foundry工廠專業(yè)名詞的解釋(參考版)
2025-05-16 22:07本頁面
【正文】 ：先使雜質(zhì)游離，然后加速植入芯片。原來自來水或地下水中含有大量的細(xì)菌、金屬離子級PARTICLE，經(jīng)廠務(wù)的設(shè)備將之殺菌、過濾和純化后，即可把金屬離子等雜質(zhì)去除，所得的水即稱為〝去離子水〞，專供IC制造之用。然而IC。 49 DI WATER 去離子水 IC制造過程中，常需要用鹽酸容易來蝕刻、清洗芯片。在半導(dǎo)體工業(yè)上常在很純的硅芯片上以預(yù)置或離子布植的方式作擴(kuò)散源（即紅墨水）。 47 DIE BY DIE ALIGNMENT 每FIELD均對準(zhǔn) 每個(gè)Field再曝光前均針對此單一Field對準(zhǔn)之方法稱之；也就是說每個(gè)Field均要對準(zhǔn)。：及一般所謂的3μm、2μm、…等等之Rules，提供布局原布局之依據(jù)。主要為擴(kuò)散與黃光兩方面的參數(shù)。 46 EDSIGN RULE 設(shè)計(jì)準(zhǔn)則 設(shè)計(jì)準(zhǔn)則EDSIGN RULE：反應(yīng)制程能力及制程組件參數(shù)，以供IC設(shè)計(jì)者設(shè)計(jì)IC時(shí)的參考準(zhǔn)則。3. 各項(xiàng)電性參數(shù)等之規(guī)格。 45 DESIGN RULE 設(shè)計(jì)規(guī)范 由于半導(dǎo)體制程技術(shù)，系一們專業(yè)、精致又復(fù)雜的技術(shù)，容易受到不同制造設(shè)備制程方法（RECIPE）的影響，故在考慮各項(xiàng)產(chǎn)品如何從事制造技術(shù)完善，成功地制造出來時(shí)，需有一套規(guī)范來做有關(guān)技術(shù)上之規(guī)定，此即“DESIGN RULE”，其系依照各種不同產(chǎn)品的需求、規(guī)格，制造設(shè)備及制程方法、制程能力、各項(xiàng)相關(guān)電性參數(shù)規(guī)格等之考慮，訂正了如：1. 各制程層次、線路之間距離、線寬等之規(guī)格。2. 有關(guān)電漿去除光阻之原理，請參閱「電漿光阻去除」（Ashing）。 44 DESCUM 電漿預(yù)處理 ，系利用電漿方式（Plasma），將芯片表面之光阻加以去除，但其去光阻的時(shí)間，較一般電漿光阻去除（Stripping）為短。 43 DENSIFY 密化 CVD沉積后，由于所沈積之薄膜（THIN FILM之密度很低），故以高溫步驟使薄膜中之分子重新結(jié)合，以提高其密度，此種高溫步驟即稱為密化。以免芯片表面曝光顯影后光阻掀起。前者可藉由一般光學(xué)顯微鏡檢查出來（如橋接、斷線），由于芯片制造過程甚為復(fù)雜漫長，芯片上缺點(diǎn)數(shù)越少，產(chǎn)品量率品質(zhì)必然越佳，故〝缺點(diǎn)密度〞常備用來當(dāng)作一個(gè)工廠制造的產(chǎn)品品質(zhì)好壞的指針。由于Cycle Time 長，不容許生產(chǎn)中的芯片因故報(bào)廢或重做，故各項(xiàng)操作過程都要依照規(guī)范進(jìn)行，且要做好故障排除讓產(chǎn)品流程順利，早日出FIB上市銷售。一般而言，生產(chǎn)周期時(shí)間可以下列公式概略推算之：生產(chǎn)周期時(shí)間=在制品（WIP）/產(chǎn)能（THROUGHOUT） 40 CYCLE TIME 生產(chǎn)周期 IC制造流程復(fù)雜，且其程序很長，自芯片投入至晶圓測試完成，謂之Cycle Time。“制程周期時(shí)間”則指所有芯片于單一工站平均生產(chǎn)/制造時(shí)間，而各工站（從頭至尾）平均生產(chǎn)/制造之加總極為該制程之制程周期時(shí)間。 39 CYCLE TIME 生產(chǎn)周期時(shí)間 指原料由投入生產(chǎn)線到產(chǎn)品于生產(chǎn)線產(chǎn)生所需之生產(chǎn)/制造時(shí)間。固品質(zhì)管制為達(dá)到經(jīng)營的目的，必須結(jié)合公司內(nèi)所有部門全體人員協(xié)力合作，構(gòu)成一個(gè)能共同認(rèn)識，亦于實(shí)施的體系，并使工作標(biāo)準(zhǔn)化，且使所定的各種事項(xiàng)確實(shí)實(shí)行，使自市場調(diào)查、研究、開發(fā)、設(shè)計(jì)、采購、制造、檢查、試驗(yàn)、出貨、銷售、服務(wù)為止的每一階段的品質(zhì)都能有效的管理，這就是所謂的全公司品質(zhì)管制（Company Wide Quality Control）。 38 CWQC 全公司品質(zhì)管制 以往有些經(jīng)營者或老板，一直都認(rèn)為品質(zhì)管制是品管部門或品管主管的責(zé)任，遇到品質(zhì)管制做不好時(shí)，即立即指責(zé)品質(zhì)主管，這是不對的。 37 CV PLOT 電容,電壓圓 譯意為電容、電壓圖：也就是說當(dāng)組件在不同狀況下，在閘極上施以某一電壓時(shí)，會產(chǎn)生不同之電容值（此電壓可為正或負(fù)），如此組件為理想的組件；也就是閘極和汲極間幾乎沒有雜質(zhì)在里面（COMTAMINATION）。經(jīng)過了以上的鍍光阻膜即軟烤過程，也就是完成了整個(gè)光阻覆蓋的步驟。而旋轉(zhuǎn)速度和光阻劑黏滯性絕應(yīng)所鍍光阻劑的厚度。目前效果最佳的方法為旋轉(zhuǎn)法；旋轉(zhuǎn)法乃是將芯片以真空吸附于一個(gè)可旋轉(zhuǎn)的芯片支持器上，適量的光阻劑加在芯片中央，然后芯片開始轉(zhuǎn)動，芯片上的光阻劑向外流開，很均勻的散在芯片上。而互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOSCOMPLEMENTARY MOS）則是由NMOS及PMOS組合而成，具有省電、抗噪聲能力強(qiáng)、αPARTICLE免疫力好等許多優(yōu)點(diǎn)，是超大規(guī)模集成電路（VLSI）的主流。 33 CLT（CARRIER LIFE TIME） 截子生命周期 一、 定義少數(shù)戴子再溫度平均時(shí)電子被束縛在原子格內(nèi)，當(dāng)外加能量時(shí)，電子
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