模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)知識點總結(jié)解析-在線瀏覽
2025-01-07 05:51本頁面
【正文】 2. 輸出特性曲線 （可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)） 轉(zhuǎn)移特性曲線 UP 截止電壓 二 . 絕緣柵型場效應(yīng)管（ MOSFET） 分為增強型（ EMOS）和耗盡型（ DMOS）兩種。 * NDMOS 的輸出特性曲線 注意： uGS 可正、可零、可負(fù)。 三 . 場效應(yīng)管的主要參數(shù) IDSS Up UT RGS gm (表明場效應(yīng)管是電壓控制器件 ) 四 . 場效應(yīng)管的小信號等效模型 EMOS 的跨導(dǎo) gm 9 五 . 共源極基本放大 電路 * 靜態(tài)分析 動態(tài)分析 若帶有 Cs，則 * 靜態(tài)分析 * 動態(tài)分析 若源極帶有 Cs，則 六 .共漏極基本放大電路 * 靜態(tài)分析 10 或 ， * 動態(tài)分析 ， 11 第 三章 多級放大電路 第 四 章 集成運算放大電路 一 . 級間耦合方式 1. 阻容耦合 各級靜態(tài)工作點彼此獨立；能有 效地傳輸交流信號；體積小，成本低。 2. 變壓器耦合 各級靜態(tài)工作點彼此獨立，可以實現(xiàn)阻抗變換。 3. 直接耦合 低頻特性好，便于集成。存在 “零點漂移 ”現(xiàn)象。 二 . 長尾差放電路的原理與特點 1. 抑制零點漂移的過程 當(dāng) T↑→ iC iC2↑→ iE iE2 ↑→ uE↑→ uBE uBE2↓→ iB iB2↓→ iC iC2↓。 2 靜態(tài)分析 1) 計算差放電路 IC 設(shè) UB≈0，則 UE=－ ，得 2) 計算差放電路 UCE ? 雙端輸出時 ? ? 單端輸出時 (設(shè) VT1 集電極接 RL) 對于 VT1： 對于 VT2： 3. 動態(tài)分析 1）差模電壓放大倍數(shù) ? 雙端輸出 ? ? 單端輸出時 從 VT1 單端輸出 ： 從 VT2 單端輸出 ： 12 2）差模輸入電阻 3）差模輸出電阻 ? 雙端輸出： ? 單端輸出 : 三 . 集成運放的電壓傳輸特性 當(dāng) uI在 +Uim與 Uim之間，運放工作在線性區(qū)域 ： 三． 集成運放電路的基本組成 采用差放電路，以減小零漂。 多采用互補對稱電路以提高帶負(fù)載能力。 四． 理想集成運放的參數(shù)及分析方法 1. 理想集成運放的參數(shù)特征 * 開環(huán)電壓放大倍數(shù) Aod→∞； * 差模輸入電阻 Rid→∞； * 輸出電阻 Ro→0； * 共模抑制比 KCMR→∞； 2. 理想集成運放的分析方法 1) 運放工作在線性區(qū) : * 電路特征 ——引入負(fù)反饋 * 電路特點 ——“虛短 ”和 “虛斷 ”: “虛短 ” “虛斷 ” 2) 運放工作在非線性區(qū) * 電路特征 ——開環(huán)或引入正反饋 * 電路特點 —— 輸出電壓的兩種飽和狀態(tài) : 當(dāng) u+u時， uo=+Uom 當(dāng) u+u時， uo=Uom 兩輸入端的輸入電流為零 : i+=i=0 13 第 五 章 放大電路 的頻率響應(yīng) 一 . 單級放大電路的頻率響應(yīng) 1．中頻段 (fL≤f≤fH) 波特圖 幅頻曲線是 20lgAusm=常數(shù)，相頻曲線是 φ=180o。 2．當(dāng) ＡＦ ＝０時，表明反饋效果為零。 4．當(dāng) ＡＦ ＝－１時 ， Ａ ｆ →∞ 。 二．反 饋的形式和判斷 1. 反饋的范圍 本級或級間。 直流通路中存在反饋則為直流反饋，交流通路中存 在反饋則為交流反饋，交、直流通路中都存在反饋
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