【摘要】半導(dǎo)體材料的拋光摘要磨削和研磨等磨料處理是生產(chǎn)半導(dǎo)體晶片必要方式,然而磨削和研磨會(huì)導(dǎo)致單晶硅晶片的表面完整性變差。因此拋光和平面化對(duì)生產(chǎn)微電子原件來(lái)說(shuō)是十分重要的。這次講座將會(huì)介紹到寄出的拋光過(guò)程以及不同的過(guò)程模型。另外也會(huì)對(duì)硅、砷化鎵等不同的半導(dǎo)體襯底材料進(jìn)行討論。關(guān)鍵字:化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)三軸拋光機(jī)床半導(dǎo)體拋光1簡(jiǎn)介,但拋光和平展化任然是制備微電子原
2024-09-04 13:57
【摘要】第八章半導(dǎo)體電子材料材料優(yōu)值的概念?某類(lèi)器件究竟采用哪種材料更合適??材料的某些基本性質(zhì)決定的材料優(yōu)值,并用此材料優(yōu)值來(lái)定量比較常用的幾種材料優(yōu)值?約翰遜優(yōu)值?凱斯優(yōu)值?巴利加優(yōu)值?高頻器件用材料優(yōu)值?熱性能優(yōu)值約翰遜優(yōu)值?最大輸出功率:電壓?
2025-02-06 09:27
【摘要】第二章半導(dǎo)體材料特性1提綱2原子結(jié)構(gòu)化學(xué)鍵材料分類(lèi)硅可選擇的半導(dǎo)體材料新型半導(dǎo)體電子與光電材料原子結(jié)構(gòu)原子由三種不同的粒子構(gòu)成:中性中子和帶正電的質(zhì)子組成原子核,以及圍繞原子核旋轉(zhuǎn)的帶負(fù)電核的電子,質(zhì)子數(shù)與電子數(shù)相等呈現(xiàn)中性。圖碳原子的基本模型
2025-04-11 23:56
【摘要】第一篇半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)習(xí)題1-1、什么叫本征激發(fā)?溫度越高,本征激發(fā)的載流子越多,為什么?試定性說(shuō)明之。解:在一定溫度下,價(jià)帶電子獲得足夠的能量(≥Eg)被激發(fā)到導(dǎo)帶成為導(dǎo)電電子的過(guò)程就是本征激發(fā)。其結(jié)果是在半導(dǎo)體中出現(xiàn)成對(duì)的電子-空穴對(duì)。如果溫度升高,則禁帶寬度變窄,躍遷所需的能量變小,將會(huì)有更多的電子被激發(fā)到導(dǎo)帶中。1-2、試定性說(shuō)明Ge、Si的禁帶寬度具有負(fù)溫
2025-05-11 23:10
【摘要】第一章半導(dǎo)體中電子狀態(tài)(二)量子力學(xué)初步第一朵烏云出現(xiàn)在光的波動(dòng)理論上,第二朵烏云出現(xiàn)在關(guān)于能量均分的麥克斯韋-玻爾茲曼理論上世紀(jì)之交的1900年,經(jīng)典物理學(xué)輝煌的大廈已近完成。物理學(xué)泰斗開(kāi)爾文爵士在物理學(xué)大會(huì)的演講中宣布:“Thereisnothingnewtobediscoveredin
2025-06-18 22:23
【摘要】第一章半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)?半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)?半導(dǎo)體中電子狀態(tài)和能帶?半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng)和有效質(zhì)量?半導(dǎo)體中載流子的產(chǎn)生及導(dǎo)電機(jī)構(gòu)?半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)1、金剛石型結(jié)構(gòu)和共價(jià)鍵?化學(xué)鍵:構(gòu)成晶體的結(jié)合力.?共價(jià)鍵:由同種晶體組成的元素半導(dǎo)體,其
2025-03-07 16:52
【摘要】半導(dǎo)體物理教材:劉恩科王延來(lái)15124750239固體物理的分支半導(dǎo)體的微觀結(jié)構(gòu)和宏觀物理特性的關(guān)系物理特性電學(xué)特性微觀結(jié)構(gòu)原子排列的方式、鍵合結(jié)構(gòu)、電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)等學(xué)習(xí)要求深刻理解概念、物理機(jī)制48學(xué)時(shí),3學(xué)分,閉卷考試,平時(shí)30%,期末70%第一章半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)n半導(dǎo)體材料分類(lèi)n晶體材料:?jiǎn)尉Ш投嗑?/span>
2025-02-02 06:43
【摘要】半導(dǎo)體物理學(xué)主講人:代國(guó)章物理樓110室,13786187882Email:?課程代碼:14010022?課程性質(zhì):專(zhuān)業(yè)課程/選修課學(xué)分:?時(shí)間:周三(9,10)、(單周)周四(3,4)?教室:B座111?課程特點(diǎn):內(nèi)容廣、概念多,理論和系統(tǒng)性較強(qiáng)。?課程要求:著重物理概
2025-02-02 07:03
【摘要】?jī)?nèi)容:?黑體輻射與能量量子化的假設(shè)?光電效應(yīng)?康普頓效應(yīng)?氫原子光譜與玻爾的氫原子理論?微觀粒子的波粒二象性?測(cè)不準(zhǔn)關(guān)系?薛定鄂方程?無(wú)限深勢(shì)阱中的粒子?激光原理?晶體點(diǎn)陣及電子波在周期勢(shì)場(chǎng)中的傳播應(yīng)用Atoms(原子核)(外層電子、價(jià)帶電子)(激發(fā)態(tài)電子)Moretha
2025-06-22 18:14
【摘要】QJ/TBTCL家用電器(惠州)有限公司企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)QJ/TBJ053063-2004
2024-07-30 16:55
【摘要】第一章緒論1.半導(dǎo)體材料的五大特性:整流效應(yīng)、光電導(dǎo)效應(yīng)、負(fù)電阻溫度效應(yīng)、光生伏特效應(yīng)和霍爾效應(yīng)所謂光電導(dǎo)效應(yīng),是指由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率改變的一種物理現(xiàn)象。電導(dǎo)與所加電場(chǎng)的方向有關(guān),在它兩端加一個(gè)正向電壓,它是導(dǎo)通的;如果把電壓極性反過(guò)來(lái),它就不導(dǎo)通,這就是半導(dǎo)體的整流效應(yīng)。2.能帶結(jié)構(gòu)3.外延生長(zhǎng):在單晶襯底上生長(zhǎng)單晶薄
2025-02-26 18:29
【摘要】NewGenerationofHigh–PowerSemiconductorClosingSwitchesforPulsedPowerApplicationsI.IntroductionSolidstatesemiconductorswitchesareveryinvitingtouseatpulsedpowersystemsbeca
2024-08-09 04:43
【摘要】1SemiconductormaterialsLecturer:AiminLiu&WeifengLiu劉愛(ài)民劉維峰2半導(dǎo)體材料及器件工藝技術(shù)(四)1噴霧熱解成膜技術(shù)?2CVD成膜技術(shù)?低壓CVD、常壓CVD、離子增強(qiáng)型CVD、MOCVD?3擴(kuò)散及陽(yáng)極氧化技術(shù)
2025-05-09 02:27
【摘要】半導(dǎo)體材料?半導(dǎo)體材料的發(fā)展簡(jiǎn)史?半導(dǎo)體材料的發(fā)展趨勢(shì)?半導(dǎo)體材料的分類(lèi)什么是半導(dǎo)體?按照不同的標(biāo)準(zhǔn),有不同的分類(lèi)方式。按固體的導(dǎo)電能力區(qū)分,可以區(qū)分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體的電阻率范圍材料導(dǎo)體半導(dǎo)體絕緣體電阻率(歐姆)﹤10-310-3109﹥10
2025-03-03 10:05
【摘要】第三章晶閘管§普通晶閘管Thyristor硅可控整流器,可控硅,SCR。一、結(jié)構(gòu):四層PNPN結(jié)構(gòu),三端器件符號(hào)正向阻斷:A—K接正電壓,J2反偏,漏電流很小。反向阻斷:A—K接負(fù)電壓,J1,J3反偏,漏電流很小。等效電路:由PN
2025-06-17 01:43