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2025-03-03 16:09本頁面
  

【正文】 衛(wèi)生環(huán)境 ? ②高純水和氣的制備 ? ③掩模版的制備 初始氧化 光刻 1(埋層光刻) ? 在硅襯底表面生長約 9000197。 ? 在氧化層上刻出要進(jìn)行埋層摻雜的窗口。 N+ 埋層的形成 生長外延層 外延層氧化 隔離光刻 隔離區(qū)摻雜 器件外延層和隔離區(qū)的形成 基區(qū)光刻 基區(qū)摻雜 基區(qū)形成 發(fā)射區(qū)光刻 發(fā)射區(qū)摻雜 發(fā)射區(qū)形成 引線光刻 蒸鋁 刻鋁 電極和布線 3 雙極集成電路的制造 典型的雙極晶體管的平面圖 ? 3D IC集成技術(shù)的拯救 2022年 2月,當(dāng) 《 ICs Going Vertical》 發(fā)表時(shí),幾乎沒有讀者認(rèn)識到發(fā)生在 3
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