半導體名詞解釋-展示頁
2025-08-12 01:25本頁面
【正文】 te oxide (柵極氧化層)? Poly（多晶硅）柵極的刻蝕(etch)要注意哪些地方？ 答：①Gate oxide(柵極氧化層)的沉積；②Poly film的沉積及SiON(在光刻中作為抗反射層的物質)的沉積）；③Poly 圖形的形成(Photo)；④Poly及SiON的Etch；⑤Etch完后的ash( plasma(等離子體)清洗)及光刻膠去除（PR strip）；⑥Poly的Reoxidation（二次氧化）。 答：一般包含下面幾道步驟：①光刻(Photo)及圖形的形成；②離子注入調整；③離子注入完后的ash (plasma(等離子體)清洗)④光刻膠去除（PR strip）21.20. 一般的阱區(qū)離子注入調整電性可分為那三道步驟? 功能為何？ 答：Liner oxide 為1100C, 120 min 高溫爐管形成的氧化層，其功能為：①修補進STI etch 造成的基材損傷；②將STI etch 造成的etch 尖角給于圓化( corner rounding)。(CD control, CD=critical dimension)18. 在STI的刻蝕工藝過程中，要注意哪些工藝參數？兩個AA區(qū)之間便是以STI來做隔離的。 AA 是哪兩個字的縮寫? 簡單說明 AA 的用途? STI 是什幺的縮寫? 為何需要STI? 前段（frontend）的工藝大致可區(qū)分為那些部份? 答：①前段（frontend）元器件(device)的制造過程。 13. Laser mark是什幺用途? Wafer ID 又代表什幺意義? 答：芯片的工藝由許多不同層次堆棧而成的, 各層次之間以zero layer當做對準的基準。11. Wafer下線的第一道步驟是形成start oxide 和zero layer? 其中start oxide 的目的是為何？ 答：幾P幾M代表硅片的制造有幾層的Poly(多晶硅)和幾層的metal(金屬導線). 的邏輯產品為1P6M( 1層的Poly和6層的metal)。9.TF包括PVD(物理氣相淀積)、CVD(化學氣相淀積) 、CMP(化學機械研磨)。 答：主要有四個部分：DIFF（擴散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蝕）。8.一般的硅片(wafer)基材(substrate)可區(qū)分為N,P兩種類型（type）,何謂 N, Ptype wafer? 代表著每一個階段工藝能力的提升。 答：柵極線的寬（該尺寸的大小代表半導體工藝水平的高低）做的越小時，工藝的難度便相對提高。6. 答： um的柵極線寬。 5. 答：wafer size 變大，單一wafer 上的芯片數(chip)變多，單位成本降低未來北京廠工藝wafer將使用300mm(12英寸)。目前中芯國際現(xiàn)有的三個工廠采用多少mm的硅片(wafer)工藝？未來北京的Fab4(四廠)采用多少mm的wafer工藝？ 答：8吋硅片(wafer)直徑為 200mm , 直徑為 300mm硅片即12吋.3. 答：Process Integration Engineer(工藝整合工程師), 主要工作是整合各部門的資源, 對工藝持續(xù)進行改善, 確保產品的良率（yield）穩(wěn)定良好。何謂PIE?1. PIE的主要工作是什幺?2.200mm，300mm Wafer 代表何意義? 答：當前1~3廠為200mm(8英寸)的wafer, 。4.我們?yōu)楹涡枰?00mm? 200→300 , um 的工藝能力(technology)代表的是什幺意義？當柵極的線寬做的越小時，整個器件就可以變的越小，工作速度也越快。 的technology改變又代表的是什幺意義？ 7. 答：Ntype wafer 是指摻雜 negative元素(5價電荷元素，例如：P、As)的硅片, Ptype 的wafer 是指摻雜 positive 元素(3價電荷元素, 例如：B、In)的硅片。 工廠中硅片（wafer）的制造過程可分哪幾個工藝過程(module)？其中DIFF又包括FURNACE(爐管)、WET(濕刻)、IMP(離子 注入)、RTP(快速熱處理)。硅片的制造就是依據客戶的要求，不斷的在不同工藝過程（module）間重復進行的生產過程，最后再利用電性的測試，確保產品良好。一般硅片的制造常以幾P幾M 及光罩層數(mask layer)來代表硅片工藝的時間長短，請問幾P幾M及光罩層數(mask layer)代表什幺意義？而光罩層數（mask layer）代表硅片的制造必需經過幾次的PHOTO（光刻）.10. 答：①不希望有機成分的光刻膠直接碰觸Si 表面。 ②在laser刻號過程中,亦可避免被產生的粉塵污染。 為何需要zero layer? 12. 答：Laser mark 是用來刻wafer ID, Wafer ID 就如同硅片的身份證一樣,一個ID代表一片硅片的身份。 一般硅片的制造(wafer process)過程包含哪些主要部分？②后段（backend）金屬導線的連接及護層（passivation）14. 答：①STI的形成(定義AA區(qū)域及器件間的隔離)②阱區(qū)離子注入（well implant）用以調整電性③柵極(poly gate)的形成④源/
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