【摘要】WORD格式整理第1章電路的基本知識電路的概念(1)略(2)電路通常由電源、負載和中間環(huán)節(jié)(導線和開關)等部分組成。A.電源的作用:將其他形式的能轉(zhuǎn)換成電能。B.負載的作用:將電能轉(zhuǎn)換成其他形式的能。C.中間環(huán)節(jié)的作用:傳遞、分配和控制電能。電路
2024-09-04 12:14
【摘要】第1頁共69頁答案參見我的新浪博客:第一章常用半導體器件自測題一、判斷下列說法是否正確,用“√”和“×”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素,可將其改型為P型半導體。()(2)因為N型半導體的多子是自由電子,所以它帶負電。()
2024-12-28 11:36
【摘要】精編資料《電子技術基礎》習題答案(模擬部分)半導體二極管半導體三極管放大電路基礎負反饋放大電路與基本運算電路線性集成電路的應用集成模擬乘法器及其應用...技術基礎肌副屑逃敏酒眾命螺弓嚇狄姨蹦廠樊些竭下住匯什澗犁臺玻京傣逾祭箍氯潭球活帆啥雪貼縫布恕隘箱灼烯廁嘻悍矛掠麥欲凱耿幅南機傷澇餾玉暴餅賣淹婁窖徐搐無命桂普卷檢續(xù)速授鴦鄖柿蜂錳墮叼腳詳況沙南
2025-01-07 03:58
【摘要】數(shù)字電子技術基礎試題一、填空題:(每空1分,共10分)1.()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=。3.三態(tài)門輸出的三種狀態(tài)分別為:、和。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.用4個觸發(fā)器可以存儲位二進制數(shù)。6.存儲容量為4K×8位的RAM存儲器,其地
2025-08-06 22:45
【摘要】第1章習題及答案.=5V,V,二極管的正向壓降可忽略不計,試分別畫出輸出電壓的波形。解:(a)圖:當E時,=E,當E時,。(c)圖:當E時,。(d)圖:當E時,;當E時,。畫出波形如圖所示。.有兩個穩(wěn)壓管DZ1和DZ2,,。,3V
2024-08-03 22:35
【摘要】《模擬電子技術基礎》習題及參考答案一、填空題:1.半導體中有自由電子和空穴兩種載流子參與導電。2.半導體中由漂移形成的電流是反向電流,它由少數(shù)載流子形成,其大小決定于溫度,而與外電場無關。3.PN結(jié)的P型側(cè)接高電位,N型側(cè)接低電位稱為正向偏置(正偏),反之稱為反向偏置(反偏)。4.PN
2024-12-29 10:24
【摘要】中南大學現(xiàn)代遠程教育課程考試復習題及參考答案《電子技術基礎》模擬電子技術部份第1章 半導體二極管習題選解第2章半導體三極管習題選解第3章放大電路基礎習題選解
【摘要】第1章習題解答(1)單向?qū)щ妼ń刂梗?)硅管鍺管~~(3)最大整流電流最高反向工作電壓(4)將電信號轉(zhuǎn)換成光信號將光信號轉(zhuǎn)換成電信號(5)將交流電網(wǎng)電壓轉(zhuǎn)換成為穩(wěn)定的直流電壓(6)橋式整流(7)將交流電變成單向脈動直流電將脈動的直流電轉(zhuǎn)換成較平滑的直流電(1)(√)(2)(×)(3)(√)(
2024-08-05 20:08
【摘要】中南大學現(xiàn)代遠程教育課程考試(??疲土曨}及參考答案電子技術基礎一、選擇題:1.在雜質(zhì)半導體中,少子濃度主要取決于()(A)摻入雜質(zhì)的濃度、(B)材料、(C)溫度2.測得某PNP型三極管各極點位為:UB=-3VUE=-4VUC=-6V,則該管工作于()(A)放大狀態(tài)、(B)飽和狀
2025-07-18 12:20
【摘要】習題答案第一章數(shù)制和碼制1.數(shù)字信號和模擬信號各有什么特點?答:模擬信號——量值的大小隨時間變化是連續(xù)的。數(shù)字信號——量值的大小隨時間變化是離散的、突變的(存在一個最小數(shù)量單位△)。2.在數(shù)字系統(tǒng)中為什么要采用二進制?它有何優(yōu)點?答:簡單、狀態(tài)數(shù)少,可以用二極管、三極管的開關狀態(tài)來對應二進制的兩個數(shù)。3.二進制:0、1;四進制:0、1、2、3;
2024-08-04 21:34
【摘要】《模擬電子技術》考試題型一、判斷/思考題二、填空/改錯題三、分析與選擇題四、計算題五、設計題模擬電子技術習題(部分)一、填空題1)根據(jù)導電能力來衡量,自然界的物質(zhì)可以分為(絕緣體)、(導體)和(半導體)三類。2)P型半導體的多數(shù)載流子是(空穴),少數(shù)載流子是(電子);
2024-09-15 08:50
【摘要】第一章習題答案 將下列二進制數(shù)變換為相對應的十進制數(shù)N= (1)解:1011B = 1*8+0*4+1*2+1*1= 11(2)解:1000B = 1*8+0*4+0*2+0*1= 8(3)解:1101B = 1*8+1*4+0*2+1*1= 13(4)解:11111111B = 1*128+1*64+1*32+1*16+1*8+
2024-09-04 22:00
【摘要】《電路與電子技術基礎》參考解答習題二2-1求題圖2-1(a)中得Uab以及題圖2-1(b)中得Uab及Ubc。解:(1)圖(a):∴I1I212k36k12VabU2
2024-08-04 04:59
【摘要】中南大學網(wǎng)絡教育課程考試(??疲土曨}及參考答案電子技術基礎一、選擇題:1.在雜質(zhì)半導體中,少子濃度主要取決于()(A)摻入雜質(zhì)的濃度、(B)材料、(C)溫度2.測得某PNP型三極管各極點位為:UB=-3VUE=-4VUC=-6V,則該管工作于()(
2025-01-10 19:42
【摘要】第三部分習題與解答習題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質(zhì)半導體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關系。2、當PN結(jié)外加正向電壓時,擴散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當外加反向電壓時,擴散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2024-09-15 07:58