foundry工廠專業(yè)名詞的解釋-在線瀏覽
2025-06-30 22:07本頁面
【正文】 頭發(fā)寬度之五十萬分之一。 13 APCVD（ATMOSPRESSURE） 常壓化學氣相沉積 APCVD為Atmosphere(大氣)，Pressure(壓力)，Chemical(化學)，Vapor(氣相)及Deposition(沉積)的縮寫，也就是說，反應氣體（如SiH4(g)，B2H6(g)，和O2(g)）在常壓下起化學反應而生成一層固態(tài)的生成物（如BPSG）于芯片上。半導體工業(yè)用的砷離子（As＋）可由AsH3氣體分解得到。 15 ASHING，STRIPPING 電漿光阻去除 1. 電漿預處理，系利用電漿方式（Plasma），將芯片表面之光阻加以去除。3. 電漿光組的產(chǎn)生速率通常較酸液光阻去除為慢，但是若產(chǎn)品經(jīng)過離子植入或電漿蝕刻后，表面之光阻或發(fā)生碳化或石墨化等化學作用，整個表面之光阻均已變質(zhì)，若以硫酸吃光阻，無法將表面已變質(zhì)之光阻加以去除，故均必須先以電漿光阻去除之方式來做。封裝的材料不同，其封裝的作法亦不同，本公司幾乎都是以樹酯材料作晶粒的封裝，制程包括：芯片切割→晶粒目檢→晶粒上「架」（導線架，即Lead frame）→焊線→模壓封裝→穩(wěn)定烘烤（使樹酯物性穩(wěn)定）→切框、彎腳成型→腳沾錫→蓋印→完成。 17 BACK GRINDING 晶背研磨 利用研磨機將芯片背面磨薄以便測試包裝，著重的是厚度均勻度及背面之干凈度。 18 BAKE, SOFT BAKE,HARD BAKE 烘烤，軟烤，預烤 烘烤（Bake）：在集成電路芯片上的制造過程中，將芯片至于稍高溫（60℃～250℃）的烘箱內(nèi)或熱板上均可謂之烘烤，隨其目的的不同，可區(qū)分微軟烤（Soft bake）與預烤（Hard bake）。預烤（Hard bake）：又稱為蝕刻前烘烤（preetch bake），主要目的為去除水氣，增加光阻附著性，尤其在濕蝕刻（wet etching）更為重要，預烤不全長會造成過蝕刻。一種供做離子植入用之離子。BF2 ＋是由BF3 ＋氣體晶燈絲加熱分解成：BB1F1B10FB11F2 。 20 BOAT 晶舟 Boat原意是單木舟，在半導體IC制造過程中，常需要用一種工具作芯片傳送、清洗及加工，這種承載芯片的工具，我們稱之為Boat。石英Boat用在溫度較高（大于300℃）的場合。 21 緩沖蝕刻液 BOE是HF與NH4F依不同比例混合而成。HF為主要的蝕刻液，NH4F則作為緩沖劑使用。HF會浸蝕玻璃及任何含硅石的物質(zhì)，對皮膚有強烈的腐蝕性，不小心被濺到，應用大量水沖洗。在晶粒封裝（Assembly）的制程中，有一個步驟是作“焊線”，即是用金線（塑料包裝體）或鋁線（陶瓷包裝體）將晶粒的線路與包裝體之各個接腳依焊線圖（Bonding Diagram）連接在一起，如此一來，晶粒的功能才能有效地應用。焊墊通常分布再晶粒之四個外圍上（以粒封裝時的焊線作業(yè)），其形狀多為正方形，亦有人將第一焊線點作成圓形，以資辨識。而晶粒上有時亦可看到大塊的金屬層，位于晶粒內(nèi)部而非四周，其上也看不到開窗線，是為電容。由五個質(zhì)子及六個中子所組成。另外有同位素，是由五個質(zhì)子及五個中子所組成原子量是10（B10）。 24 BPSG 含硼及磷的硅化物 BPSG乃介于Poly之上、Metal之下，可做為上下兩層絕緣之用，加硼、磷主要目的在使回流后的Step較平緩，以防止Metal line濺鍍上去后，造成斷線。 26 BURN IN 預燒試驗 「預燒」（Burn in）為可靠性測試的一種，旨在檢驗出哪些在使用初期即損壞的產(chǎn)品，而在出貨前予以剔除。預燒試驗分為「靜態(tài)預燒」（Static Burn in）與「動態(tài)預燒」（Dynamic Burn in）兩種，前者在試驗時，只在組件上加上額定的工作電壓即消耗額定的功率，而后者除此外并有仿真實際工作情況的訊號輸入，故較接近實際狀況，也較嚴格。另外對于一些我們認為它品質(zhì)夠穩(wěn)定且夠水準的產(chǎn)品，亦可以抽樣的方式進行，當然，具有高信賴度的產(chǎn)品，皆須通過百分之百的預燒試驗。在以往計算機尚未廣泛應用時，設計者必須以有限之記憶、經(jīng)驗來進行設計，可是有了所謂CAD后，我們把一些常用之規(guī)則、經(jīng)驗存入計算機后，后面的設計者，變可節(jié)省不少從頭摸索的工作，如此不僅大幅地提高了設計的準確度，使設計的領(lǐng)域進入另一新天地。通常于某一個層次中，為了控制其最小線距，我們會制作一些代表性之量測圖形于晶方中，通常置于晶方之邊緣。量測CD之層次通常是對線距控制較重要之層次，如氮化硅、POLY、CONT、MET…等，而目前較常用于測量之圖形有品字型，LBAR等。與水、酒精、乙醚互溶。﹪以上之純化物
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