化學(xué)氣相沉積ppt課件(參考版)
2025-05-09 12:13本頁面
【正文】 。隨著工業(yè)生產(chǎn)要求的不斷提高 , CVD 的工藝及設(shè)備得到不斷改進 , 現(xiàn)已獲得了更多新的膜層 , 并大大提高了膜層的性能和質(zhì)量， 它對于提高材料的使用壽命、改善材料的性能、節(jié)省材料的用量等方面起到了重要的作用 ,下一步將向著沉積溫度更低、有害生成物更少、規(guī)模更大等方向發(fā)展。它能制備耐磨膜、潤滑膜、耐蝕膜、耐熱膜、裝飾膜以及磁性膜、光學(xué)膜、超導(dǎo)膜等功能膜，因而在機械制造工業(yè)電子、電器、通訊、航空航天、原子能、輕工等部門得到廣泛的應(yīng)用。除此之外，當(dāng)襯底不能承受熱 CVD所需要的高溫時， MOCVD也用于沉積各種金屬、氧化物、硅化物和碳化物等涂層。 Ⅴ ? MOCVD可構(gòu)成復(fù)合結(jié)構(gòu)的表面膜，創(chuàng)造出新的功能材料。 金屬有機化合物化學(xué)氣相沉 (MOCVD) ? MOCVD是利用金屬有機化合物熱分解反應(yīng)進行氣相外延生長 的方法，即把含有外延材料組分的金屬有機化合物和氫化物（或其他反應(yīng)氣體）作為原料氣體輸運到反應(yīng)室，在一定的溫度下進行外延生長形成薄膜。 熱解機制：光子加熱使在襯底上的氣體熱 解發(fā)生沉積 光解機制：靠光子能量直接使氣體分解 （單光 子吸收） Ⅳ 激光熱解機制示意圖 激光光解機制示意圖 要求襯底對激光吸收系數(shù)較高 大多要求能打斷反應(yīng)氣體分子化學(xué)鍵的足夠能量的光子紫外光 LCVD裝置示意圖 與常規(guī) CVD相 比， LCVD可大 大降低基材的溫 度，可在不能 承受高溫度基 材上合成薄膜 與 PCVD相比， LCVD可避免高能粒子輻照對薄膜 的損傷，更好的控制薄膜的結(jié)構(gòu)，提高薄膜的純度 ?LCVD的應(yīng)用 LCVD是近年來迅速發(fā)展的先進表面沉積技術(shù)，其應(yīng)用前景廣闊。 激光 (誘導(dǎo) )化學(xué)氣相沉 (LCVD) ? LCVD是指利用 激光束的光子能量 激發(fā)和促進化學(xué)反應(yīng)，實現(xiàn)薄膜沉積的化學(xué)氣相沉積技術(shù)。m/h 頻率 射頻功率 500W 反應(yīng)溫度低 相同溫度比 CVD沉積速度快近 2倍 TiC(500℃ ) TiN(300℃ ) 微波等離子體 磁控管 2450MHz微波 反應(yīng)氣體活化程度高 Si2N4 脈沖等離子體 沉積溫度：室溫 激發(fā)溫度 10000K 脈沖半周能耗 1800
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