工業(yè)發(fā)酵培養(yǎng)基的滅菌及滅菌設(shè)備-在線(xiàn)瀏覽
2025-07-18 00:40本頁(yè)面
【正文】 p(ΔE’/RT) ? 殺滅微生物的 △Ｅ 高于維生素分解的 △Ｅ，因此，在任何溫度下，殺滅微生物所需要的時(shí)間比培養(yǎng)基成分分解的時(shí)間長(zhǎng)． ln(κ2/κ1)/ ln(κ2’/κ1’)=E/E’ 因?yàn)?EE’, 所以 ln(κ2/κ1) ln(κ2’/κ1’) ? 即滅菌溫度上升時(shí)，滅菌的速度常數(shù)的增加倍數(shù) 培養(yǎng)基成分破壞的速度常數(shù)的增加倍數(shù)。 ? 所以，培養(yǎng)基滅菌采用 高溫短時(shí) 的方法。 ? 優(yōu)點(diǎn)：不需要專(zhuān)門(mén)的滅菌設(shè)備、投資少 對(duì)蒸汽壓力要求低（ 1 105~4 105） 滅菌效果可靠 可用于極易起泡或黏度很大的培養(yǎng)基 缺點(diǎn)：鍋爐負(fù)荷波動(dòng)大 設(shè)備利用率低 無(wú)法采用高溫短時(shí)滅菌 過(guò)程：升溫、保溫和冷卻 一 . 升溫階段 升溫方式： 1. 間接加熱－ 不穩(wěn)定傳熱過(guò)程 加熱蒸汽溫度不隨時(shí)間改變 ， 培養(yǎng)基溫度不斷上升 GCdt=hF(ts－ t)dτ ? h不變： τ=GC/hF ln((ts－ ti)/( ts－ tf)) ? h： 230－ 350J/（ .℃ ） （ 夾套 ） 350－ 520J/（ .℃ ） （ 蛇管 ） 2. 直接蒸氣加熱 τ=[GC((tf－ ti)+Q’)/(λ－ CW 二 . 冷卻階段 ? GCdt/dτ=WCW(two－ twi)=KFΔtm ? τ=GC
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