化學(xué)氣相沉積ppt課件-在線瀏覽
2025-06-23 12:13本頁(yè)面
【正文】 鍍層的化學(xué)成分可改變 繞鍍性好，適用于在復(fù)雜形狀零件上沉積薄膜 可形成多種金屬、合金、陶瓷和化合物鍍層 三、化學(xué)氣相沉積方法 ?熱化學(xué)氣相沉積（ TCVD） ?低壓化學(xué)氣相沉積（ LPCVD） ?等離子體化學(xué)氣相沉積（ PCVD） ?激光（誘導(dǎo)）化學(xué)氣相沉積（ LCVD） ?金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積（ MOCVD） 熱化學(xué)氣相沉積（ TCVD） ? 熱化學(xué)氣相沉積是指采用 襯底表面熱催化 方式進(jìn)行的化學(xué)氣相沉積。 CVD過(guò)程 反應(yīng)氣體向基體表面擴(kuò)散 反應(yīng)氣體吸附于基體表面 在基體表面上產(chǎn)生的氣相副產(chǎn)物脫離表面 留下的反應(yīng)產(chǎn)物形成覆層 CVD幾種典型化學(xué)反應(yīng) 1）熱分解 2）還原 3）氧化 4）水解 5）綜合 許多鍍層的沉積包含上述兩種或幾種基本反應(yīng)。 3） 除了要得到的固態(tài)沉積物外，化學(xué)反應(yīng)的生成物都必須是氣態(tài)。當(dāng)然，以等離子體、激光提過(guò)激活能量，可降低反應(yīng)的溫度?；瘜W(xué)氣相沉積 Chemical Vapor Deposition , CVD 主要內(nèi)容： ?CVD的基本原理 ?CVD的特點(diǎn) ?CVD方法 ?CVD的現(xiàn)狀和展望 一、 CVD的基本原理 化學(xué)氣相沉積（ Chemical Vapor Deposition ,CVD ） 利用 氣態(tài)物質(zhì)在一固體表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，生成固態(tài)沉積物 的過(guò)程。 CVD的基本條件 1） 足夠高的溫度 ：氣體與機(jī)體表面作用、反應(yīng)沉積時(shí)需要一定的激活能量，故 CVD要在高溫下進(jìn)行。 2）反應(yīng)物必須有 足夠高的蒸氣壓 。 4） 沉積物本身的飽和蒸氣壓應(yīng)足夠低。 此外，還有等離子體激發(fā)、光和激光激發(fā)等反應(yīng)。 ? 一般在 800~2022℃ 的高溫反應(yīng)區(qū)，利用電阻加熱，高頻感應(yīng)加熱和輻射加熱的化學(xué)氣相沉積。 ? 應(yīng)用于半導(dǎo)體和其他材料。由于低壓下分子平均自由程增加，因而 加快了氣態(tài)分子的運(yùn)輸過(guò)程 ，反應(yīng)物質(zhì)在工件表面的擴(kuò)散系數(shù)增大 ，使薄膜均勻性得到改善。但對(duì)于由質(zhì)量輸送控制的外延生長(zhǎng)，上述效應(yīng)并不明顯。 這是一種高頻輝光放電物理過(guò)程與化學(xué)反應(yīng)相結(jié)合的技術(shù)。用于激發(fā)
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