【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》習題及參考答案一、填空題:1.半導體中有自由電子和空穴兩種載流子參與導電。2.半導體中由漂移形成的電流是反向電流,它由少數(shù)載流子形成,其大小決定于溫度,而與外電場無關(guān)。3.PN結(jié)的P型側(cè)接高電位,N型側(cè)接低電位稱為正向偏置(正偏),反之稱為反向偏置(反偏)。4.PN
2024-12-29 10:24
【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》典型習題解答第一章半導體器件的基礎(chǔ)知識,已知ui=5sinωt(V),二極管導通電壓UD=。試畫出ui與uO的波形,并標出幅值。????????
2024-09-20 11:21
【摘要】 《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》典型習題解答 第一章半導體器件的基礎(chǔ)知識 ,已知ui=5sinωt(V),二極管導通電壓UD=。試畫出ui與uO的波形,并標出幅值。 160。 160。 160。 160?! ?/span>
2025-07-18 00:00
【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》典型習題解答半導體器件的基礎(chǔ)知識1,已知ui=5sinωt(V),二極管導通電壓UD=。試畫出ui與uO的波形,并標出幅值。????????&
2025-07-18 18:04
【摘要】17模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習題冊第一章:基本放大電路習題1-1填空:1.本征半導體是,其載流子是和。載流子的濃度。2.在雜質(zhì)半
2024-09-14 23:33
【摘要】第一章一、選擇題(請選擇一個最合適的答案填入括號內(nèi))1.P型半導體中的多數(shù)載流子是(),N型半導體中的多數(shù)載流子是()。A.自由電子B.空穴C.電荷2.當PN結(jié)正偏時,空間電荷區(qū)中載流子的擴散運動和漂流運動相比()。A.前者強于后者B.后者強于前者3.
2025-05-12 04:55
【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》面向21世紀課程教材清華大學電子學教研組編第三版童詩白華成英主編嘉應(yīng)學院物理系教材:《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》(第三版,童詩白華成英,高等教育出版社)《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)實驗》(楊剛,電子工業(yè)出版社)
2025-03-01 03:07
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)安徽理工大學電氣工程系主講:黃友銳第二十講模擬乘法器的基本原理模擬乘法器的應(yīng)用(簡介)乘法器是又一種廣泛使用的模擬集成電路,它可以實現(xiàn)乘、除、開方、乘方、調(diào)幅等功能,廣泛應(yīng)用于模擬運算、通信、測控系統(tǒng)、電氣測量和醫(yī)療儀器等許多領(lǐng)域。模擬乘法器的基本原理模擬乘法器的基本原理變跨導型模擬乘法
2025-02-03 09:20
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)安徽理工大學電氣工程系主講:黃友銳第十二講負反饋對放大電路性能的影響負反饋是改善放大電路性能的重要技術(shù)措施,廣泛應(yīng)用于放大電路和反饋控制系統(tǒng)之中。負反饋對增益穩(wěn)定性的影響負反饋對輸入電阻的影響負反饋對輸出電阻的影響負反饋對通頻帶的影響負反饋對非線性失真的影響
2024-08-29 20:34
【摘要】清華大學華成英模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)?本課程是入門性質(zhì)的技術(shù)基礎(chǔ)課清華大學華成英一、電子技術(shù)的發(fā)展?47年貝爾實驗室制成第一只晶體管?58年集成電路?69年大規(guī)模集成電路?75年超大規(guī)模集成電路?第一片集成電路只有4個晶體管,而97年一片集成電路上有40億
2024-11-10 15:00
【摘要】云南民族大學教案課程名稱:模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)授課班級:12級電子信息類1班、12級電子信息類2班、12級網(wǎng)絡(luò)工程班、12級電氣類1班、12級電氣類2班任課教師:王 霞職稱:助 教
2024-09-15 08:30
【摘要】專業(yè)班號姓名學號題號一二三四五六七總分得分一、選擇填空(每空2分共24分)1.非線性失真與線性失真(頻率失真)的最主要差別是________。(A)非線性失真使信號波形中任一點的幅值沒有得到
【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》主編:黃瑞祥副主編:周選昌、查麗斌、鄭利君楊慧梅、肖鐸、趙勝穎目錄緒論第1章集成運算放大器理想運算放大器的功能與特性理想運算放大器的電路符號與端口理想運算放大器的功能與特性運算放大器的反相輸入分析閉環(huán)增益輸入、輸出阻抗有限開環(huán)增益的影響加權(quán)加法器運算放大器的同
2024-08-05 22:30
【摘要】第三部分習題與解答習題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質(zhì)半導體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當PN結(jié)外加正向電壓時,擴散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當外加反向電壓時,擴散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2024-09-15 07:58
【摘要】WORD格式整理電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬部分第1章緒論1、寫出下列正弦電壓信號的表達式(設(shè)初始相角為零):(1)峰-峰值10V,頻率10kHz;(2)有效值220V,頻率50Hz;(3)峰-峰值100mV,周期1ms;(4)V,角頻率1000rad/s;解:正
2024-09-15 09:23