正文內(nèi)容

絕緣珊場(chǎng)效應(yīng)管mos-在線瀏覽

2025-06-16 06:41本頁(yè)面

　　

【正文】擬電路第三章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè) 第二節(jié) 絕緣柵場(chǎng)型效應(yīng)三極管絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 (FET)，簡(jiǎn)稱(chēng) MOSFET。分為：增強(qiáng)型 ? N溝道、 P溝道耗盡型 ? N溝道、 P溝道 MOS管（ 1）結(jié)構(gòu) 4個(gè)電極：漏極 D，源極 S，柵極 G和襯底 B。根據(jù)絕緣層所用材料之不同，絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管有多種類(lèi)型，目前應(yīng)用最廣泛的一種是以二氧化硅（ SiO2）為絕緣層的金屬一氧化物一半導(dǎo)體（ MeialOxideSemiconductor）場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱(chēng) MOS場(chǎng)效應(yīng)管（ MOSFET）。電路符號(hào)和分類(lèi) N溝道增強(qiáng)型 P溝道增強(qiáng)型 N溝道耗盡型 P溝道耗盡型模擬電路第三章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè) P 襯底sgN+bdVDD二氧化硅+N 當(dāng) uGS＞ 0V時(shí) →縱向電場(chǎng) →將靠近柵極下方的空穴向下排斥 →耗盡層。再增加 uGS→縱向電場(chǎng) ↑ →將 P區(qū)少子電子聚集到 P區(qū)表面 →形成導(dǎo)電溝道，如果此時(shí)加有漏源電壓，就可以形成漏極電流 id。 N溝道增強(qiáng)型 MOS管的基本特性： uGS ＜ UT，管子截止， uGS ＞ UT，管子導(dǎo)通。模擬電路第三章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè) ② 漏源電壓 uDS對(duì)漏極電流 id的控制作用當(dāng) uGS＞ UT，且固定為某一值時(shí)，來(lái)分析漏源電壓 VDS對(duì)漏極電流 ID的影響。（截止區(qū)

點(diǎn)擊復(fù)制文檔內(nèi)容

規(guī)章制度相關(guān)推薦

場(chǎng)效應(yīng)管放大電路(1)-在線瀏覽

【摘要】場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管是由一種載流子導(dǎo)電的、用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。從參與導(dǎo)電的載流子來(lái)劃分，它有自由電子導(dǎo)電的N溝道器件和空穴導(dǎo)電的P溝道器件。按照?qǐng)鲂?yīng)三極管的結(jié)構(gòu)劃分，有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管兩大類(lèi)。N溝道

2025-03-09 03:28

場(chǎng)效應(yīng)管放大電路(2)-在線瀏覽

【摘要】普通高等教育”十一五”國(guó)家級(jí)規(guī)劃教材電子工業(yè)出版社模擬電子技術(shù)徐麗香編著第4章場(chǎng)效應(yīng)管放大電路?學(xué)習(xí)目標(biāo)：（１）了解場(chǎng)效應(yīng)管電壓放大作用和主要參數(shù)；（２）了解場(chǎng)效效應(yīng)管放大器的特點(diǎn)及應(yīng)用。（３）設(shè)計(jì)用場(chǎng)效應(yīng)管制作的放大電路或者制作恒流源電路。場(chǎng)效應(yīng)管的基本特性?場(chǎng)效應(yīng)管是利用柵源之

2025-07-13 23:10

場(chǎng)效應(yīng)管放大電路(3)-在線瀏覽

【摘要】第四章場(chǎng)效應(yīng)管放大電路基本要求熟練掌握?qǐng)鲂?yīng)管的主要參數(shù)，共源、共漏組態(tài)放大電路工作原理，用小信號(hào)模型法分析AV、Ri、Ro，正確理解圖形分析法，正確理解場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管放大電路各種放大器件電路性能比較*砷化鎵金屬-半導(dǎo)體

2025-07-13 23:10

場(chǎng)效應(yīng)管放大電路(1)-在線瀏覽

【摘要】機(jī)電工程學(xué)院肖林榮金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）*砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管各種放大器件電路性能比較MOSFET放大電路金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）場(chǎng)效應(yīng)管N溝道增強(qiáng)型MOSFETMOSFET的主要參數(shù)N溝道耗盡

2025-06-16 05:33

場(chǎng)效應(yīng)管識(shí)別與檢測(cè)-在線瀏覽

【摘要】1常用電子元器件-場(chǎng)效應(yīng)管2場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管.由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱(chēng)為單極型晶體管.它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件.特點(diǎn):具有輸入電阻高（100000000～1000000000Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大

2025-07-13 23:11

jfet結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管-在線瀏覽

【摘要】一、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管?1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管的結(jié)構(gòu)?N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管的結(jié)構(gòu)如圖(a)所示，它是在N型半導(dǎo)體硅片的兩側(cè)各制造一個(gè)PN結(jié)，形成兩個(gè)PN結(jié)夾著一個(gè)N型溝道的結(jié)構(gòu)。兩個(gè)P區(qū)連接在一起為柵極G，N型硅的一端是漏極D，另一端是源極S。P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管的結(jié)構(gòu)如圖(b)所示請(qǐng)看動(dòng)

2024-09-04 17:47

第3章-場(chǎng)效應(yīng)管-在線瀏覽

【摘要】結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效管應(yīng)用原理MOS場(chǎng)效應(yīng)管第三章場(chǎng)效應(yīng)管本章重點(diǎn)1.了解場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)，理解其工作原理。2.掌握?qǐng)鲂?yīng)管的符號(hào)、伏安特性和工作特點(diǎn)。3.理解掌握?qǐng)鲂?yīng)管放大電路的分析方法。場(chǎng)效應(yīng)管（FET）:是另一種具有正向受控作用的半導(dǎo)體器件。它是一種依靠電場(chǎng)效應(yīng)

2024-09-15 10:54

場(chǎng)效應(yīng)管放大電路(2)-在線瀏覽

【摘要】1FundamentalofElectronicTechnologyCTGU2結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET放大電路各種放大器件電路性能比較*砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管3?掌握?qǐng)鲂?yīng)管的直流偏置電路及分析；?場(chǎng)效應(yīng)管放大器的微變等效電路分

2025-03-09 03:28

場(chǎng)效應(yīng)管放大電路ppt課件-在線瀏覽

【摘要】2022年2月9日星期三第四章14場(chǎng)效應(yīng)管放大電路引言2022年2月9日星期三第四章2?場(chǎng)效應(yīng)管(FET)的特點(diǎn)：體積小、重量輕、耗電省、壽命長(zhǎng)；輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)性好、抗輻射能力強(qiáng)、制造工藝簡(jiǎn)單。?主要用途：大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路。?分類(lèi)：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)、金屬-氧化

2025-03-01 10:38

場(chǎng)效應(yīng)管放大電路ppt課件-在線瀏覽

【摘要】金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）*砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管各種放大器件電路性能比較MOSFET放大電路金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）*砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管各種放大器件電路性能比較MOSFET放大電

2025-05-09 06:18

場(chǎng)效應(yīng)管放大電路ppt課件-在線瀏覽

【摘要】金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）場(chǎng)效應(yīng)管N溝道增強(qiáng)型MOSFETMOSFET的主要參數(shù)N溝道耗盡型MOSFETP溝道MOSFET溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)P溝道耗盡型P溝道P溝道N溝道增強(qiáng)型N溝道N溝道（耗盡型）FET場(chǎng)效應(yīng)管JFET結(jié)型

2025-03-03 13:09

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管ppt課件-在線瀏覽

【摘要】NPPg(柵極)s源極d漏極N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)基底：N型半導(dǎo)體兩邊是P區(qū)導(dǎo)電溝道dgs結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管PNNg(柵極)s源極d漏極P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)基底：P型半導(dǎo)體兩邊是N區(qū)導(dǎo)電溝道dgsN

2025-06-20 04:06

場(chǎng)效應(yīng)管電源設(shè)計(jì)ppt課件-在線瀏覽

【摘要】1第四章晶體管及其小信號(hào)放大－場(chǎng)效應(yīng)管放大電路電子電路基礎(chǔ)2§4場(chǎng)效應(yīng)晶體管及場(chǎng)效應(yīng)管放大電路§場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)N溝道P溝道增強(qiáng)型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道

2025-06-24 00:12

場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)大全-在線瀏覽

【摘要】型號(hào)PDF資料廠商特性用途極限電壓Vm(V)極限電流Im(A)耗散功率(W)代換型號(hào)2SK2518-01MRFUJI?N-MOSFET,用于開(kāi)關(guān)整流、UPS電源、DC-DC轉(zhuǎn)換、一般功率放大?200?20?50??2SK2519-01FUJI?N-

2024-09-02 23:59

常見(jiàn)場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)-在線瀏覽

【摘要】常用全系列場(chǎng)效應(yīng)管?MOS管型號(hào)參數(shù)封裝資料(2008-05-1713:21:38)轉(zhuǎn)載標(biāo)簽：mos場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)管型號(hào)參數(shù)封裝it分類(lèi)：電氣知識(shí)（和諧社會(huì)）場(chǎng)效應(yīng)管分類(lèi)??型號(hào)???簡(jiǎn)介???????

2024-08-05 19:52