絕緣珊場效應管mos(完整版)
【正文】 耗盡型 N溝道 P溝道 N溝道 P溝道 N溝道 P溝道 模擬電路第三章 上頁 首頁 下頁 第二節(jié) 絕緣柵場型效應三極管 絕緣柵型場效應管 (FET)，簡稱 MOSFET。 再增加 uGS→縱向電場 ↑ →將 P區(qū)少子電子聚集到 P區(qū)表面 →形成導電溝道，如果此時加有漏源電壓，就可以形成漏極電流 id。 （ d） uds再增加，預夾斷區(qū) 加長， uds增加的部分基本降落在隨之 加長 的夾斷溝道上， id基本不變。 在輸出特性曲線上也可求出 gm。 （ 4） 低頻跨導 gm gm反映了柵壓對漏極電流的控制作用，單位是mS(毫西門子 )。由于 MOS管 柵源間有 sio2絕緣層，輸入電阻可達 109～ 1015。 （ d）擊穿區(qū)。 模擬電路第三章 上頁 首頁 下頁 ② 漏源電壓 uDS對漏極電流 id的控制作用 當 uGS＞ UT，且固定為某一值時，來分析漏源電 壓 VDS對漏極電流 ID的影響。 根據(jù)絕緣層所用材料之不同，絕緣柵場效應管有多種類型，目前應用最廣泛的一種是以二氧化硅（ SiO2）為絕緣層的金屬一氧化物一半導體（ MeialOxideSemiconductor）場效應管，簡稱 MOS場效應管（ MOSFET）。與結(jié)型場效應管相比這種管子輸入電阻更高、噪聲更小。 （設 UT=2V， uGS=4V） （ a） uds=0時， id=0。 可變電阻區(qū) 恒流區(qū) 截止區(qū) 擊穿區(qū) iD受 uGS控制 模擬電路第三
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