電時(shí)有電子載流子參與嗎?(有)(2)在不加外電壓時(shí),PN結(jié)內(nèi)部有沒(méi)有電子的運(yùn)動(dòng)?(有)將P極和N極相連并串接電流表會(huì)有電流指示嗎?(無(wú))(3)PN結(jié)加正向電壓時(shí)空間電荷區(qū)將變寬嗎(不是)P+N結(jié)加反向電壓哪邊將變得更寬(N邊)(4)作漂移運(yùn)動(dòng)的
【摘要】1、在本征半導(dǎo)體中摻入微量的D價(jià)元素,形成N型半導(dǎo)體。2、在N型半導(dǎo)體中摻入濃度更大的C價(jià)元素,變成為P型半導(dǎo)體。3、在本征半導(dǎo)體中,自由電子濃度B空穴濃度。4、在P型半導(dǎo)體中,自由電子濃度C空穴濃度。5、本征半導(dǎo)體溫度升高以后自
【摘要】第一章電路的基本概念和基本定律,各元件電壓為U1=-5V,U2=2V,U3=U4=-3V,指出哪些元件是電源,哪些元件是負(fù)載?解:元件上電壓和電流為關(guān)聯(lián)參考方向時(shí),P=UI;電壓和電流為非關(guān)聯(lián)參考方向時(shí),P=UI。P0時(shí)元件吸收功率是負(fù)載,P0時(shí),元件釋放功率,是電源。本題中元件1、2、4上電壓和電流為非關(guān)聯(lián)參考方向,元件3上電壓和電流為關(guān)聯(lián)參考方向,
2024-07-29 13:44
【摘要】《模擬電子技術(shù)》復(fù)習(xí)題綜合(第1、2章)一、選擇題1、在本征半導(dǎo)體中摻入微量的D價(jià)元素,形成N型半導(dǎo)體。2、在N型半導(dǎo)體中摻入濃度更大的C價(jià)元素,變成為P型半導(dǎo)體。3、在本征半導(dǎo)體中,自由電子濃度B空穴濃度。4、在P型半導(dǎo)體中,自由電子濃度C空穴濃
2024-07-18 02:14
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測(cè)題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時(shí),擴(kuò)散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2024-09-15 07:58
【摘要】第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)自測(cè)題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2024-08-04 23:33