ecvd工藝培訓(xùn)ppt課件-在線瀏覽
2025-02-27 15:32本頁面
【正文】 ECVD設(shè)備有 三個腔體，分別是上料腔，工藝腔（包括預(yù)熱、沉積和冷卻三部分）和下料腔。 gate1 gate2 gate3 gate4 石墨載板 載板外觀圖 掛鉤，支撐電池片 尺寸： 158*158 5*9=45 PECVD： Plasma Enhance Chemical Vapour Deposition（等離子 增強型化學(xué)氣相沉積 ） 等離子體：氣體在一定條件下受到高能激發(fā)，發(fā)生電離，部分外層電子脫落原子核，形成電子、正離子和中性粒子混合物組成的一種形態(tài)，這種形態(tài)就稱為等離子態(tài)。 反應(yīng)方程式： 3SiH4+4NH3 → Si 3N4+12H2↑ PECVD原理及作用 正常的 SiNx的 Si/N之比為 ，即 Si3N4。除了 Si和 N，PECVD的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子，即 SixNyHz或 SiNx:H。 防氧化 :結(jié)構(gòu)致密保證硅片不被氧化。其中金字塔絨面單晶硅電池采用傾斜樣品臺測試， 其他絨面的單晶硅和多晶硅電池采用水平固定樣品臺測試。當次測量
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