半導(dǎo)體光刻工藝技術(shù)基礎(chǔ)-在線瀏覽
2025-06-16 05:02本頁(yè)面
【正文】 ? 由 POLY工藝： 集成電路的最小線寬決定于光刻設(shè)備的分辨率。最后，將作為遮擋層的光阻（ PR）剝離。 Nitride PAD Oxide STI: shallow trench isolate淺溝槽隔離工藝 光刻設(shè)備在 IC制造中的作用 IC電路單層制造流程簡(jiǎn)介 Nitride PR PAD Oxide 然后在兩層膜的表面甩上光阻、曝光、 顯影，進(jìn)而在 wafer表面形成光阻的電路圖形。 IC芯片剖面圖（多層） NWell PWell P+ P+ N+ N+ IMD 1 IMD2 M2 M1 V1 MT PA OX PA SION VIA AL Pad Local (‘’Nano’’ realm) Intermediate Global Litho Key layers: STI、 POLY、 .、 M1 圖 : 一個(gè) CMOS器件的剖面示意圖。 2022年度榮獲諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。 二、光刻技術(shù)在 IC制造中的作用 ? 何謂集成電路 IC ? IC芯片剖面圖 ? 單層制造流程簡(jiǎn)述 ? 光刻設(shè)備在 IC制造中的作用 何謂 IC集成電路 ? IC:用硅的體電阻做電阻，用 PN結(jié)形成電容；所有有源和無(wú)源器件器件都集合到一個(gè)半導(dǎo)體材料上。 ? 1911年考尼白格和維斯 首次定義半導(dǎo)體這個(gè)名詞。 ? 1874年，德國(guó)的布勞恩 觀察到某些硫化物的電導(dǎo)與所加電場(chǎng)的方向有關(guān)，即它的導(dǎo)電有方向性，這就是半導(dǎo)體的整流效應(yīng)，也是半導(dǎo)體所特有的第三種特性。這是半導(dǎo)體現(xiàn)象的首次發(fā)現(xiàn)。半導(dǎo)體光刻工藝技術(shù)基礎(chǔ) 芯碩半導(dǎo)體 (中國(guó) )有限公司 做世界一流 產(chǎn) 品 創(chuàng) 世界一流品牌 Contents 1. 半導(dǎo)體技術(shù) 2. 光刻技術(shù)在 IC制造中的作用 3. 光刻的工藝流程 4. 光刻膠 5. 光刻機(jī) 6. 光源 7. 技
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