平面工藝ppt課件(留存版)
【正文】 ? 為制造這樣的疊層結(jié)構(gòu)，已經(jīng)開(kāi)發(fā)了很多工藝，下面所列的正是其中的關(guān)鍵技術(shù)： TSV制作： Z軸互連是穿透襯底（硅或者其他半導(dǎo)體材料）而且相互電隔離的連接， TSV的尺寸取決于在單層上需要的數(shù)據(jù)獲取帶寬； 層減薄技術(shù)：初步應(yīng)用需減薄到大約 75~50μm，而在將來(lái)需減薄到約 25~1μm； 對(duì)準(zhǔn)和鍵合技術(shù)：或者芯片與晶圓（ D2W）之間，或者晶圓與晶圓（ W2W）之間。 2 硅平面工藝 NPN晶體管結(jié)構(gòu)和基本流程 ? （ 1）襯底材料（ 2）初始氧化（ 3）光刻一 ? （ 4）埋層摻雜（ 5）生長(zhǎng)外延層 ? （ 6）外延層氧化（ 7）光刻二 （隔離光刻）（ 8
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1