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半導(dǎo)體材料的拋光-在線瀏覽

2024-09-04 13:57本頁面

　　

【正文】的光波。因此，（TTV）上，其用于提高在光掩模下移動晶片的定位精度。2半導(dǎo)體材料的拋光圖2描述了拋光的任務(wù)和在硅晶片拋光中應(yīng)用的技術(shù)。通常，一層大約530微米厚度被除去。3. 化合物半導(dǎo)體的襯底材料的拋光是特別重要的，因?yàn)樗鼈儾槐憩F(xiàn)出硬而脆的特性的材料特性，卻是柔軟而脆的。一個特殊的拋光工藝可用于上面列出的每一項任務(wù)。（CMP）圖3所示為3軸拋光機(jī)的原理，用于基片盤的研磨?，F(xiàn)代的圓盤傳送帶的機(jī)器需要6拋光頭。 [5] 圖3 三軸拋光原理圖4所示為用于CMP的重要工藝參數(shù)。7到70千帕的拋光壓力允許去除速率從60至150納米/分。（如圖5所示）圖4 半導(dǎo)體基板材料的化學(xué)機(jī)械拋光圖5 拋光壓力和溫度除去率之間的關(guān)系對于晶片的裝夾，有不同的技術(shù)進(jìn)行選擇。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是具有高的保持力，缺點(diǎn)是，在晶片的背面將作為一個參考表面。出于這個原因，還有另一種方法可以應(yīng)用到晶片拋光中。由

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