【正文】
25V 25V GND 5V 5V GND i D V T1 V T2 v GS 浮柵無電子 O 編程前 浮柵無電子 浮柵有電子 編程前 編程后 5V 5V GND 5V 5V GND 導(dǎo)通 截止 若要擦除,可用 紫外線或 X射線,距管子 2厘米處照射 1520分鐘。 當(dāng)遂道區(qū)的電場強(qiáng)度大到一定程度,使漏區(qū)與浮柵間出現(xiàn)導(dǎo)電遂道,形成電流將浮柵電荷泄放掉。 N+ N+ 隧道 P 型襯底 源極s 控制柵 g c 漏極d 浮柵g f d s g c g f MOS(Flotox MOS)管 結(jié)構(gòu)特點(diǎn) : MOS管的源極 N+區(qū)大于漏極N+區(qū),而 SIMOS管的源極 N+區(qū)和漏極 N+區(qū)是對稱的; 2. 浮柵到 P型襯底間的氧化絕緣層比 SIMOS管的更薄。 N+ N+ P 型襯底 源極s 控制柵 g c 漏極d 浮柵g f d s g c g f PLD中的三種與、或陣列 與陣列 B A L 1 L 0 可編程 或陣列 固定 與陣列、或陣列 均可編程 (PLA) 與陣列固定,或陣 列可編程 (PROM) 與陣列可編程,或 陣列固定 (PAL和 GAL等 ) 與陣列 B A L 1 L0 可編程 或陣列 可編程 與陣列 B A L 1 L0 或陣列 可編程 固定 三種與、或陣列有什么特點(diǎn)? 輸出函數(shù)為最小 項(xiàng)表達(dá)式 輸出函數(shù)的乘積項(xiàng)數(shù)不可變 每個(gè) 乘積項(xiàng)所含變量數(shù)可變 輸出函數(shù)的乘積項(xiàng)數(shù)可變 每個(gè) 乘積項(xiàng)所含變量數(shù)可變 組合邏輯電路的 PLD 實(shí)現(xiàn) 例 1 由 PAL構(gòu)成的邏輯電路如圖所示,試寫出該電路的邏輯表達(dá)式,并確定其邏輯功能 。 A L0 L1 L2