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平面工藝ppt課件(已修改)

2025-01-26 16:09 本頁面
 

【正文】 硅平面工藝的基本流程 ? 1 半導(dǎo)體器件制備的基本原理 ? 三個階段, 1950年采用合金法工藝, 1955年擴散技術(shù)得到采用, 1960年平面工藝和外延技術(shù)的出現(xiàn)是半導(dǎo)體制造技術(shù)的重大變革。 2 硅平面工藝 NPN晶體管結(jié)構(gòu)和基本流程 ? ( 1)襯底材料( 2)初始氧化( 3)光刻一 ? ( 4)埋層摻雜( 5)生長外延層 ? ( 6)外延層氧化( 7)光刻二 (隔離光刻)( 8)隔離區(qū)摻雜( 9)腐蝕掉隔離摻雜中形成的 SiO2,然后重新生成 SiO2作為基區(qū)摻雜的掩摸 ? ( 10)光刻三(基區(qū)光刻)( 11)基區(qū)摻雜(硼) (12)光刻四(發(fā)射區(qū)光刻)( 13)發(fā)射區(qū)( 14)光刻五
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