模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題-在線瀏覽

【摘要】《模擬電子技術(shù)》考試題型一、判斷/思考題二、填空/改錯題三、分析與選擇題四、計算題五、設(shè)計題模擬電子技術(shù)習(xí)題（部分）一、填空題1）根據(jù)導(dǎo)電能力來衡量，自然界的物質(zhì)可以分為（絕緣體）、（導(dǎo)體）和（半導(dǎo)體）三類。2）P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是（空穴），少數(shù)載流子是（電子）；

2024-09-15 08:50

模擬電子技術(shù)習(xí)題(部分)-在線瀏覽

【摘要】模擬電子技術(shù)習(xí)題（部分）教材：《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》（第四版）華中理工大學(xué)康華光主編制作：安徽理工大學(xué)電氣工程系黃友銳第二章習(xí)題解答晶體管器件A:D導(dǎo)通，VAO=－6VB:D截止，VAO=－12VC:D1導(dǎo)通，D2截止，VAO=0VD:D1截止，D2導(dǎo)通，VAO=－6V習(xí)題習(xí)題解題的原則：先

2025-02-03 09:16

模擬電子技術(shù)習(xí)題部分-在線瀏覽

【摘要】模擬電子技術(shù)習(xí)題（部分）教材：《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》（第四版）華中理工大學(xué)康華光主編制作：安徽理工大學(xué)電氣工程系黃友銳第二章習(xí)題解答晶體管器件A:D導(dǎo)通，VAO=－6VB:D截止，VAO=－12VC:D1導(dǎo)通，D2截止，VAO=0VD:D1截止，D2導(dǎo)通，VAO=－6V

2024-11-03 21:57

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題參考答案-在線瀏覽

【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》習(xí)題及參考答案一、填空題：1.半導(dǎo)體中有自由電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電。2.半導(dǎo)體中由漂移形成的電流是反向電流，它由少數(shù)載流子形成，其大小決定于溫度，而與外電場無關(guān)。3.PN結(jié)的P型側(cè)接高電位，N型側(cè)接低電位稱為正向偏置（正偏），反之稱為反向偏置（反偏）。4.PN

2024-12-29 10:24

電子技術(shù)基礎(chǔ)(模擬部分)試卷二及答案-在線瀏覽

【摘要】試卷二系別學(xué)號姓名成績考試課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)考試日期2002年１２月１２日題號一二三四五六七八九總分分?jǐn)?shù)得分核分人閱卷人

2025-07-18 12:20

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)答案-在線瀏覽

【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度，而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時，擴散電流大于漂移電流，耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時，擴散電流小于漂移電流，耗盡層變寬。3、在N型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。二．

2024-09-15 07:58

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)答案-在線瀏覽

【摘要】第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識自測題一、（1）√（2）×（3）√（4）×（5）√（6）×二、（1）A（2）C（3）C（4）B（5）AC三、UO1≈UO2＝0UO3≈－UO4≈2VUO5≈UO6≈－2V四、UO1＝6VUO2＝5V五、根據(jù)PCM＝200mW可得：UCE＝40

2024-08-04 23:33

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題-在線瀏覽

【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題第三章雙極型晶體管及其放大電路第四章場效應(yīng)晶體管及其基本放大電路第五章集成運算放大器及其應(yīng)用第六章負反饋放大電路第七章功率放大電路第九章波形發(fā)生和變換電路第八章有源濾波器第一章電子系統(tǒng)基礎(chǔ)知識第二章半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電路第十章直流穩(wěn)壓

2025-06-18 06:11

模擬電子技術(shù)習(xí)題答案-在線瀏覽

【摘要】1模擬電子技術(shù)習(xí)題答案電工電子教學(xué)部2第一章緒論一、填空題：1.自然界的各種物理量必須首先經(jīng)過傳感器將非電量轉(zhuǎn)換為電量，即電信號。2.信號在頻域中表示的圖形或曲線稱為信號的頻譜。3.通過傅立葉變換可

2025-01-10 06:22

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)各章習(xí)題-在線瀏覽

【摘要】1《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》各章習(xí)題2第一章常用半導(dǎo)體器件自測題一、判斷下列說法是否正確，用“√”和“×”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。（1）在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價元素，可將其改型為P型半導(dǎo)體。（）（2）因為

2025-01-04 00:49

電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題答案-在線瀏覽

【摘要】....第1章檢測題（共100分，120分鐘）一、填空題：（，共25分）1、N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的五價元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子，少數(shù)載流子為空穴，不能移動的雜質(zhì)離子帶正電。P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的三價元素組

2024-08-03 15:22

電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題答案-在線瀏覽

【摘要】第1章檢測題（）一、填空題：（）1、N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的五價元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子.少數(shù)載流子為空穴.不能移動的雜質(zhì)離子帶正電。P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的三價元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為空穴.少數(shù)載流子為自由電子.不能移動的雜質(zhì)離子帶負電。2、三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由發(fā)射區(qū)、基區(qū)

2024-09-15 09:36

模擬電子技術(shù)習(xí)題配答案-在線瀏覽

【摘要】1目錄習(xí)題一????????????一、填空題???????????二、判斷題???????????三、選擇題???????????四、問答題???????????五、分析計算題?????????習(xí)題二????????????一、填空題???????????二、判斷題??????

2025-01-07 05:52

模擬電子技術(shù)習(xí)題與答案-在線瀏覽

【摘要】1.填空（1）N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入；P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入。（2）當(dāng)溫度升高時，二極管的反向飽和電流會。（3）PN結(jié)的結(jié)電容包括和。（4）晶體管的三個工作區(qū)分別是

2025-01-01 08:43

模擬電子技術(shù)習(xí)題及答案-在線瀏覽

【摘要】模擬電子技術(shù)第1章半導(dǎo)體二極管及其基本應(yīng)用1．1填空題1．半導(dǎo)體中有空穴和自由電子兩種載流子參與導(dǎo)電。2．本征半導(dǎo)體中，若摻入微量的五價元素，則形成N型半導(dǎo)體，其多數(shù)載流子是電子；若摻入微量的三價元素，則形成P型半導(dǎo)體，其多數(shù)載流子是空穴。3．PN結(jié)在正偏時導(dǎo)通反偏時截止，這種特性稱為單向?qū)?/span>

2024-08-03 22:43

電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題答案(模擬部分)(編輯修改稿)

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