組合可編程邏輯器ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-30 03:37 本頁面
【文章內容簡介】 OS)管 快閃 (Flash)疊柵 MOS管 當浮柵上帶有負電荷時，使得 MOS管的開啟電壓變高，如果給控制柵加上 VT1控制電壓， MOS管仍處于截止狀態(tài)。 當浮柵上沒有電荷時，給控制柵加上大于 VT1的控制電壓 ，MOS管導通。 MOS(SIMOS)管 25V 25V GND 5V 5V GND i D V T1 V T2 v GS 浮柵無電子 O 編程前 浮柵無電子 浮柵有電子 編程前 編程后 5V 5V GND 5V 5V GND 導通 截止 若要擦除，可用 紫外線或 X射線，距管子 2厘米處照射 1520分鐘。 L T 1 T 2 T3 T 4 A B C D V CC L=B?C 連接 連接 斷開 斷開 浮柵延長區(qū)與漏區(qū) N+之間的交疊處有一個厚度約為 80A (埃 )的薄絕緣層 —— 遂道區(qū)。 當遂道區(qū)的電場強度大到一定程度，使漏區(qū)與浮柵間出現(xiàn)導電遂道，形成電流將浮柵電荷泄放掉。 遂道 MOS管 是用電擦除的，擦除速度快。 N+ N+ 隧道 P 型襯底 源極s 控制柵 g c 漏極d 浮柵g f d s g c g f MOS(Flotox MOS)管 結構特點 : MOS管的源極 N+區(qū)大于漏極N+區(qū)，而 SIMOS管的源極 N+區(qū)和漏極 N+區(qū)是對稱的； 2. 浮柵到 P型襯底間的氧化絕緣層比 SIMOS管的更薄。 疊柵 MOS管開關 （ Flash Memory) （自學） 特點：結構簡單、集成度高、 編程可靠、擦除快捷。 N+ N+ P 型襯底 源極s 控制柵 g c 漏極d 浮柵g f d s g c g f PLD中的三種與、或陣列 與陣列 B A L 1 L 0 可編程 或陣列 固定 與陣列、或陣列 均可編程 (PLA) 與陣列固定，或陣 列可編程 (PROM)
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