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單晶生長(zhǎng)操作規(guī)程講解-在線瀏覽

2025-02-27 12:20本頁(yè)面
  

【正文】 V 生長(zhǎng)速度 d 硅的密度 A 固液界面的截面積 KL 液體熱傳導(dǎo)系數(shù) dTL /dx 臨近界面 KS 固體熱傳導(dǎo)系數(shù) 10 .放肩 ①放到一定的拉速 . ② 恒定降溫方式 . 單晶生長(zhǎng)操作規(guī)程講解 : ①轉(zhuǎn)肩時(shí)的大小與拉速( 24mm/min). ② 降低拉速,跟進(jìn)堝跟比和隨動(dòng) . ③ 確認(rèn)等徑參數(shù),投入自動(dòng) . ④ 斷棱和回熔 : ①根據(jù)堝底料的多少判斷是否要收尾 . ② 控制溫度和拉速 . ③ 降功率、停爐冷卻 . ④ 整個(gè)拉晶過(guò)程的記錄。 ① 關(guān)閉加熱功率, ② 復(fù)位控制柜面板上單晶生長(zhǎng)控制器,使其處于手動(dòng)狀態(tài), ③降低堝位到熔料堝位, ④關(guān)閉堝轉(zhuǎn)。 ②水壓恢復(fù)時(shí),爐內(nèi)無(wú)嚴(yán)重氧化現(xiàn)象,熔體未結(jié)晶或已結(jié)晶但液面結(jié)晶小于 10分鐘且石英坩堝未破裂,按加熱功率開(kāi),調(diào)節(jié)功率到熔料功率。 ④熔化結(jié)晶面,在此期間應(yīng)密切爐內(nèi)有無(wú)嚴(yán)重 單晶生長(zhǎng)操作規(guī)程講解 氧化現(xiàn)象,注意硅料液面熔化情況,一旦發(fā)
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