foundry工廠專業(yè)名詞的解釋-文庫吧資料
2025-05-19 22:07本頁面
【正文】 獲得能量，脫離原子格束縛，形成自由狀態(tài)而參與電流島通的的工作，但能量消失后，這些電子/電洞將因在結(jié)合因素回復(fù)至平衡狀態(tài)，因子當(dāng)這些載子由被激發(fā)后回復(fù)平衡期間，稱之為少數(shù)載子“LIFE TIME“二、 34 CMOS 互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體 金屬氧化膜半導(dǎo)體（MOS，METALOXIDE SEMICONDUCTOR）其制程程序及先在單晶硅上形成絕緣氧化膜，再沉積一層復(fù)晶硅（或金屬）作為閘極，利用家到閘極的電場來控制MOS組件的開關(guān)（導(dǎo)電或不導(dǎo)電）。同一芯片上每個(gè)晶粒都是相同的構(gòu)造，具有相同的功能，每個(gè)晶粒經(jīng)包裝后，可制成一顆顆我們?nèi)粘Ｉ钪谐Ｒ姷腎C，故每一芯片所能制造出的IC數(shù)量是很可觀的，從幾百個(gè)到幾千個(gè)不等。信道的長度“Channel Length”對MOS組件的參數(shù)有著極重要的影響，故我們對POLY CD的控制需要非常謹(jǐn)慎。達(dá)到芯片最佳反應(yīng)條件。 30 CHAMBER 真空室,反應(yīng)室 專指一密閉的空間，常有特殊的用途：諸如抽真空、氣體反應(yīng)或金屬濺度等?？扇肌? 29 CH3COOH 醋酸 ACETIC ACID 醋酸澄清、無色液體、有刺激性氣味、℃、沸點(diǎn)118℃。簡言之，微距測量長當(dāng)作一個(gè)重要之制程指針，可代表黃光制程之控制好壞。 28 CD MEASUREMENT 微距測試 CD: Critical Dimension之簡稱。 27 CAD 計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì) CAD：Computer Aided Design計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)，此名詞所包含的范圍很廣，可泛稱一切計(jì)算機(jī)為工具，所進(jìn)行之設(shè)計(jì)；因此不僅在IC設(shè)計(jì)上用得到，建筑上之設(shè)計(jì)，飛機(jī)、船體之設(shè)計(jì)，都可能用到?；旧希恳慌a(chǎn)品在出貨前，皆須作百分之百的預(yù)燒試驗(yàn)，馾由于成本及交貨其等因素，有些產(chǎn)品舊祇作抽樣（部分）的預(yù)燒試驗(yàn)，通過后才出貨。預(yù)燒試驗(yàn)的作法，乃是將組件（產(chǎn)品）至于高溫的環(huán)境下，加上指定的正向或反向的直流電壓，如此殘留在晶粒上氧化層與金屬層之外來雜質(zhì)離子或腐蝕性離子將容易游離而使故障模式（Failure Mode）提早顯現(xiàn)出來，達(dá)到篩選、剔除「早期夭折」產(chǎn)品之目的。 25 BREAKDOWN VOLTAGE 崩潰電壓 反向PN接面組件所加之電壓為P接負(fù)而N接正，如為此種接法則當(dāng)所加電壓通在某個(gè)特定值以下時(shí)反向電流很小，而當(dāng)所加電壓值大于此特定值后，反向電流會(huì)急遽增加，此特定值也就是吾人所謂的崩潰電壓（BREAKDOWN VOLTAGE）一般吾人所定義反向P＋ N接面之反向電流為1UA時(shí)之電壓為崩潰電壓，在P＋ N或 N＋P之接回組件中崩潰電壓，隨著N（或者P）之濃度之增加而減小。自然界中這兩種同位素之比例是4：1，可由磁場質(zhì)譜分析中看出，是一種Ptype的離子（B 11＋），用來作場區(qū)、井區(qū)、VT及S/D植入。所以原子量是11。 23 BORON 硼 自然元素之一。焊墊因?yàn)橐鹘泳€，其上得護(hù)層必須蝕刻掉，故可在焊墊上清楚地看到“開窗線”。由于晶粒上的金屬線路的寬度即間隙都非常窄小，（目前SIMC所致的產(chǎn)品約是微米左右的線寬或間隙），而用來連接用的金線或鋁線其線徑目前由于受到材料的延展性即對金屬接線強(qiáng)度要求的限制，～（～33j微米）左右，在此情況下，要把二、三十微米的金屬線直接連接到金屬線路間距只有3微米的晶粒上，一定會(huì)造成多條鋁線的接橋，故晶粒上的鋁路，在其末端皆設(shè)計(jì)成一個(gè)約4mil見方的金屬層，此即為焊墊，以作為接線使用。 22 BONDING PAD 焊墊 焊墊－晶利用以連接金線或鋁線的金屬層。利用NH4F固定〔H＋〕的濃度，使之保持一定的蝕刻率。6:1 BOE蝕刻即表示HF：NH4F=1：6的成分混合而成。而鐵氟龍Boat則用在傳送或酸處理的場合。一般Boat有兩種材質(zhì)，一是石英、另一是鐵氟龍。是一種Ptype 離子，通常用作VT植入（閘層）及S/D植入。經(jīng)Extract拉出及質(zhì)譜磁場分析后而得到。 19 BF2 二氟化硼 軟烤（Soft bake）：其使用時(shí)機(jī)是在上完光阻后，主要目的是為了將光阻中的溶劑蒸發(fā)去除，并且可增加光阻與芯片之附著力。一般6吋芯片之厚度約20mil～30 mil左右，為了便于晶粒封裝打線，故需將芯片厚度磨薄至10 mil ～15mil左右。以樹酯為材料之IC，通常用于消費(fèi)性產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、計(jì)算器，而以陶瓷作封裝材料之IC，屬于高性賴度之組件，通常用于飛彈、火箭等較精密的產(chǎn)品上。 16 ASSEMBLY 晶粒封裝 以樹酯或陶瓷材料，將晶粒包在其中，以達(dá)到保護(hù)晶粒，隔絕環(huán)境污染的目的，而此一連串的加工過程，即稱為晶粒封裝（Assemb
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